一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供第一衬底和第二衬底，第一衬底包括第一基底层、第一绝缘层和第一敏感膜层，第一敏感膜层中设置有第一压敏电阻，第二衬底包括第二基底层、第二绝缘层和第二敏感膜层，在第二敏感膜层中形成有空腔；将第二衬底与第一衬底相接合；对第二衬底进行减薄处理；在第二敏感膜层中形成第二压敏电阻；刻蚀第一衬底以形成背腔并露出第一敏感膜层。本发明专利技术的方法通过将不同量程的敏感膜层集成到单个芯片上，降低了生产成本，促进了多量程MEMS压力传感器的应用。量程MEMS压力传感器的应用。量程MEMS压力传感器的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置。

技术介绍

[0002]MEMS压力传感器是在MEMS工艺基础上发展起来的前沿研究领域，其适用于高冲击、高过载、导电、腐蚀、辐射等恶劣环境，并广泛应用于航空航天、电子、工业等领域。
[0003]MEMS压力传感器是能感受压力信号，并将压力信号转换成电信号的MEMS器件，如图1所示，常规的MEMS压力传感器包括：基底层100、绝缘层101、敏感膜层102、导线结构103、介电层104、空腔105、焊盘106、导电接触107、压敏电阻108和背腔109。然而该MEMS压力传感器只能实现单个固定量程的应用，在很多需要多量程的应用场景中会受到限制。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS压力传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括依次层叠的第一基底层、第一绝缘层和第一敏感膜层，在所述第一敏感膜层上设置有多个第一压敏电阻，所述第二衬底包括依次层叠的第二基底层、第二绝缘层和第二敏感膜层，在所述第二敏感膜层中形成有空腔；将所述第二衬底形成有所述空腔的一侧与所述第一衬底的第一敏感膜层的一侧相接合；对所述第二衬底进行减薄处理，以露出所述第二敏感膜层；在所述第二敏感膜层与所述空腔对应的部分区域上形成多个第二压敏电阻；刻蚀所述第一基底层和所述第一绝缘层，以形成背腔并露出所述第一敏感膜层，多个所述第一压敏电阻和所述背腔相对应，其中，与所述空腔对应的第二敏感膜层具有和所述背腔对应的所述第一敏感膜层不同的厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第二衬底形成有所述空腔的一侧与所述第一衬底的第一敏感膜层的一侧相接合之前，在所述第一敏感膜层和所述第一压敏电阻上覆盖有第一介电层，在所述第一介电层中形成有和所述第一压敏电阻电连接的第一导电结构，其中，形成所述第一介电层和所述第一导电结构的方法包括：在所述第一敏感膜层上覆盖第一介电材料层；形成贯穿所述第一介电材料层的第一接触孔，并在所述第一接触孔中填充金属以形成第一导电接触，其中，所述第一导电接触电连接所述第一压敏电阻；在所述第一介电材料层上形成第一焊盘，所述第一焊盘电连接所述第一导电接触，其中，所述第一导电结构包括所述第一导电接触和与所述第一导电接触电连接的所述第一焊盘；形成第二介电材料层覆盖所述第一介电材料层和所述第一焊盘，并对所述第二介电材料层进行平坦化，其中，所述第一介电层包括所述第一介电材料层和所述第二介电材料层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成多个所述第二压敏电阻之后，刻蚀所述第一基底层和所述第一绝缘层之前，所述方法还包括：形成第二介电层覆盖所述第二敏感膜层和所述第二压敏电阻；形成与所述第二压敏电阻电连接的第二导电结构，所述第二导电结构贯穿所述第二介电层并覆盖部分所述第二介电层的表面；在所述空腔的外侧形成通孔，并在所述通孔的底部和侧壁、以及所述第二介电层的部分表面形成再布线层，所述再布线层电连接所述第一导电结构，所述通孔底部露出所述第一焊盘，且所述再布线层与所述第一焊盘的表面接触而电连接。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减薄处理包括依次去除所述第二基底层和所述第二绝缘层的步骤。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成与所述第二压敏电阻电连接的第二导电结构，所述第二导电结构贯穿所述第二介电层并覆盖部分所述第二介电层的表面，包括：刻蚀所述第二介电层以形成第二接触孔，在所述接触孔中填充金属以形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊力，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：