基板清洗装置以及基板研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板清洗装置及基板研磨装置，效率良好地去除在研磨处理后的基板、膜片以及固定环上附着的颗粒。基板清洗装置被设于包括研磨平台及顶环的基板研磨装置，对研磨后的基板的表面进行清洗，研磨平台具有进行基板研磨的研磨面，顶环一边利用固定环来围绕基板的外周部，一边利用膜片来保持基板。顶环于在研磨平台的上方进行基板研磨的研磨位置、与在研磨平台的侧方进行基板的交接的交接位置之间移动自如。基板清洗装置是对应于研磨位置以及交接位置之间的清洗位置而设，且包括：第一喷射单元，包含对位于清洗位置的基板、膜片以及固定环喷射清洗液的多个清洗喷嘴；以及第二喷射单元，包含对位于清洗位置的基板喷射冲洗液的基板冲洗喷嘴。洗液的基板冲洗喷嘴。洗液的基板冲洗喷嘴。

【技术实现步骤摘要】
基板清洗装置以及基板研磨装置


[0001]本专利技术涉及一种对半导体晶片等的基板进行清洗的装置以及包括所述清洗装置的基板研磨装置。

技术介绍

[0002]在对半导体晶片等的基板的表面进行研磨的研磨装置中，设有研磨模块、清洗模块及基板搬送机构。在研磨模块中，配设有具有研磨垫的研磨平台以及保持基板的研磨头(顶环(top ring))。研磨头在进行基板交接的交接位置与跟研磨垫重合的研磨位置之间搬送基板。在研磨位置以规定压力将基板表面按压至研磨垫，供给研磨液(浆料)并使研磨垫与基板相对运动，由此，使基板滑动接触于研磨垫以将基板表面研磨得平坦。
[0003]清洗模块包括进行基板表面的粗清洗(一次清洗)以及精清洗(二次清洗)的多个清洗模块，将研磨处理后残留于基板上的研磨液或研磨渣等的研磨残渣物(颗粒)予以去除。在清洗模块中，设有用于清洗多个基板的多个清洗线，由此来实现高生产率(参照专利文献1)。
[0004][现有技术文献][0005][专利文献][0006][专利文献1]日本专利特开2010
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50436号公报
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板清洗装置，被设于包括研磨平台及顶环的基板研磨装置，所述研磨平台具有进行基板的基板研磨的研磨面，所述顶环一边利用固定环来围绕所述基板的外周部，一边利用膜片来保持所述基板而朝向所述研磨面按压，所述基板清洗装置对所述基板研磨后的所述基板的表面进行清洗，其特征在于，所述顶环于在所述研磨平台的上方进行所述基板研磨的研磨位置、与在所述研磨平台的侧方进行所述基板的交接的交接位置之间移动自如，所述基板清洗装置是对应于所述研磨位置以及所述交接位置之间的清洗位置而设，且包括：第一喷射单元，朝向位于所述清洗位置的所述基板、所述膜片以及所述固定环喷射清洗液；以及第二喷射单元，朝向位于所述清洗位置的所述基板喷射冲洗液。2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述第一喷射单元包括：第一清洗喷嘴，沿着位于所述清洗位置的所述基板的径向设有多个，且包括朝向所述基板的表面喷射清洗液的多个喷射口；以及第二清洗喷嘴，包括朝向所述膜片和/或所述固定环喷射清洗液的喷射口。3.根据权利要求2所述的基板清洗装置，其特征在于，所述第二清洗喷嘴包括朝向所述膜片与所述固定环的间隙喷射清洗液的喷射口。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，所述第二喷射单元相对于所述第一喷射单元而配置在所述顶环的旋转方向的下游。5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，所述第一喷射单元的喷射喷嘴朝所述交接位置方向倾斜。6.一种基板研磨装置，包括根据权利要求1至3中任一项所述的基板清洗装置与所述顶环以及研磨垫。7.一种基板研磨装置，其特征在于包括：研磨平台，具有进行基板的基板研磨的研磨面；顶环，于在所述研磨平台的上方进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：马场枝里奈，深谷孝一，武渕健一，斎藤贤一郎，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：