向大气中引出离子束的光束加工装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种向大气中引出离子束的光束加工装置，其包括：柱部，具有内部空间，在下端形成用于向外部释放生成于内部的离子束的光圈；O型圈，插入于在光圈的周围所形成的凹槽，以防止空气流入；试样台，用于以使离子束照射到试样的方式放置试样；狭缝，形成在光圈与O型圈之间，用于吸入空气或供给预设气体；以及处理器，使柱部向试样台的方向移动，以使光圈与试样相接触，通过狭缝吸入由O型圈、试样及光圈形成的区域内部的空气来提高区域的真空度，当离子束的加工完成时，使柱部向上部方向移动并通过狭缝向试样台的方向排出预设气体，从而能够进行离子束的精密加工并提高生产性。能够进行离子束的精密加工并提高生产性。能够进行离子束的精密加工并提高生产性。

【技术实现步骤摘要】
向大气中引出离子束的光束加工装置及其控制方法


[0001]本专利技术涉及一种向大气中引出离子束的光束加工装置及其控制方法，更详细地，涉及一种通过设置在柱部下端的狭缝形成局部真空或与试样分离的向大气中引出离子束的光束加工装置及其控制方法。

技术介绍

[0002]聚焦离子束(FIB：Focused Ion Beam)作为使用通过精细节流的离子束来加工半导体、金属高分子材料等试样的装置，本来用作进行电子显微镜观察时的特定部位的截面加工或者用于以100nm的厚度对试样实现薄板化的试样的预处理装置。
[0003]这种聚焦离子束排出装置设置于腔室内，腔室内部通常设置为10
‑5～10
‑6托(torr)的高真空状态。尤其，随着最近二次电池等半导体装置的增加，不仅应用于半导体基板的工艺，还应用于显示面板等需要精细工艺的领域。
[0004]然而，在高真空腔室内放置半导体基板或显示面板等来进行工艺操作的情况下，由于空间限制导致的设备费用的增加、占地面积的增加等可能会导致竞争力减弱。
[0005]因此，需要一种可以在高真空腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种向大气中引出离子束的光束加工装置，其特征在于，包括：柱部，具有内部空间，在下端形成用于向外部释放生成于内部的离子束的光圈；O型圈，插入于在上述光圈的周围所形成的凹槽，以防止空气流入；试样台，用于以使上述离子束照射到试样的方式放置上述试样；狭缝，形成在上述光圈与O型圈之间，用于吸入空气或供给预设气体；以及处理器，控制上述柱部向上述试样台的方向移动，以使上述光圈与上述试样相接触，通过上述狭缝吸入由上述O型圈、试样及光圈形成的区域内部的空气来提高上述区域的真空度，当上述离子束的加工完成时，使上述柱部向上部方向移动并通过上述狭缝向上述试样台的方向排出预设气体。2.根据权利要求1所述的向大气中引出离子束的光束加工装置，其特征在于，在上述光圈的周围所形成的凹槽为楔形榫头形状，截面积朝向上述凹槽的内部逐渐变大，若上述O型圈通过上述柱部的移动来与上述试样相接触，则因压力而以与上述楔形榫头形状的凹槽相对应的方式变形，从而阻断外部空气的流入。3.根据权利要求2所述的向大气中引出离子束的光束加工装置，其特征在于，上述狭缝与用于吸入空气的真空泵以及用于提供气体的气泵相连接，上述处理器控制上述狭缝以通过上述狭缝用上述真空泵吸入上述区域内部的空气，通过上述气泵向上述试样台的方向排出上述预设气体。4.根据权利要求3所述的向大气中引出离子束的光束加工装置，其特征在于，上述处理器通过上述狭缝排出上述预设气体来解除上述O型圈与上述试样之间的接触。5.根据权利要求4所述的向大气中引出离子束的光束加工装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：元钟韩，姜元求，朴正锡，金锜焕，朴万真，李钟洙，卞仁宰，成明俊，郑流淙，
申请(专利权)人：查目科技股份有限公司，
类型：发明
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