一种晶圆切割保护膜及其使用方法技术

本发明专利技术涉及C09J7，更具体地，本发明专利技术涉及一种晶圆切割保护膜及其使用方法，晶圆切割保护膜由硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层组成；硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层自上而下涂覆粘接。加入丙烯酸

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆切割保护膜及其使用方法


[0001]本专利技术涉及C09J7，更具体地，本专利技术涉及一种晶圆切割保护膜及其使用方法。

技术介绍

[0002]晶圆是硅半导体电路中的一种硅晶片，在半导体中发挥着不可或缺的作用。晶圆的制备需要经过切割，在切割过程中，需要对晶圆表面进行封装保护以避免切割损坏晶圆，造成晶圆合格率下降的问题。
[0003]专利号CN113150730B的专利提供了一种晶圆切割用保护胶，加入双酚A环氧树脂和粒径为0.1
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75μm的二氧化硅得到的保护胶涂布在晶圆表面后，130℃下固化1h后再去进行切割，可以提高晶圆合格率。专利号CN112724888B的专利提供了一种胶黏剂、晶圆切割保护膜及其制备方法和应用，通过含氟单体、软单体和硬单体的比例控制，得到的保护膜具有耐水性和耐高温性。
[0004]可见，现有技术中大多只考虑到保护膜对晶圆的直接影响，并未考虑切割过程中，产生的蒸气和喷溅物渗入保护膜缝隙，使得切割过程产生胶丝的问题。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割保护膜，其特征在于，所述晶圆切割保护膜由硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层组成；硅油离型层、聚氯乙烯层、聚酯涂层和胶粘层自上而下涂覆粘接。2.根据权利要求1所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述聚氯乙烯层的纵向拉伸率和横向拉伸率均＞200％，纵向抗张强度和横向抗张强度均＞0.4MPa。3.根据权利要求1所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述聚酯涂层的厚度≥2μm。4.根据权利要求3所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述聚酯涂层的酸值为2
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4KOH mg/g。5.根据权利要求1所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述胶粘层的原料包括胶料、稀释剂和架桥剂；胶料、稀释剂和架桥剂的重量比为(77
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81)：20：(0.97
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1.85)。6.根据权利要求5所述的晶圆切割保护膜，其特征在于，所述胶料的原料包括甲酯、乙酯、丁酯、辛酯、丙烯酸和增...

【专利技术属性】
技术研发人员：李拯黎，曾庆明，宋亦健，王桂莲，赵益梅，
申请(专利权)人：广东硕成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：