【技术实现步骤摘要】
一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及有机发光显示器像素电极结构的制备方法。
技术介绍
[0002]有机发光二极管（OLED）显示器件彩色化方案一般有两种，一种是子像素的直接彩色化，一种是通过白光加彩色过滤片的方式实现彩色。在微显示领域，一般采用不同透明微腔厚度的方式实现子像素直接彩色化。在制备微腔电极时，一般采用独立溅射RGB透明微腔层的方式，该方法通过控制溅射时间控制微腔层厚度，厚度控制精确，但步骤繁琐，成本偏高。若采用刻蚀的方法实现不同微腔层制备，由于刻蚀速率不稳定，容易造成加大厚度偏差，需要对刻蚀厚度精确控制。
技术实现思路
[0003]技术目的：针对现有技术中的问题，本专利技术提供了一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，以解决刻蚀速率不稳定造成厚度偏差大，精确控制较困难的问题。
[0004]技术方案：一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1，在OLED驱动电路的基板上形成反射金属层和第三透明微腔层，所述基板具有第一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在OLED驱动电路的基板上形成反射金属层和第三透明微腔层，所述基板具有第一像素区、第二像素区、第三像素区，三个像素区对应不同颜色的像素；基板具有像素区外的监测区域，所述监测区域包括第一刻蚀监测区、第二刻蚀监测区，第一刻蚀监测区、第二刻蚀监测区为面状区域；步骤2，通过光刻和刻蚀的方法在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成独立的像素电极；步骤3，通过图形化方式，采用不同刻蚀速率刻蚀像素区和对应的监测区，具体包括如下步骤：步骤31a，通过图形化的方式，采用光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜保护第一、第三像素区、第二刻蚀监测区，打开第二像素区，第一刻蚀监测区上的光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜；步骤32a，采用高刻蚀速率刻蚀第二像素区，第一刻蚀监测区的透明微腔层，高刻蚀速率设定时间后，取出整个基板测试第一刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到设定厚度，采用高刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至厚度达到第二像素区目标厚度的101%
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120%；步骤33a，使用低刻蚀速率刻蚀透明微腔层，低刻蚀速率设定时间后，取出测试第一刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到目标厚度，采用低刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至达到第二像素区目标厚度，得到实现目标厚度的第二透明微腔层，去除光刻胶或掩膜；步骤34a，通过图形化的方式，采用光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜保护第二、第三像素区、第一刻蚀监测区，打开第一像素区，第二刻蚀监测区上的光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜；步骤35a，使用高刻蚀速率刻蚀第一像素区，第二刻蚀监测区透明微腔层，高刻蚀速率设定时间后，取出测试第二刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到设定厚度，采用高刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至厚度达到第一像素区目标厚度101%
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120%；第一像素区目标厚度与第二像素区目标厚度不同；步骤36a，使用低刻蚀速率刻蚀透明微腔层，低刻蚀速率设定时间后，取出测试第二刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到目标厚度，采用低刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至达到第一像素区目标厚度；得到实现目标厚度的第一透明微腔层，去除光刻胶或掩膜，得到目标电极；至此，在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成不同厚度的第一透明微腔层、第二透明微腔层、第三透明微腔层。2.根据权利要求1所述的一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，其特征在于，步骤3采用如下步骤：步骤31b，通过图形化的方式，采用光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜保护第二、第三像素区、第一刻蚀监测区，打开第一像素区，第二刻蚀监测区上的光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜；步骤32b，采用高刻蚀速率刻蚀第一像素区，第二刻蚀监测区的透明微腔层，高刻蚀速率设定时间后，取出整个基板测试第二刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到设定厚度，采用高刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至厚度达到第一像素区目标厚度的101%
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【专利技术属性】
技术研发人员：张阳，杨建兵，陶最，汪世豪，王新军，
申请(专利权)人：南京国兆光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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