半导体开关触发装置制造方法及图纸

本申请提供的一种半导体开关触发装置，通过光脉冲激发电路激发脉冲信号，脉冲电流形成电路，上位机控制所述供电电路的输出不同的电压，以使所述脉冲电流形成电路能够输出不同的脉冲电流，从而能够实现脉冲电流可调。从而能够实现脉冲电流可调。从而能够实现脉冲电流可调。

【技术实现步骤摘要】
半导体开关触发装置


[0001]本申请涉及半导体开关
，特别地涉及一种半导体开关触发装置。

技术介绍

[0002]在脉冲功率领域的脉冲电源形成网络系统中，有多个元件组成，脉冲电容器、大功率空心电感、半导体开关组件、半导体开关触发装置、电阻等电气元件，脉冲电容器存储的电能需要瞬间快速释放，达到极大的瞬时脉冲功率目的；半导体开关触发装置起到控制半导体开关组件开通和关断等作用。由于半导体开关组有多个单体开关串并联来实现在高电压环境下工作要求，这对每片开关的同步性要求极高，延时误差要求在纳秒级，若单体开关开通不一致，很容易造成开关的损坏。由于很多片开关串联，而每片开关电压高达几千伏，就要求半导体开关触发装置工作时处于很高电位，这就要求半导体开关触发装置对每路输出的脉冲电流具有高压隔离，目前半导体开关触发装置触发半导体开关多路串并联组件时，导体开关门级输入脉冲电流为固定值，不可调，导致固定的脉冲电流偏大则会烧毁半导开关门极造成损坏，固定的脉冲电流偏小则会影响半导体开关导通的同步性和不完全性，造成器损坏。

技术实现思路

[0003]针对上述相关技术中的问题本申请提供一种半导体开关触发装置。
[0004]本申请提供了一种半导体开关触发装置，所述方法包括：
[0005]上位机；
[0006]光脉冲激发电路，与所述上位机通信连接，用于基于所述上位机的控制激发脉冲信号；
[0007]脉冲电流形成电路，与所述光脉冲激发电路连接，用于基于所述脉冲信号生成脉冲电流，并将所述脉冲电流输出至半导体开关，以对所述半导体开关进行控制；
[0008]供电电路，与所述脉冲电流形成电路和所述上位机连接，所述供电电流用于给所述脉冲电流形成电路供电，其中，所述上位机能够控制所述供电电路的输出不同的电压，以使所述脉冲电流形成电路能够输出不同的脉冲电流。
[0009]在一些实施例中，还包括：
[0010]检测电路，与所述脉冲电流形成电路连接，且与所述上位机连接，用于检测脉冲电流，所述上位机还用于基于目标脉冲电流和所述脉冲电流调整所述供电电路的输出电压，以使所述脉冲电流形成电路输出所述目标脉冲电流。
[0011]在一些实施例中，不同的脉冲电流包括：脉冲电流的大小不同、脉冲电流的脉宽不同。
[0012]在一些实施例中，所述半导体开关触发装置还包括：
[0013]高压隔离电路，设置在所述供电电路与所述脉冲电流形成电路之间，用于隔离所述脉冲电流形成电路与输出端高压电路。
[0014]在一些实施例中，所述半导体开关触发装置还包括：
[0015]时序控制电路，用于调节所述脉冲电流形成电路的输出时序。
[0016]在一些实施例中，所述半导体开关触发装置还包括：
[0017]光网转换单元，所述高压隔离电路通过光网转换单元与上位机通信连接，所述检测电路通过所述光网转换单元与上位机通信连接。
[0018]在一些实施例中，所述半导体开关触发装置还包括：
[0019]金属绝缘盒，其中，所述时序控制电路、光网转换单元和光脉冲激发电路设置在第一电路板上，所述所述第一电路板设置在所述金属绝缘盒内，所述金属绝缘盒上设有第一接口，第一接口至少与所述光脉冲激发电路连接；
[0020]金属屏蔽盒，所述检测电路、所述高压隔离电路和脉冲电流形成电路设置在第二电路板上，所述第二电路板设置在所述金属屏蔽盒内，所述金属屏蔽盒上设有第二接口，所述第二接口与所述脉冲电流形成电路连接，所述第一接口和所述第二接口连接。
[0021]在一些实施例中，所述金属屏蔽盒的外表面设有绝缘涂层，所述金属屏蔽盒的内表面设有导电涂层，所述金属屏蔽盒采用铝合金制成。
[0022]在一些实施例中，所述第二接口和所述第一接口为光电连接器。
[0023]在一些实施例中，所述金属屏蔽盒上设有多个脉冲电流输出端子，所述脉冲电流输出端子与所述脉冲形成电路连接，每个脉冲电流输出端子之间绝缘。
[0024]本申请提供的一种半导体开关触发装置，通过光脉冲激发电路激发脉冲信号，脉冲电流形成电路，上位机控制所述供电电路的输出不同的电压，以使所述脉冲电流形成电路能够输出不同的脉冲电流，从而能够实现脉冲电流可调。
附图说明
[0025]在下文中将基于实施例并参考附图来对本申请进行更详细的描述。
[0026]图1为本申请实施例提供的一种半导体开关触发装置的结构示意图；
[0027]在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
[0028]为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，所描述的实施例不应视为对本申请的限制，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0029]在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。
[0030]如果申请文件中出现“第一\第二\第三”的类似描述则增加以下的说明，在以下的描述中，所涉及的术语“第一\第二\第三”仅仅是是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本申请实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
[0031]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，
不是旨在限制本申请。
[0032]基于相关技术中存在的问题，本申请实施例提供一种半导体开关触发装置，图1为本申请实施例提供的一种半导体开关触发装置的结构示意图，如图1所示，包括：上位机；光脉冲激发电路，与所述上位机通信连接，用于基于所述上位机的控制激发脉冲信号；脉冲电流形成电路，与所述光脉冲激发电路连接，用于基于所述脉冲信号生成脉冲电流，并将所述脉冲电流输出至半导体开关，以对所述半导体开关进行控制；供电电路，与所述脉冲电流形成电路和所述上位机连接，所述供电电流用于给所述脉冲电流形成电路供电，其中，所述上位机能够控制所述供电电路的输出不同的电压，以使所述脉冲电流形成电路能够输出不同的脉冲电流。
[0033]本申请实施例中，光脉冲激发电路可以发出脉冲信号，波长可以是850nm。
[0034]本申请实施例中，所述脉冲电流形成电路可以输出多组隔离后的脉冲电流。
[0035]所述不同的脉冲电流可以是：脉冲电流的大小不同、脉冲电流的脉宽不同。输出不同的电压可以是不同频率来输出不同的电压、不同电压大小等。
[0036]本申请提供的一种半导体开关触发装置，通过光脉冲激发电路激发脉冲信号，脉冲电流形成电路，上位机控制所述供电电路的输出不同的电压，以使所述脉冲电流形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体开关触发装置，其特征在于，包括：上位机；光脉冲激发电路，与所述上位机通信连接，用于基于所述上位机的控制激发脉冲信号；脉冲电流形成电路，与所述光脉冲激发电路连接，用于基于所述脉冲信号生成脉冲电流，并将所述脉冲电流输出至半导体开关，以对所述半导体开关进行控制；供电电路，与所述脉冲电流形成电路和所述上位机连接，所述供电电流用于给所述脉冲电流形成电路供电，其中，所述上位机能够控制所述供电电路的输出不同的电压，以使所述脉冲电流形成电路能够输出不同的脉冲电流。2.根据权利要求1所述的半导体开关触发装置，其特征在于，还包括：检测电路，与所述脉冲电流形成电路连接，且与所述上位机连接，用于检测脉冲电流，所述上位机还用于基于目标脉冲电流和所述脉冲电流调整所述供电电路的输出电压，以使所述脉冲电流形成电路输出所述目标脉冲电流。3.根据权利要求1所述的半导体开关触发装置，不同的脉冲电流包括：脉冲电流的大小不同、脉冲电流的脉宽不同。4.根据权利要求2所述的半导体开关触发装置，其特征在于，所述半导体开关触发装置还包括：高压隔离电路，设置在所述脉冲电流形成电路与输出端高压电路之间，用于隔离所述脉冲电流形成电路与输出端高压电路。5.根据权利要求4所述的半导体开关触发装置，其特征在于，所述半导体开关触发装置还包括：时序控制电路，用于调节所述脉冲电流形成电路的输出时...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭军华，操国宏，曾文彬，张西应，金新亚，张志豪，刘栋，高超，窦金龙，唐柳生，刘应，文鼎，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：