一种晶圆切割保护膜及其使用方法技术

本发明专利技术涉及C09J7，更具体地，本发明专利技术涉及一种晶圆切割保护膜及其使用方法，晶圆切割保护膜由硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层组成；硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层自上而下涂覆粘接。加入丙烯酸

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆切割保护膜及其使用方法


[0001]本专利技术涉及C09J7，更具体地，本专利技术涉及一种晶圆切割保护膜及其使用方法。

技术介绍

[0002]晶圆是硅半导体电路中的一种硅晶片，在半导体中发挥着不可或缺的作用。晶圆的制备需要经过切割，在切割过程中，需要对晶圆表面进行封装保护以避免切割损坏晶圆，造成晶圆合格率下降的问题。
[0003]专利号CN113150730B的专利提供了一种晶圆切割用保护胶，加入双酚A环氧树脂和粒径为0.1
‑
75μm的二氧化硅得到的保护胶涂布在晶圆表面后，130℃下固化1h后再去进行切割，可以提高晶圆合格率。专利号CN112724888B的专利提供了一种胶黏剂、晶圆切割保护膜及其制备方法和应用，通过含氟单体、软单体和硬单体的比例控制，得到的保护膜具有耐水性和耐高温性。
[0004]可见，现有技术中大多只考虑到保护膜对晶圆的直接影响，并未考虑切割过程中，产生的蒸气和喷溅物渗入保护膜缝隙，使得切割过程产生胶丝的问题。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术第一个方面提供了一种晶圆切割保护膜，所述晶圆切割保护膜由硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层组成；硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层自上而下涂覆粘接。
[0006]优选的，晶圆切割保护膜的总厚度为80
±
10μm。
[0007]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述聚氯乙烯层的纵向拉伸率和横向拉伸率均＞200％，纵向抗张强度和横向抗张强度均＞0.4MPa。
[0008]优选的，聚氯乙烯层中含有增塑剂邻苯二甲酸二异壬酯(DINP)。
[0009]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述聚酯涂层的厚度≥2μm。
[0010]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述聚酯涂层的酸值为2
‑
4KOH mg/g。
[0011]优选的，聚酯涂层的酸值为2
‑
3KOH mg/g。
[0012]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述胶粘层的原料包括胶料、稀释剂和架桥剂；胶料、稀释剂和架桥剂的重量比为(77
‑
81)：20：(0.97
‑
1.85)。
[0013]优选的，胶粘层的制备方法为：胶料的各原料混合后加入稀释剂(具体为乙酸乙酯)稀释后，继续加入架桥剂(具体为甲苯二异氰酸酯)，搅拌，即得。
[0014]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述胶料的原料包括甲酯、乙酯、丁酯、辛酯、丙烯酸和增粘剂。
[0015]优选的，胶料的原料还包括偶氮二异丁腈。
[0016]优选的，胶料的原料包括2
‑
5重量份甲酯、220
‑
245重量份乙酯、25
‑
27重量份丁酯、38
‑
45重量份辛酯、1
‑
3重量份丙烯酸、21
‑
23重量份增粘剂和0.15
‑
0.25重量份偶氮二异丁腈。
[0017]进一步优选的，增粘剂为苯乙烯。
[0018]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述甲酯和丁酯的重量比为(2
‑
5)：(25
‑
27)；丁酯和辛酯的重量比为(25
‑
27)：(38
‑
45)。
[0019]优选的，甲酯为甲基丙烯酸甲酯；丁酯为丙烯酸正丁酯；辛酯为丙烯酸辛酯。
[0020]优选的，乙酯在胶料的原料中的重量百分比为69
‑
71.2％。
[0021]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述乙酯包括丙烯酸
‑2‑
羟乙酯，丙烯酸
‑2‑
羟乙酯在乙酯中的重量百分比为1.65
‑
1.77％。
[0022]为了避免切割过程中，产生的蒸气和喷溅物渗入保护膜缝隙，使得切割过程产生胶丝的问题，申请人在实验中意外地发现，在胶粘层中掺入一定比例的丙烯酸
‑2‑
羟乙酯，在乙酯在胶料的原料中的重量百分比为69
‑
71.2％的前提下，使得丙烯酸
‑2‑
羟乙酯在乙酯中的重量百分比为1.65
‑
1.77％，使得保护膜在应用于晶圆上的时候，不仅具有合适的粘性，使其粘性在100
‑
150g/25mm，既能够保护切割过程中晶圆不易受到损害，使其在加工完成后易剥离，无残胶、鬼影出现，更重要的是，在切割过程中，也不易产生胶丝，间接保证了切割中晶圆片的质量，此外，还使得保护膜具有稳定的韧性等力学性能。申请人猜测，在甲苯二异氰酸酯的作用下，
‑
NCO基团和丙烯酸
‑2‑
羟乙酯协同，改善了胶料的凝胶体系，同时控制甲酯和丁酯的重量比为(2
‑
5)：(25
‑
27)；丁酯和辛酯的重量比为(25
‑
27)：(38
‑
45)，使得形成的网状交联结构的交联密度受到影响，导致化学和物理性质的提升。
[0023]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述乙酯还包括乙酸乙酯、甲基丙烯酸甲氧基乙酯、氰乙酸乙酯的至少一种。
[0024]优选的，乙酯还包括乙酸乙酯。
[0025]本专利技术第二个方面提供了一种晶圆切割保护膜的使用方法，使用方法为：将胶粘层贴在晶圆片的背面，在60
‑
100℃下进行切割。
[0026]本专利技术与现有技术相比具有以下有益效果：
[0027]加入丙烯酸
‑2‑
羟乙酯，并控制丙烯酸
‑2‑
羟乙酯在乙酯中的重量百分比为1.65
‑
1.77％，使得保护膜在应用于晶圆上的时候，不仅具有合适的粘性，使其粘性在100
‑
150g/25mm，既能够保护切割过程中晶圆不易受到损害，使其在加工完成后易剥离，无残胶、鬼影出现，更重要的是，在切割过程中，也不易产生胶丝，间接保证了切割中晶圆片的质量，此外，还使得保护膜具有稳定的韧性等力学性能；控制甲酯和丁酯的重量比为(2
‑
5)：(25
‑
27)；丁酯和辛酯的重量比为(25
‑
27)：(38
‑
45)，聚酯涂层的厚度≥2μm，使得胶粘层和聚酯涂层发生良好的协同作用，不仅保证了各层的化学稳定性，隔绝了聚氯乙烯层中增塑剂在切割过程中向胶粘层的迁移，而且也使得胶粘层、聚酯涂层和聚氯乙烯形成的局部整体和硅油离型层的配合性提高，不易产生气泡等缝隙，影响晶圆片的质量。本专利技术的得到的晶圆切割保护膜能够有效在切割过程中保护晶圆片，使得晶圆片的晶体上不易出现滑移线缺陷和堆垛层错缺陷，提高了产品合格率。
附图说明
[0028]图1为实施例1得到的晶圆切割保护膜贴在晶圆片上进行切割后的晶圆的图片。
具体实施方式
[002本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割保护膜，其特征在于，所述晶圆切割保护膜由硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层组成；硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层自上而下涂覆粘接。2.根据权利要求1所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述聚氯乙烯层的纵向拉伸率和横向拉伸率均＞200％，纵向抗张强度和横向抗张强度均＞0.4MPa。3.根据权利要求1所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述聚酯涂层的厚度≥2μm。4.根据权利要求3所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述聚酯涂层的酸值为2
‑
4KOH mg/g。5.根据权利要求1所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述胶粘层的原料包括胶料、稀释剂和架桥剂；胶料、稀释剂和架桥剂的重量比为(77
‑
81)：20：(0.97
‑
1.85)。6.根据权利要求5所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述胶料的原料包括甲酯、乙酯、丁酯、辛酯、丙烯酸和增...

【专利技术属性】
技术研发人员：李拯黎，曾庆明，宋亦健，王桂莲，赵益梅，
申请(专利权)人：广东硕成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：