量子点制造方法、量子点及包含其的光学构件和电子装置制造方法及图纸

提供一种量子点制造方法、量子点及包含其的光学构件和电子装置，所述量子点制造方法包括如下步骤：制造包括包含镓(Ga)的III

【技术实现步骤摘要】
量子点制造方法、量子点及包含其的光学构件和电子装置


[0001]本专利技术涉及量子点制造方法、利用所述制造方法制造的量子点、包括所述量子点的光学构件以及包括所述量子点的电子装置。

技术介绍

[0002]量子点可以作为在光学构件以及各种电子装置中执行多样的光学功能(例如，光转换功能、发光功能等)的材料而使用。量子点作为呈现量子限制效应(quantum confinement effect)的纳米尺寸的半导体纳米晶体，通过抑制纳米晶体的尺寸以及组成等，从而可以具有不同的能带隙，因此可以发射各种发光波长的光。
[0003]包括这种量子点的光学构件可以具有薄膜的形态，例如，具有按照每个子像素被图案化的薄膜形式。这样的光学构件也可以用作包括多样的光源的装置的颜色转换构件。
[0004]另一方面，所述量子点在各种电子装置中可以以多样的用途使用。例如，所述量子点也可以用作发射器。作为一例，所述量子点可以包括于包括一对电极以及发光层的发光元件中的发光层而起到发射器的作用。
[0005]现如今，为了实现高品质光学构件以及电子装置，需要开发如下的量子点：发射具有490nm以下的最大发光波长的蓝光的同时，具有优异的发光量子效率(PLQY)，且不包括作为毒性元素的镉。

技术实现思路

[0006]提供一种新的量子点制造方法、利用所述制造方法制造的量子点、包括所述量子点的光学构件以及包括所述量子点的电子装置。
[0007]根据一方面，提供一种量子点制造方法，包括如下步骤：
[0008]制造包括包含镓(Ga)的III
‑
V族半导体化合物的第一粒子；以及用包含铝(Al)前驱体的铝(Al)组合物处理所述第一粒子。
[0009]根据另一方面，提供一种量子点，利用所述量子点制造方法制造，所述量子点包括：
[0010]包括包含镓(Ga)的III
‑
V族半导体化合物的第一粒子；以及
[0011]围绕所述第一粒子的铝(Al)钝化层。
[0012]根据又一方面，提供包括所述量子点的光学构件(optical member)。
[0013]根据又一方面，提供包括量子点的电子装置。
[0014]利用所述量子点制造方法制造的量子点呈现窄的半峰全宽，具有优异的色纯度，从而可以利用所述量子点而提供高品位的光学构件以及电子装置。
附图说明
[0015]图1是示意性地示出根据一实现例的量子点的端面的图。
[0016]图2是示意性地示出根据一实现例的电子装置的结构的图。
[0017]图3是示意性地示出根据一实现例的发光元件的结构的图。
[0018]附图标记说明：
[0019]100：量子点
[0020]10：第一粒子
[0021]11：核
[0022]12：壳
[0023]13：第一区域
[0024]14：第二区域
[0025]15：铝钝化层
具体实施方式
[0026]本专利技术可以进行各种转换并且可以具有多个实施例，因此在附图中例示出特定实施例并且在详细描述中进行详细说明。本专利技术的效果和特征以及达成它们的方法与附图一起参照详细后述的实施例则会明确。然而，本专利技术并不限于以下公开的实施例，可以以多样的形态实现。
[0027]本说明书中的“第一”、“第二”等的术语并非是限定的意思，以区别一个构成要素与其他构成要素的目的进行使用。
[0028]本说明书中的“单数”的表述如果在上下文中未明确表示不同的含义，则包括“复数”的表述。
[0029]本说明书中的“包括”或者“具有”等术语指存在在说明书中所记载的特征或者构成要素，并且不预先排除附加一个以上的其他特征或者构成要素的可能性。例如，除非另有限定，否则“包括”或“具有”等术语既可以指仅由说明书中所记载的特征或构成要素而构成的情况，也可以指还包括其他构成要素的情况。
[0030]在本说明书中，
“Ⅱ
族”可以包括IUPAC周期率表上的ⅡA族元素以及ⅡB族元素，例如，Ⅱ族元素可以包括镁(Mg)、钙(Ca)、锌(Zn)、镉(Cd)、汞(Hg)等。
[0031]在本说明书中，
“Ⅲ
族”可以包括IUPAC周期率表上的ⅢA族元素以及ⅢB族元素，例如，Ⅲ族元素可以包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)等。
[0032]在本说明书中，
“Ⅴ
族”可以包括IUPAC周期率表上的
Ⅴ
A族元素以及
Ⅴ
B族元素，例如，
Ⅴ
族元素可以包括氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)等。
[0033]在本说明书中，
“Ⅵ
族”可以包括IUPAC周期率表上的
Ⅵ
A族元素以及
Ⅵ
B族元素，例如，
Ⅵ
族元素可以包括硫(S)、硒(Se)、碲(Te)等。
[0034]以下参照图1说明根据本专利技术的一实现例的量子点100及其制造方法。
[0035]根据一实现例，提供一种量子点的制造方法，包括如下步骤：制造第一粒子10，所述第一粒子10包括包含镓(Ga)的
Ⅲ‑
V族半导体化合物；以及用包含铝(Al)前驱体的铝(Al)组合物处理所述第一粒子10。
[0036]根据一实现例，包括包含所述镓(Ga)的
Ⅲ‑
V族半导体化合物的第一粒子10的制造步骤可以包括从镓(Ga)前驱体、Ⅲ族前驱体以及
Ⅴ
族前驱体形成包含所述镓(Ga)的
Ⅲ‑
V族半导体化合物的步骤。
[0037]根据一实现例，形成包含所述镓(Ga)的
Ⅲ‑
V族半导体化合物的步骤可以在120℃
至280℃的温度范围内执行。例如，形成包含所述镓(Ga)的
Ⅲ‑
V族半导体化合物的步骤可以在150℃至250℃的温度范围内执行。
[0038]根据一实现例，所述镓(Ga)前驱体可以包括：三甲基镓(Trimethyl gallium)、三乙基镓(Triethyl gallium)、醋酸镓(Gallium acetate)、油酸镓(Gallium oleate)、乙酰丙酮镓(Gallium acetylacetonate)、氯化镓(Gallium
‑3‑
chloride)、氟化镓(Gallium fluoride)、氧化镓(Gallium oxide)、硝酸镓(Gallium nitrate)、硫酸镓(Gallium sulfate)或者其任意组合。
[0039]例如，所述镓(Ga)前驱体可以包括醋酸镓(Gallium acetate)、油酸镓(Gallium oleate)、氯化镓(Gallium
‑3‑
chloride)、氟化镓(Gallium fluoride)或者其任意组合。
[0040]根据一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点制造方法，包括如下步骤：制造包括包含镓的III
‑
V族半导体化合物的第一粒子；以及用包含铝前驱体的铝组合物处理所述第一粒子。2.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，用包含铝前驱体的铝组合物处理所述第一粒子的步骤包括在所述第一粒子的表面上形成铝钝化层的步骤。3.根据权利要求2所述的量子点制造方法，其中，形成所述铝钝化层的步骤在120℃至230℃温度下执行10分钟至3小时。4.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，相对于100摩尔铝组合物，所述铝前驱体的含量为0.1摩尔至5摩尔。5.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，所述铝前驱体由下述化学式1表示：<化学式1>Al(R1)3所述化学式1中，R1为：氚、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或者硝基；被氚、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基或者其任意组合取代或未被取代的C1‑
C
60
烷氧基。6.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，所述铝组合物还包括溶剂。7.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，制造包括包含所述镓的III
‑
V族半导体化合物的第一粒子的步骤包括从镓前驱体、III族前驱体以及V族前驱体形成包括包含所述镓的III
‑
V族半导体化合物的步骤。8.根据权利要求7所述的量子点制造方法，其中，形成包括包含所述镓的III
‑
V族半导体化合物的步骤在120℃至280℃温度范围下执行。9.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，制造包括包含所述镓的III
‑
V族半导体化合物的第一粒子的步骤包括如下步骤：准备第二混合物，所述第二混合物包括包含所述镓的
Ⅲ‑
V族半导体化合物、包含第一金属元素的第一前驱体、包含第二金属元素的第二前驱体、包含第三元素的第三前驱体以及包含第四元素的第四前驱体；以及加热所述第二混合物；其中，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：南周吾，张宰福，郑濬赫，金成在，李栋熙，李宅焌，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：