发光装置及包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

本公开涉及发光装置及包括发光装置的电子设备。一种发光装置，包括：基板；多个第一电极，位于所述基板之上；多个沟槽，设置在所述基板的上表面中，所述多个沟槽中的每个沟槽位于所述多个第一电极中的相邻第一电极之间；功能层的叠层，位于所述多个第一电极之上，所述叠层至少包括发光层，所述发光层包括多个单元，所述多个单元与所述多个第一电极中的相应第一电极对应地设置；以及第二电极，位于所述叠层之上，其中，在所述多个单元之间未设置有从基板或第一电极延伸至所述多个单元的高度或以上从而分隔所述多个单元的隔离结构。以上从而分隔所述多个单元的隔离结构。以上从而分隔所述多个单元的隔离结构。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括发光装置的电子设备


[0001]本公开涉及光电器件领域，并且更具体地，涉及发光装置及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0002]诸如发光二极管的发光装置广泛应用于照明和显示领域。在显示装置中，通常设置有用于界定像素的像素界定层(PDL)。通常，像素界定层被呈现为隔离结构(bank)的形式，用以界定像素(或子像素)，从而将像素(或子像素)分隔开。像素界定层一般制作在其上形成有有源装置(诸如，薄膜晶体管(TFT))的基板(其也被称作TFT基板)上。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一方面，提供了一种发光装置，其包括：基板；多个第一电极，位于所述基板之上；多个沟槽，设置在所述基板的上表面中，所述多个沟槽中的每个沟槽位于所述多个第一电极中的相邻第一电极之间；功能层的叠层，位于所述多个第一电极之上，所述叠层至少包括发光层，所述发光层包括多个单元，所述多个单元与所述多个第一电极中的相应第一电极对应地设置；以及第二电极，位于所述叠层之上，其中，在所述多个单元之间未设置有从基板或第一电极延伸至所述多个单元的高度或以上从而分隔所述多个单元的隔离结构。
[0004]根据本公开的另一方面，提供了一种电子设备，其包括根据本公开的任一实施例所述的发光装置。
[0005]通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。
附图说明
[0006]从结合附图示出的本公开的实施例的以下描述中，本公开的前述和其它特征和优点将变得清楚。附图结合到本文中并形成说明书的一部分，进一步用于解释本公开的原理并使本领域技术人员能够制造和使用本公开。其中：
[0007]图1A和图1B示出了现有技术中的喷墨打印法制备发光装置的示意图；
[0008]图2A示出了根据本公开的一些实施例的发光装置的示意图；
[0009]图2B示出了具有图2A所示的结构的示例发光装置中打印的量子点(QD)层的显微镜照片，而图2C示出了与图2B所示的区域相应的台阶仪扫描结果；
[0010]图3A和图3B示出了根据本公开的另一些实施例的发光装置的示意图；
[0011]图4A至图4D示意性示出了根据本公开的一些实施例的发光装置的沟槽的示例布置的平面图；
[0012]图5A至图5C示出了根据本公开的又一些实施例的发光装置的示意图；
[0013]图6A和图6B示意性示出了根据本公开的一些实施例的发光装置的辅助电极的示
例布置的平面图；
[0014]图7示出了根据本公开的一些实施例的发光装置的制备方法的流程图；
[0015]图8A至图8H示出了根据本公开的一些实施例的发光装置的示例制备过程的示意图；
[0016]图9A至图9C示出了根据本公开的一些实施例的打印的发光层的单元与第一电极的关系的示意图；
[0017]图10A和图10B示出了根据本公开的一些实施例的打印的发光层的单元与第一电极的关系的示意图。
[0018]注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在一些情况中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0019]为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。
具体实施方式
[0020]下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。
[0021]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。也就是说，本文中的结构及方法是以示例性的方式示出，来说明本公开中的结构和方法的不同实施例。然而，本领域技术人员将会理解，它们仅仅说明可以用来实施的本公开的示例性方式，而不是穷尽的方式。此外，附图不必按比例绘制，一些特征可能被放大以示出具体组件的细节。
[0022]另外，对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
[0023]在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
[0024]很多发光装置是采用电致发光原理进行发光的电致发光装置，例如量子点发光装置(QLED)和有机发光装置(OLED)等。这样的电致发光装置通常包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的功能层的叠层(至少包括发光层，可选地还可以包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等功能层)。通常，发光层包括专用于每个像素的单独单元，而电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等功能层可以由多个像素所共用，因此也可以被称为公用层。
[0025]目前，电致发光装置通常采用湿法工艺制作(尤其是QLED的特定功能层只能用湿法工艺制作)，主要采用喷墨打印(inkjet print)工艺。在打印工艺中，技术人员普遍认为用隔离结构(bank)来界定像素是必须的，因为如果没有这样的隔离结构，将会容易地导致不同像素彼此接触而相互干扰。为了实现好的隔离效果，隔离结构的高度往往被设置为高达数微米，大大超出发光装置的功能层的叠层的高度。
[0026]但是，本申请的专利技术人意识到，尤其是当诸如发光层等的功能层是通过喷墨打印工艺制备时，墨滴在隔离结构处受毛细效应影响，干燥后会在隔离结构边缘处形成堆积，造成膜层不均匀，从而使得所制备的发光装置的发光性能不佳。当形成多个功能层时，这种边缘堆积现象会逐层累积。另外，墨水开发一般而言是先基于敞开体系调节配方和退火工艺，但在这种情况优化出的配方并不一定适用于具有隔离结构的基板。此外，器件功能层的膜层总厚度通常为几百纳米(例如，100至200纳米)，如果是顶发射型发光装置，则为了不妨碍光发射，顶电极不得不被形成得比较薄(典型地，为几十纳米，例如20纳米的银电极)，而高达数微米的隔离结构会使得如此薄的顶电极的搭接不稳定，从而导致坏点(不发光的像素)的出现。
[0027]例如，图1A和图1B示出了现有技术中的喷墨打印法制备发光装置的示意图。如图1A所示，在基板1101上形成有多个底电极1103和用于限定像素区域的多个隔离结构1105。通过喷嘴1205将含有用于形成功能层的材料的墨滴1207、1209、1211打印在基板1101上，从而在隔离结构所限定的像素区域中打印功能层1107、1109、1111，例如发光层等。可以看到，打印的墨滴1207、1209、1211在隔离结构1105处受毛细效应影响，会沿隔离结构1105的表面浸润，造成边缘处的膜厚比中央处的膜厚大，从而使得在干燥后材料在隔离结构110本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：基板；多个第一电极，位于所述基板之上；多个沟槽，设置在所述基板的上表面中，所述多个沟槽中的每个沟槽位于所述多个第一电极中的相邻第一电极之间；功能层的叠层，位于所述多个第一电极之上，所述叠层至少包括发光层，所述发光层包括多个单元，所述多个单元与所述多个第一电极中的相应第一电极对应地设置；以及第二电极，位于所述叠层之上，其中，在所述多个单元之间未设置有从基板或第一电极延伸至所述多个单元的高度或以上从而分隔所述多个单元的隔离结构。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述叠层还包括下部功能层，所述下部功能层位于所述发光层之下，并且包括位于所述多个第一电极之上的多个第一部分以及位于所述多个沟槽中的多个第二部分。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述下部功能层的每个第一部分与相邻的第二部分是连续的。4.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述下部功能层的每个第一部分与相邻的第二部分是不连续的。5.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述多个沟槽中的沟槽满足以下条件中的至少一者：沟槽的深度大于所述下部功能层的厚度；沟槽的深度小于所述第一电极与所述叠层的总厚度；沟槽在顶部处的宽度小于所述多个第一电极中的相邻第一电极之间的间距；沟槽在顶部处的宽度不等于在底部处的宽度。6.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述下部功能层是通过涂布工艺形成的。7.根据权利要求1所述的发光装置，还包括辅助电极，所述辅助电极位于所述第二电极之上并且被配置为将所述第二电极的对应于所述发光层的所述多个单元的多个部分相互电连接。8.根据权利要7所述的发光装置，其中，所述辅助电极满足以下各项中的至少一项：所述辅助电极在所述基板上的正投影不覆盖所述多个第一电极在所述基板上的正投影；所述辅助电极在所述基板上的正投影覆盖所述多个沟槽在所述基板上的正投影；所述辅助电极在所述基板上的正投影的形状与...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜勇，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：