发光装置及其制备方法、包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

本公开涉及发光装置及其制备方法、包括发光装置的电子设备。一种发光装置，包括：基板；多个第一电极，位于基板之上；功能层的叠层，位于所述多个第一电极之上，叠层至少包括发光层，发光层包括多个单元，所述多个单元与所述多个第一电极中的相应第一电极对应地设置，并且所述多个单元中的相邻单元彼此接触；以及第二电极，位于叠层之上。位于叠层之上。位于叠层之上。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制备方法、包括发光装置的电子设备


[0001]本公开涉及光电器件领域，并且更具体地，涉及发光装置及其制备方法，以及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0002]诸如发光二极管的发光装置广泛应用于照明和显示领域。在显示装置中，通常设置有用于界定像素的像素界定层(PDL)。通常，像素界定层被呈现为隔离结构(bank)的形式，用以界定像素(或子像素)，从而将像素(或子像素)分隔开。像素界定层一般制作在其上形成有有源装置(诸如，薄膜晶体管(TFT))的基板(其也被称作TFT基板)上。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一方面，提供了一种发光装置，其包括：基板；多个第一电极，位于所述基板之上；功能层的叠层，位于所述多个第一电极之上，所述叠层至少包括发光层，所述发光层包括多个单元，所述多个单元与所述多个第一电极中的相应第一电极对应地设置，并且所述多个单元中的相邻单元彼此接触；以及第二电极，位于所述叠层之上。
[0004]在一些实施例中，所述多个单元中的每个单元在所述基板上的正投影覆盖所述多个第一电极中的与该单元对应的第一电极在所述基板上的正投影。
[0005]在一些实施例中，所述叠层还包括位于所述发光层之下的下部功能层，所述下部功能层覆盖所述多个第一电极，并且其中，所述多个单元中的相邻单元彼此接触使得所述下部功能层不与所述第二电极接触。
[0006]在一些实施例中，所述叠层还包括位于所述发光层之上的上部功能层，所述上部功能层覆盖所述发光层的所述多个单元，并且其中，所述多个单元中的相邻单元彼此接触使得所述上部功能层不与所述下部功能层接触。
[0007]在一些实施例中，所述多个单元包括相邻的第一单元和第二单元，所述第一单元与所述第二单元彼此部分地重叠。
[0008]在一些实施例中，所述第一单元与所述第二单元的重叠区域在所述基板上的正投影不和对应于所述第一单元与所述第二单元的第一电极在所述基板上的正投影重叠。
[0009]在一些实施例中，所述第一单元被配置用于发射第一波长范围的光，所述第二单元被配置用于发射第二波长范围的光，所述第二波长范围高于所述第一波长范围。
[0010]在一些实施例中，在所述第一单元和所述第二单元的重叠区域中，所述第二单元相比于所述第一单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为出光侧的一者。
[0011]在一些实施例中，所述第一单元的发光材料的空穴传输能级深于所述第二单元的发光材料的空穴传输能级，并且所述第一单元的发光材料的电子传输能级不浅于所述第二单元的发光材料的电子传输能级，其中，在所述第一单元和所述第二单元的重叠区域中，所述第一单元相比于所述第二单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为阴极的一者。
[0012]在一些实施例中，所述第一单元的发光材料的电子传输能级浅于所述第二单元的
发光材料的电子传输能级，并且所述第一单元的发光材料的空穴传输能级不深于所述第二单元的发光材料的空穴传输能级，其中，在所述第一单元和所述第二单元的重叠区域中，所述第二单元相比于所述第一单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为阴极的一者。
[0013]在一些实施例中，所述第一单元的发光材料的电子传输能级浅于所述第二单元的发光材料的电子传输能级，并且所述第一单元的发光材料的空穴传输能级深于所述第二单元的发光材料的空穴传输能级，其中，在所述第一单元和所述第二单元的重叠区域中，所述第二单元相比于所述第一单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为阴极的一者，或者所述第一单元相比于所述第二单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为阴极的一者。
[0014]在一些实施例中，所述多个单元包括相邻的第三单元和第四单元，所述第三单元和所述第四单元被配置用于发射相同波长范围的光，其中，所述第三单元和所述第四单元被一体地形成。
[0015]在一些实施例中，所述发光层的所述多个单元是通过打印或涂布的量子点组合物进行交联形成的。
[0016]在一些实施例中，在所述多个单元之间未设置有从基板或第一电极延伸至所述多个单元的高度或以上从而分隔所述多个单元的隔离结构。
[0017]在一些实施例中，所述发光装置还包括：多个隔离结构，位于所述基板之上并从基板或第一电极向上延伸，所述多个第一电极中的每个第一电极的至少一部分设置在相应的隔离结构之间，其中，所述多个隔离结构中的每个隔离结构的高度小于700纳米。
[0018]在一些实施例中，所述多个隔离结构中的每个隔离结构的高度被配置为在这样的范围之内：不高于所述叠层的高度与200纳米之和，并且不低于紧邻该隔离结构的所述叠层中紧邻第一电极的功能层的高度。
[0019]根据本公开的另一方面，提供了一种发光装置的制备方法，其包括：提供其上具有多个第一电极的基板；在所述基板上形成功能层的叠层，所述叠层至少包括发光层，所述发光层包括多个单元，所述多个单元与所述多个第一电极中的相应第一电极对应地设置，并且所述多个单元中的相邻单元彼此接触；以及在所述叠层上形成第二电极。
[0020]在一些实施例中，所述多个单元中的每个单元在所述基板上的正投影覆盖所述多个第一电极中的与该单元对应的第一电极在所述基板上的正投影。
[0021]在一些实施例中，形成功能层的叠层还包括：形成下部功能层，所述下部功能层覆盖所述多个第一电极，其中，所述发光层位于所述下部功能层之上，并且所述发光层的所述多个单元中的相邻单元彼此接触使得所述下部功能层不与在所述叠层上形成的第二电极接触。
[0022]在一些实施例中，形成功能层的叠层还包括：形成上部功能层，所述上部功能层覆盖所述发光层的所述多个单元，其中，所述发光层位于所述上部功能层之下，并且所述发光层的所述多个单元中的相邻单元彼此接触使得所述下部功能层不与在所述发光层上形成的上部功能层接触。
[0023]在一些实施例中，形成发光层包括：与所述多个第一电极对应地形成与所述发光层的所述多个单元对应的液态打印单元，所述液态打印单元含有量子点组合物；以及对所述液态打印单元进行交联，从而形成所述发光层的所述多个单元。
[0024]在一些实施例中，所述多个单元包括相邻的第一单元和第二单元，所述第一单元与所述第二单元彼此部分地重叠。
[0025]在一些实施例中，所述第一单元与所述第二单元的重叠区域在所述基板上的正投影不和对应于所述第一单元与所述第二单元的第一电极在所述基板上的正投影重叠。
[0026]在一些实施例中，所述第一单元被配置用于发射第一波长范围的光，所述第二单元被配置用于发射第二波长范围的光，所述第二波长范围高于所述第一波长范围。
[0027]在一些实施例中，在所述第一单元和所述第二单元的重叠区域中，所述第二单元相比于所述第一单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为出光侧的一者。
[0028]在一些实施例中，所述第一单元的发光材料的空穴传输能级深于所述第二单元的发光材料的空穴传输能级，并且所述第一单元的发光材料的电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：基板；多个第一电极，位于所述基板之上；功能层的叠层，位于所述多个第一电极之上，所述叠层至少包括发光层，所述发光层包括多个单元，所述多个单元与所述多个第一电极中的相应第一电极对应地设置，并且所述多个单元中的相邻单元彼此接触；以及第二电极，位于所述叠层之上。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个单元中的每个单元在所述基板上的正投影覆盖所述多个第一电极中的与该单元对应的第一电极在所述基板上的正投影。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述叠层还包括位于所述发光层之下的下部功能层，所述下部功能层覆盖所述多个第一电极，并且其中，所述多个单元中的相邻单元彼此接触使得所述下部功能层不与所述第二电极接触。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述叠层还包括位于所述发光层之上的上部功能层，所述上部功能层覆盖所述发光层的所述多个单元，并且其中，所述多个单元中的相邻单元彼此接触使得所述上部功能层不与所述下部功能层接触。5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个单元包括相邻的第一单元和第二单元，所述第一单元与所述第二单元彼此部分地重叠。6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，所述第一单元与所述第二单元的重叠区域在所述基板上的正投影不和对应于所述第一单元与所述第二单元的第一电极在所述基板上的正投影重叠。7.根据权利要求5所述的发光装置，其中，所述第一单元被配置用于发射第一波长范围的光，所述第二单元被配置用于发射第二波长范围的光，所述第二波长范围高于所述第一波长范围。8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，在所述第一单元和所述第二单元的重叠区域中，所述第二单元相比于所述第一单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为出光侧的一者。9.根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述第一单元的发光材料的空穴传输能级深于所述第二单元的发光材料的空穴传输能级，并且所述第一单元的发光材料的电子传输能级不浅于所述第二单元的发光材料的电子传输能级，其中，在所述第一单元和所述第二单元的重叠区域中，所述第一单元相比于所述第二单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为阴极的一者。10.根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述第一单元的发光材料的电子传输能级浅于所述第二单元的发光材料的电子传输能级，并且所述第一单元的发光材料的空穴传输能级不深于所述第二单元的发光材料的空穴传输能级，其中，在所述第一单元和所述第二单元的重叠区域中，所述第二单元相比于所述第一单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为阴极的一者。11.根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述第一单元的发光材料的电子传输能级浅于所述第二单元的发光材料的电子传输能级，并且所述第一单元的发光材料的空穴传输能级深于所述第二单元的发光材料的空穴传输能级，
其中，在所述第一单元和所述第二单元的重叠区域中，所述第二单元相比于所述第一单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为阴极的一者，或者所述第一单元相比于所述第二单元更靠近所述第一电极和所述第二电极中作为阴极的一者。12.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个单元包括相邻的第三单元和第四单元，所述第三单元和所述第四单元被配置用于发射相同波长范围的光，其中，所述第三单元和所述第四单元被一体地形成。13.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光层的所述多个单元是通过打印或涂布的量子点组合物进行交联形成的。14.根据权利要求1所述的发光装置，其中，在所述多个单元之间未设置有从基板或第一电极延伸至所述多个单元的高度或以上从而分隔所述多个单元的隔离结构。15.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：多个隔离结构，位于所述基板之上并从基板或第一电极向上延伸，所述多个第一电极中的每个第一电极的至少一部分设置在相应的隔离结构之间，其中，所述多个隔离结构中的每个隔离结构的高度小于700纳米。16.根据权利要求15所述的发光装置，其中，所述多个隔离结构中的每个隔离结构的高度被配置为...

【专利技术属性】
技术研发人员：高远，彭军军，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：