含Bi制造技术

技术编号:37854562 阅读:31 留言:0更新日期:2023-06-14 22:47
本发明专利技术公开了一种含Bi

【技术实现步骤摘要】
含Bi
3+
的Na2O

K2O

Nb2O5‑
SiO2玻璃陶瓷光催化材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷材料,具体是一种含Bi
3+
的Na2O

K2O

Nb2O5‑
SiO2玻璃陶瓷光催化材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]利用光催化技术实现太阳能的高效转化,在缓解能源危机和环境污染方面具有巨大潜力,但其低的转换效率阻碍了其实际应用。抑制光生电子和空穴的复合,提高载流子分离效率,使电子和空穴能够有效到达材料表面活性位点参与反应,是大幅提高光催化降解性能和促进光催化技术大规模应用的关键。
[0003]近年来,铁电材料被广泛应用于传感器、致动器、纳米发电机、微机电设备、内存存储设备和能量收集等领域。铁电材料中的自发极化,主要由晶体中一些原子被替换而导致的正、负电荷中心偏移所引起,即在不施加应力的情况下具有自发的偶极矩,产生自发的极化电场,由于自发极化(Ps)的存在,外加电场可以使电畴发生逆转,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含Bi
3+
的Na2O

K2O

Nb2O5‑
SiO2玻璃陶瓷光催化材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、按照摩尔比x:(35

x):5:40:20分别取Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、Nb2O5和SiO2混合均匀,得到混合物,其中x=1、2、3或4;步骤2、将混合物加入已预热至1150~1250℃的坩埚内,继续加热使混合物熔融,并保温至无气泡,将熔体倒入已预热至200℃的模具中使其成型;步骤3、待步骤2的熔体成型后,快速转移至退火炉中,以5℃/min的升温速率自室温升温至500~600℃并保温,随炉冷却后,得到玻璃样品;步骤4、将玻璃样品放入马弗炉中,以5℃/min的升温速率自室温升温至700℃并保温,随炉冷却后,得到含Bi
3+
的Na2O

K2O

Nb2O5‑
SiO2玻璃陶瓷光催化材料。2.根据权利要求1所述的含Bi
3+
的Na2O<...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒲永平蒿毓鑫
申请(专利权)人:陕西科技大学
类型:发明
国别省市:

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