一种新型光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括由下至上依次设置的单晶氧化铝基底、氧化锌籽晶层和氧化锌纳米阵列，氧化锌纳米阵列表面具有硫化钼膜层，氧化锌籽晶层和硫化钼膜层上分别引出电极。本发明专利技术中，使用单晶氧化铝基底，有助于获得规则的氧化锌纳米阵列；采用磁控溅射溅射氧化锌籽晶层并使用快速退火炉退火来提高结晶质量；借助光刻技术调控氧化锌纳米阵列形貌，有望通过调控阵列间距、长度等实现不同波段的吸收增强；使用脉冲激光沉积超薄且均匀的硫化钼膜层，增强吸收效果显著，并使用硫化钼的层间生长特性实现了冠状形貌；光电探测器的光谱范围为254

【技术实现步骤摘要】
一种新型光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电探测器
，具体涉及一种新型光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]光电探测器是指半导体材料受光激发产生电子空穴对，在PN结的电场作用下经过漂移和扩散作用形成光生电流的光电半导体器件。受限于半导体材料的禁带宽度，通常光电探测器仅能探测波长范围较小的光，如硅光电探测器的探测波长范围为400
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1100nm，而氧化锌光电探测器的探测波长范围<400nm。并且，通常的平面型光电探测器由于表面反射作用，无法实现高效率的光收集，从而影响了器件的响应度和探测度。
[0003]得益于3D纳米结构优秀的陷光效应，在光电探测器表面制备的3D纳米结构搭配超薄纳米薄膜将有望实现光学/电学性能的突破。但是，目前使用可调控的3D陷光结构实现宽光谱的光电探测器鲜有报道。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种新型光电探测器及其制备方法。
[0005]为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型光电探测器，其特征在于，包括由下至上依次设置的单晶氧化铝基底、氧化锌籽晶层和氧化锌纳米阵列，所述氧化锌纳米阵列表面具有硫化钼膜层，所述氧化锌籽晶层和硫化钼膜层上分别引出电极。2.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器，其特征在于，所述氧化锌籽晶层的厚度大于10nm。3.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器，其特征在于，所述硫化钼膜层为通过将硫化钼使用脉冲激光沉积法沉积至氧化锌纳米阵列表面制成，硫化钼沿层生长速度大于层间生长速度。4.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器，其特征在于，所述硫化钼膜层的厚度不小于10nm。5.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器，其特征在于，所述氧化锌纳米阵列顶端具有由硫化钼沉积形成的冠状结构。6.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器，其特征在于，所述氧化锌籽晶层和硫化钼膜层上的电极厚度为50nm
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500nm，所述氧化锌籽晶层上的电极为钛金电极，所述硫化钼膜层上的电极为金电极。7.根据权利要求1
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6任一所述的一种新型光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)对单晶氧化铝基底进行清洁处理；2)在单晶氧化铝基底上采用磁控溅射的方式溅射氧化锌籽晶层，溅射功率控制在100W以内，溅射厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱兵兵，宁玲，
申请(专利权)人：三序光学科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：