一种黄光自倍频晶体及黄光自倍频激光器制造技术

本申请一方面，提供了一种黄光自倍频晶体，所述黄光自倍频晶体为掺有铈元素和镱元素的晶体，所述Ce

【技术实现步骤摘要】
一种黄光自倍频晶体及黄光自倍频激光器


[0001]本申请涉及投线仪
，具体涉及一种黄光自倍频晶体及黄光自倍频激光器。

技术介绍

[0002]近年来，黄光逐渐在激光医疗、国防军工等领域发挥着越来越重要的作用。其中，以自倍频激光晶体YbYCOB为核心的黄光激光器具有体积小、结构简单、适合批量化特点，成为最重要的一种黄光光源，该光源在投线仪中具有广泛且重要的应用。
[0003]例如，市场上现有的一种投线仪采用黄光激光器作为光源，该光源在25℃条件下，使用895nm半导体泵浦源对Yb
0.15
Y
0.85
COB自倍频晶体进行泵浦，晶体角度按1140nm倍频方向最大非线性系数切割，两个光通光面光学抛光，晶体器件尺寸为1.3x1.3x2.0mm，晶体两个通光面分别光学镀膜。由半导体泵浦源发出895nm红外光，经聚焦镜进入YbYCOB自倍频晶体，产生570nm黄光激光。
[0004]然而，现有的黄光投线仪存在缺陷，现有的以YbYCOB自倍频晶体的黄光投线仪，从开始工作起，短时间内的出光功率极不稳定，需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种黄光自倍频晶体，其特征在于，所述黄光自倍频晶体为掺有四价铈离子和三价镱离子的晶体，所述Ce
4+
的掺杂浓度为0.1%~12%，所述Yb的掺杂浓度为1%~40%。2.根据权利要求1所述的一种黄光自倍频晶体，其特征在于，所述四价铈离子和三价镱离子的掺杂浓度的比值控制在0.1%~30%。3.根据权利要求2所述的一种黄光自倍频晶体，其特征在于，所述四价铈离子和三价镱离子的掺杂总浓度为5%、10%或20%。4.根据权利要求1所述的一种黄光自倍频晶体，其特征在于，所述晶体选自硼酸钙氧钇晶体、硼酸钙氧钆晶体、硼酸钙氧钆钇晶体、钇铝石榴石晶体、钆镓石榴石晶体、硼酸铝钇晶体或光纤晶体中的一种。5.根据权利要求4所述的一种黄光自倍频晶体，其特征在于，所述的掺有四价铈离子和三价镱离子的晶体为硼酸钙氧钇晶体，所述晶体的分子式为Ce
4+x
Yb
y
Y1‑
x
...

【专利技术属性】
技术研发人员：马长勤，张怀金，于浩海，韩学坤，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：