金属互连层结构的研磨方法技术

本发明专利技术提供一种金属互连层结构的研磨方法，提供衬底，衬底正面形成有金属互连层结构；提供设置于衬底附近的电涡流传感器，电涡流传感器用于在金属互连层结构中产生涡电流以及检测涡电流的大小；研磨金属互连层结构，根据涡电流的大小获取金属互连层结构的电阻值，研磨金属互连层结构至电阻值符合预设范围。本发明专利技术提出的金属互连层结构的研磨方法，能够减少前层刻蚀关键尺、沟槽等变化的影响，达到更好的电阻值控制。的电阻值控制。的电阻值控制。

【技术实现步骤摘要】
金属互连层结构的研磨方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种金属互连层结构的研磨方法。

技术介绍

[0002]自从专利技术了后段大马士革工艺，铜化学机械研磨(Cu CMP)工艺就一直用于后端铜互连制程，铜化学机械研磨后膜厚晶片到晶片(wafer to wafer，WTW)/单片小片内(within
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die，WID)的控制一直是技术难点，传统的铜化学机械研磨一般包含三步：第一步：在大块金属研磨步骤利用实时控制系统控制表面形貌和厚度；第二步：利用金属去除(metal clear)功能，实现研磨终点的自动控制，即研磨停止在阻挡层上；第三步：研磨去除掉防止铜迁移的阻挡层和一定量介质层和铜，通过APC(先进制程控制)反馈系统实现晶片到晶片(wafer to wafer)膜厚很好的控制，最终达到稳定的电阻需求。
[0003]然而随着工艺节点越来越小，对于晶片到晶片/单片小片内电阻需求都有了更高的需求，因此前层波动如刻蚀关键尺寸或沟槽深度对电阻的影响越来越明显，如果化学机械研磨单单控制膜厚不考虑前层影响势必会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属互连层结构的研磨方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底正面形成有金属互连层结构；提供设置于所述衬底附近的电涡流传感器，所述电涡流传感器用于在所述金属互连层结构中产生涡电流以及检测所述涡电流的大小；步骤二、研磨所述金属互连层结构，根据所述涡电流的大小获取所述金属互连层结构的电阻值，研磨所述金属互连层结构至所述电阻值符合预设范围。2.根据权利要求1所述的金属互连层结构的研磨方法，其特征在于：步骤一中的衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅衬底。3.根据权利要求1所述的金属互连层结构的研磨方法，其特征在于：步骤一中的所述金属层结构包括前层金属以及形成于前层金属上的层间介质层，所述层间介质层上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱绍佳，于明非，李虎，张健，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：