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低密度菊花状ZnO纳米线簇吸波材料及其制备方法技术

技术编号:3785129 阅读:280 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种低密度菊花状ZnO纳米线簇吸波材料及其制备方法,其制备过程如下:分别配制醋酸锌/掺杂剂溶液和氢氧化钠溶液,将氢氧化钠溶液缓慢滴入到醋酸锌/掺杂剂溶液中形成稳定的前驱体溶液,然后将其转移到反应釜中密封并在140℃~200℃下保温6~12h,反应结束后将所得产物用去离子水和无水乙醇反复洗涤,最后将产物在60℃下烘干即可。实验表明,该材料的密度为0.84~4.24G/cm↑[3],其形态为三维的菊花状纳米线簇,纳米线的长径比为1.46~13.89,含20wt%菊花状ZnO纳米线簇反射率测试样品在8.2GHz-18GHz频率范围内对电磁波的反射损耗峰值为-3.3~-18.5dB。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种吸波材料及其制备方法,特别涉及一种低密度菊花状 ZnO纳米线簇吸波材料及其制备方法。
技术介绍
ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料,集光、电、热、磁 等特性于一身,且具有无毒、很高的化学和热稳定性等优点,通常ZnO的 密度是5.61 g/cm3。研究表明,低密度菊花状ZnO纳米线簇吸波材料是一 种新型纳米吸波材料,由于具备独特的三维菊花状结构的ZnO纳米线簇很 容易形成空间导电网络,且纳米线间存在着较强的电磁耦合作用,以及纳 米材料的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应、和宏观量子隧道效应等 独有特性,为菊花状ZnO纳米线簇提供了丰富的吸波通道,因此,菊花状 ZnO纳米线紫表现出了优异的电磁波吸收性能。又由于三维的菊花状结构 使得ZnO基纳米线材料的密度大大地降低了,故菊花状ZnO纳米线簇较好 地满足了新型吸波材料"轻、薄、宽、强"的要求,可广泛应用于军事隐形、 电磁屏蔽、微波暗室、防电子信息泄露及防电磁干扰等领域。近年来,关于ZnO的制备及应用已经得到了广泛的研究。中国专利(CN 1673094A)公开了 一种三维菊花状ZnO纳米材料的水热合成法,但其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低密度菊花状ZnO纳米线簇吸波材料,其特征在于:该材料的基体材料为ZnO,掺杂元素为Sb或Al,Sb或Al与Zn的摩尔比为0~0.09∶1,材料形态为三维的菊花状纳米线簇,纳米线的直径为100~800nm,长度为5~10μm,该吸波材料的密度为0.84~4.24g/cm↑[3],在8.2~18GHz频率范围内对电磁波的反射损耗峰值为-3.3~-18.5dB; 上述材料通过下述方法制备得到: (1)分别配制醋酸锌,掺杂剂SbCl↓[3]、AlCl↓[3]或Al( NO↓[3])↓[3].9H↓[2]O,以及氢氧化钠水溶液; (2)将醋酸锌和掺杂剂溶液在10~20℃冷水浴...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张志勇闫军锋游天桂张龙赵武贠江妮
申请(专利权)人:西北大学
类型:发明
国别省市:87[中国|西安]

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