半导体封装体用叉指电极的制备方法及半导体封装体技术

本发明专利技术涉及半导体封装体用叉指电极的制备方法及半导体封装体，用以解决现有用于射频前端的半导体封装体谐振频率低的问题。其中，所述半导体封装体用叉指电极的制备方法，包括以下步骤：提供与叉指电极相配合的印章；所述印章通过转印技术在压电衬底上形成叉指电极，所述叉指电极的线宽为0.2~0.4μm。本发明专利技术制备方法可以缩小叉指电极的线宽，不同于传统的光刻方法在制造细线宽电极时对设备和工艺的高要求，采用转印技术可制备更细线宽，工艺方法简单，印章可重复使用，有利于批量制备高频器件。件。件。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装体用叉指电极的制备方法及半导体封装体


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体封装体用叉指电极的制备方法及半导体封装体。

技术介绍

[0002]随着5G通信的普及，对用于射频前端的半导体封装体（以下简称半导体封装体）也需要提高其频率和带宽以适应5G通信时代，而半导体封装体的工作频率主要由叉指电极周期和压电材料中所激发的弹性波波速决定，半导体封装体的工作频率越高，所使用的叉指电极周期越小，相应地叉指电极线宽越细。常规方法制造的半导体封装体工作频率一般低于3GHz，而5G通信中的FR1频段最高可达到6GHz，现有的半导体封装体存在谐振频率低的问题，无法完全满足5G通讯需求。

技术实现思路

[0003]鉴于上述的分析，本专利技术实施例旨在提供一种半导体封装体用叉指电极的制备方法及半导体封装体，用以解决现有用于射频前端的半导体封装体谐振频率低的问题。
[0004]一方面，本专利技术提供了一种半导体封装体用叉指电极的制备方法，包括以下步骤：提供与叉指电极相配合的印章；所述印章通过转印技术在压电衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装体用叉指电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供与叉指电极相配合的印章；所述印章通过转印技术在压电衬底上形成叉指电极，所述叉指电极的线宽为0.2~0.4μm。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述印章设有凹槽和凸起；所述凹槽与所述叉指电极相配合；或者，所述凸起与所述叉指电极相配合。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，当所述印章的凹槽与所述叉指电极相配合时，所述印章通过转印技术在压电衬底上形成叉指电极，包括以下步骤：将所述印章沾取胶溶液印制在所述压电衬底上，蒸发所述压电衬底上胶溶液的溶剂，得到带有胶条的压电衬底；在所述带有胶条的压电衬底上沉积金属膜；剥离胶条，得到所述叉指电极；其中，所述剥离胶条，得到所述叉指电极，包括以下步骤：通过溶剂剥离胶条，然后对压电衬底上剩余金属膜进行干燥，得到所述叉指电极。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，当所述印章的凸起与所述叉指电极相配合时，所述印章通过转印技术在压电衬底上形成叉指电极，包括以下步骤：在所述印章上沉积金属膜；将所述印章的凸起上沉积的金属膜转移至所述压电衬底上，得到所述叉指电极。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述将所述印章的凸起上沉积的金属膜转移至所述压电衬底上，得到所述叉指电极，包括以下步骤：对所述压电衬底进行深度清洗、等离子体...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵淄红，
申请(专利权)人：北京中科飞鸿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：