采用二极管电路以减小面积的一次性可编程（OTP）存储器单元电路以及相关的OTP存储器单元阵列电路和方法技术

一种OTP存储器单元电路包括读取访问开关，该读取访问开关被耦合至读取电流路径中的熔丝，以允许读取电流在读取操作期间流过该熔丝。能够在写入操作中切断的该读取访问开关根据该读取电流来确定大小，以减少可能导致不可靠结果的泄漏电流。被耦合至该读取访问开关和该熔丝之间的节点的二极管电路提供通过该熔丝的写入电流路径，该写入电流路径不同于该OTP存储器单元电路中的该读取电流路径。该二极管电路被配置为通过包括该熔丝的该写入电流路径来驱动写入电流，该写入电流足以在写入操作中使该熔丝熔断。与该OTP存储器单元电路中的可比驱动强度的写入访问晶体管相比，该二极管电路占用更小的面积。极管电路占用更小的面积。极管电路占用更小的面积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】采用二极管电路以减小面积的一次性可编程(OTP)存储器单元电路以及相关的OTP存储器单元阵列电路和方法
[0001]优先权申请
[0002]本申请要求于2020年10月20日提交的并且标题为“ONE
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TIMEPROGRAMMABLE(OTP)MEMORY CELL CIRCUITS EMPLOYINGA DIODE CIRCUIT FOR AREA REDUCTION,AND RELATED OTPMEMORY CELL ARRAY CIRCUITS AND METHODS(采用二极管电路以减小面积的一次性可编程(OTP)存储器单元电路以及相关的OTP存储器单元阵列电路和方法)”的美国专利申请序列号17/075,002的优先权，该申请通过引用全部并入本文。

技术介绍

[0003]I.公开领域
[0004]本公开的领域大体上涉及非易失性存储器，更具体地涉及电子设备中的一次性可编程(OTP)只读存储器。
[0005]II.背景
[0006]微处理器和其他处理电路(“处理器”)处理数字格式(诸如二进制形式)的程序指令本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种一次性可编程(OTP)存储器单元电路，包括：熔丝，包括被耦合至节点的第一端子；读取访问开关，包括被耦合至所述节点的第一端口；以及二极管电路，包括被耦合至所述节点的阳极。2.根据权利要求1所述的OTP存储器单元电路，其中：所述熔丝还包括被耦合至写入位线的第二端子；所述二极管电路还包括阴极，所述阴极被耦合至选择线以在所述写入位线和所述选择线之间形成通过所述二极管电路的写入电流路径；并且所述OTP存储器单元电路被配置为：响应于所述写入位线上的写入电压与所述选择线上的第一选择电压之间的第一电压差，在所述写入电流路径中传导写入电流并且从所述熔丝的所述第二端子传导到所述熔丝的所述第一端子。3.根据权利要求2所述的OTP存储器单元电路，其中：所述读取访问开关还包括：第二端口，被耦合至读取位线；以及控制端子，被耦合至字线；并且所述读取访问开关被配置为由所述字线上的控制信号激活，以响应于所述读取位线上的第一读取电压与所述写入位线上的第二读取电压之间的第二电压差，在读取电流路径中将读取电流从所述熔丝的所述第一端子传导到所述熔丝的所述第二端子。4.根据权利要求2所述的OTP存储器单元电路，其中所述OTP存储器单元电路还被配置为：响应于所述第一电压差在1.75伏特(V)和2.0V之间，在所述写入电流路径中将所述写入电流从所述熔丝的所述第二端子传导到所述熔丝的所述第一端子。5.根据权利要求3所述的OTP存储器单元电路，其中所述读取访问开关还被配置为被去激活，以将所述读取位线与所述熔丝解耦。6.根据权利要求3所述的OTP存储器单元电路，其中所述读取访问开关还被配置为在所述读取电流路径中将所述读取电流从所述读取位线传导到所述熔丝的所述第一端子。7.根据权利要求3所述的OTP存储器单元电路，其中所述读取访问开关还被配置为：响应于所述读取位线上的所述第一读取电压与所述写入位线上的所述第二读取电压之间的所述第二电压差在0.1伏特(V)和0.2V之间，在所述读取电流路径中将所述读取电流从所述熔丝的所述第一端子传导到所述熔丝的所述第二端子。8.根据权利要求3所述的OTP存储器单元电路，其中：所述读取访问开关还包括读取访问晶体管；所述第一端口包括源极/漏极区域；并且所述第二端口包括漏极/源极区域。9.根据权利要求2所述的OTP存储器单元电路，其中所述二极管电路包括PN结。10.根据权利要求1所述的OTP存储器单元电路，被集成在集成电路(IC)中。11.根据权利要求1所述的OTP存储器单元电路，被集成到选自由以下组成的组的设备中：机顶盒；娱乐单元；导航设备；通信设备；固定位置数据单元；移动位置数据单元；全球定位系统(GPS)设备；移动电话；蜂窝电话；智能电话；会话发起协议(SIP)电话；平板计算机；平板手机；服务器；计算机；便携式计算机；移动计算设备；可穿戴计算设备；台式计算机；个
人数字助理(PDA)；监测器；计算机显示器；电视；调谐器；无线电；卫星无线电；音乐播放器；数字音乐播放器；便携式音乐播放器；数字视频播放器；视频播放器；数字视频盘(DVD)播放器；便携式数字视频播放器；机动车辆；车辆组件；航空电子系统；无人机；以及多轴直升机。12.根据权利要求1所述的OTP存储器单元电路，其中：所述熔丝还包括被耦合至写入位线的第二端子；所述二极管电路还包括被耦合至选择线的阴极；并且所述读取访问开关还包括：第二端口，被耦合至读取位线；以及控制端子，被耦合至字线。13.一种一次性可编程(OTP)存储器单元阵列电路，包括：OTP存储器单元的二维(2D)阵列，所述2D阵列包括：第一行，包括第一多个OTP存储器单元；第二行，包括第二多个OTP存储器单元；第一列，包括所述第一多个OTP存储器单元中的第一OTP存储器单元以及所述第二多个OTP存储器单元中的第一OTP存储器单元；以及第二列，包括所述第一多个OTP存储器单元中的第二OTP存储器单元以及所述第二多个OTP存储器单元中的第二OTP存储器单元；其中所述第一多个OTP存储器单元和所述第二多个OTP存储器单元中的每个OTP存储器单元包括：熔丝，包括：第一端子，被耦合至节点；和第二端子；读取访问开关，包括：第一端口，被耦合至所述节点；和第二端口；以及二极管电路，包括：阳极，被耦合至所述节点；和阴极；第一写入位线，被耦合至所述2D阵列的所述第一列中的每个OTP存储器单元的所述熔丝的所述第二端子；第二写入位线，被耦合至所述2D阵列的所述第二列中的每个OTP存储器单元的所述熔丝的所述第二端子；第一选择线，被耦合至所述2D阵列的所述第一行中的每个OTP存储器单元中的所述二极管电路的所述阴极；以及第二选择线，被耦合至所述2D阵列的所述第二行中的每个O...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：