一种交流插头防电击保护电路制造技术

本申请提供了一种交流插头防电击保护电路，应用于交流插头电路，该防电击保护电路包括电阻R1、P沟道MOS管Q1和开关单元，P沟道MOS管Q1与电阻R1串联后并联于储能电容C1两端，开关单元连接于P沟道MOS管Q1的栅极，当交流插头拔出时，P沟道MOS管Q1导通，电容中储存的电能通过电阻R1消耗能够迅速泄放掉，从而解决了用户碰触交流插头存在的电击问题，消除了内部电路的电容残存电能带来的安全隐患。此外，该电路结构简单、清晰，可靠性高，不需要使用专用芯片和复杂的外围配套电路，不需编写专门程序，因此降低了成本。因此降低了成本。因此降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种交流插头防电击保护电路


[0001]本技术涉及电子电路技术，尤其涉及一种交流插头防电击保护电路。

技术介绍

[0002]随着各种家用电器特别是冰箱、电视、空调、洗衣机以及各类电气设备、电子产品、充电器等产品的普及和发展，用户在使用时会对交流插头的进行插拔。因这些产品的内部电路板的交流输入侧EMI滤波电路存在较大的薄膜滤波电容等各种电容及整流桥输出侧有一个容值很大的电解电容，用户从插座上拔掉交流插头时，这些电容上存有较大的电能，用户碰触交流插头的金属头时会发生电击危险，存在极大的安全隐患。
[0003]如图1所示，当用户将交流输入插头从插座上拔出时，各种家用电器以及各类电气设备、电子产品、充电器等产品内部电路的整流桥左侧电路中，薄膜电容CX1、CX2储存有电能。因整流桥后面的大电解电容C1上的电压高于整流桥之前的电压，整流桥后面的大电解电容C1储存的电能没有泄放通道，导致薄膜电容CX1储存的电能不能通过整流桥泄放，从而电能一直储存在薄膜电容CX1、CX2中，当用户碰触交流插头的金属头时就会发生电击，存在较大的安全隐患。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种交流插头防电击保护电路，以解决内部电路的电容残存电能带来的安全隐患。
[0005]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
[0006]根据本技术的一方面，提供了一种交流插头防电击保护电路，应用于交流插头电路，所述交流插头电路包括依次连接于交流插头上的电磁干扰抑制单元、整流桥和储能电容C1，所述防电击保护电路包括电阻R1、P沟道MOS管Q1和开关单元，所述P沟道MOS管Q1与所述电阻R1串联后并联于所述储能电容C1两端，所述开关单元连接于所述P沟道MOS管Q1的栅极，所述开关单元在交流插头拔出时向P沟道MOS管Q1注入电流，并在交流插头插接时停止向P沟道MOS管Q1注入电流。
[0007]在一实施例中，所述开关单元包括辅助电源Vcc、分压电阻R2、分压电阻R3和PNP低压晶体管Q3，所述辅助电源Vcc经由分压电阻R2和分压电阻R3接地；所述PNP低压晶体管Q3的基极连接到分压电阻R2和分压电阻R3之间，其发射极与所述P沟道MOS管Q1的栅极连接，其集电极接地。
[0008]在一实施例中，所述P沟道MOS管Q1的源极经由所述电阻R1与所述储能电容C1的正极连接，所述P沟道MOS管Q1的漏极与所述储能电容C1的负极连接。
[0009]在一实施例中，所述电磁干扰抑制单元包括保险丝F1、滤波电容CX1、滤波电容CX2
和共模电感CM1，其中保险丝F1串联于交流插头电路的火线上，所述滤波电容CX1、滤波电容CX2并联于火线和零线之间，所述共模电感CM1设置于所述滤波电容CX1、CX2之间。
[0010]在一实施例中，所述滤波电容CX1、滤波电容CX2为薄膜电容。
[0011]在一实施例中，所述储能电容C1为电解电容。
[0012]在一实施例中，还包括有源功率因数校正变换器，所述有源功率因数校正变换器包括功率二极管D1、功率二极管D2、电感L1和N沟道功率MOS管Q2，所述功率二极管D1和电感L1串联于所述整流桥与储能电容C1之间，所述功率二极管D2的两端并联于所述电感L1和功率二极管D1外，所述N沟道功率MOS管Q2的一端连接于所述电感L1和功率二极管D1之间，另一端连接于所述整流桥与所述电容C1之间。
[0013]本技术实施例的有益效果是：通过设置电阻R1、P沟道MOS管Q1和开关单元，当交流插头拔出时，P沟道MOS管Q1导通，电容中储存的电能通过电阻R1消耗能够迅速泄放掉，从而解决了用户碰触交流插头存在的电击问题，彻底消除内部电路的电容残存电能带来的安全隐患。此外，该电路结构简单、清晰，可靠性高，不需要使用专用芯片和复杂的外围配套电路，不需编写专门程序，因此降低了成本。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0015]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0016]图1是一种现有交流插头电路图；
[0017]图2是本申请第一实施例的电路图；
[0018]图3是本申请第二实施例的电路图。
具体实施方式
[0019]以下结合附图和具体实施例对本技术作详细描述。注意，以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的，而不应被理解为对本技术的保护范围进行任何限制。
[0020]如图2所示，本申请的第一实施例提供了一种交流插头防电击保护电路，应用于交流插头电路，交流插头电路包括依次连接于交流插头上的电磁干扰抑制单元(EMI)、整流桥和储能电容C1。电磁干扰抑制单元通常包括保险丝F1、滤波电容CX1、滤波电容CX2和共模电感CM1。其中，保险丝F1串联于交流插头电路的火线上，滤波电容CX1、滤波电容CX2并联于火线和零线之间，共模电感CM1设置于滤波电容CX1、CX2之间。滤波电容CX1、滤波电容CX2为薄膜电容。储能电容C1为电解电容。
[0021]防电击保护电路包括电阻R1、P沟道MOS管Q1和开关单元，开关单元连接于P沟道MOS管Q1的栅极，开关单元在交流插头拔出时向P沟道MOS管Q1注入电流，并在交流插头插接
时停止向P沟道MOS管Q1注入电流。
[0022]如果将这个防电击保护电路放在电容CX1的左侧也就是靠近交流插头一侧，当从插座上拔出交流输入插头时，将会带来以下三个问题：
[0023](1)电容CX1、CX2两端电压的正、负极很难检测，就很难设置P沟道MOS管Q1放置的方向；
[0024](2)因无法确定电容CX1、CX2两端电压的极性，放电保护电路的驱动共地不好设计；
[0025](3)因储能电容C1在整流桥后面，当交流输入插头从插座上拔出时，储能电容C1储存的残余能量比较大，不能经过整流桥倒灌、再通过电阻R1、P沟道MOS管Q1组成的放电保护电路泄放电能，C1储存的较多电能可能一直保持在电容C1里面，也存在一定的危险。
[0026]因此，本申请将防电击保护电路连接于整流桥与储能电容C1之间，即将P沟道MOS管Q1与电阻R1串联后并联于储能电容C1两端，从而P沟道MOS管Q1可根据储能电容C1的正负极设计放本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交流插头防电击保护电路，应用于交流插头电路，所述交流插头电路包括依次连接于交流插头上的电磁干扰抑制单元、整流桥和储能电容C1，其特征在于：所述防电击保护电路包括电阻R1、P沟道MOS管Q1和开关单元，所述P沟道MOS管Q1与所述电阻R1串联后并联于所述储能电容C1两端，所述开关单元连接于所述P沟道MOS管Q1的栅极，所述开关单元在交流插头拔出时向P沟道MOS管Q1注入电流，并在交流插头插接时停止向P沟道MOS管Q1注入电流。2.根据权利要求1所述的交流插头防电击保护电路，其特征在于，所述开关单元包括辅助电源Vcc、分压电阻R2、分压电阻R3和PNP低压晶体管Q3，所述辅助电源Vcc经由分压电阻R2和分压电阻R3接地；所述PNP低压晶体管Q3的基极连接到分压电阻R2和分压电阻R3之间，其发射极与所述P沟道MOS管Q1的栅极连接，其集电极接地。3.根据权利要求1所述的交流插头防电击保护电路，其特征在于，所述P沟道MOS管Q1的源极经由所述电阻R1与所述储能电容C1的正极连接，所述P沟道MOS管Q1的漏极与所述储能电容C1的负极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伯泽，张语轩，史春艳，徐诺安，
申请(专利权)人：上海专新电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：