具有高储能及高光学透过率的微晶玻璃材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有高储能及高光学透过率的微晶玻璃材料及其制备方法，所述微晶玻璃材料具有四方钨青铜晶相结构或四方钙钛矿晶相结构，其组成分别为：A2O

【技术实现步骤摘要】
具有高储能及高光学透过率的微晶玻璃材料及其制备方法
[0001]

[0002]本专利技术涉及介电材料
，具体涉及一种具有高储能及高光学透过率的微晶玻璃材料及其制备方法。

技术介绍

[0003]在无机电介质材料中，电介质陶瓷和微晶玻璃是两种主要用于电介质能量存储应用的候选材料。对于电介质陶瓷材料，其主要优势是强铁电性带来的高极化值，但铁电畴反转会导致剩余极化较大，放电时间较长(>1
µ
s)。此外，其较高的孔隙率及较大的晶粒尺寸导致其击穿场强较低，通常小于400 kV/cm，因此，难以同时实现高储能能量和高功率密度。微晶玻璃是由纳米、亚纳米尺度的高介陶瓷相和低介玻璃相组成，具有良好的块体密度、合适的介电常数和高击穿强度。此外，由于玻璃相的存在，微晶玻璃具有比陶瓷更短的放电时间，因此，微晶玻璃电介质电容器有望实现更高的功率密度，在高压高功率脉冲系统有较好的应用前景。
[0004]微晶玻璃做为介质，通常高的介电常数意味着铁电性增强，相应地，会使得剩余极化值增大，从而导致储能能量降低，因此，开发具有较高的功率密本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高储能及高光学透过率的微晶玻璃材料，其特征在于，所述微晶玻璃材料具有四方钨青铜晶相结构，其组成为：A2O
‑
A
′
O
‑
B2O5‑
B
′
O2‑
Al2O3‑
SiO2，各氧化物比例：0~10mol%的A2O，15~35mol%的A
′
O，0~35 mol%的B2O5，0~30 mol%的B
′
O2，5~25mol%的Al2O3，0~25mol%的SiO2；其中：A代表 K、 Na或Ag元素，A
′
代表 Ba或Sr元素，B代表Nb、Ta或P元素，B
′
代表Ti或Sn元素。2.根据权利要求1所述的微晶玻璃材料，其特征在于，所述具有四方钨青铜晶相结构的微晶玻璃材料，其制备方法包括以下步骤：（1）以K2CO3、Na2CO3、Ag2O、BaCO3、SrCO3、Nb2O5、P2O5、Ta2O5、Al2O3和SiO2为原料，按照各氧化物比例配料，然后将这些原料在球磨机中湿法球磨24h，烘干后置于坩埚中在1450
‑
1500℃保温2
±
0.5h熔制成均匀的玻璃液；（2）将所得玻璃液迅速浇注至预热好金属模具中成型，然后在550
‑
570℃的退火炉中退火，消除应力后切割成设定面积的玻璃片；（3）将所述玻璃片...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚飞，覃耀毅，唐健，陈国华，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：