半导体继电器模块制造技术

半导体继电器模块具备第一半导体继电器、第二半导体继电器、从壳体露出的第一～第三输入端子、第一输出端子以及第二输出端子。第一半导体继电器具有第一光耦合部和第一开关部，第二半导体继电器具有第二光耦合部和第二开关部。第一开关部与第二开关部由输出连接线连接，第三输入端子与输入连接线连接，输入连接线和输出连接线被壳体覆盖。线和输出连接线被壳体覆盖。线和输出连接线被壳体覆盖。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体继电器模块


[0001]本公开涉及一种半导体继电器模块。

技术介绍

[0002]以往，已知一种半导体继电器，该半导体继电器在输入部使用光电耦合器来将输入输出之间绝缘，同时基于被输入到输入端子的输入信号来切换输出端子间的闭合断开状态。
[0003]例如，在专利文献1中公开了一种半导体继电器模块，该半导体继电器模块针对1个发光元件各设置有2组受光器件和输出电路，其中，该输出电路由栅极充放电电路和MOS型场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；以下称为MOSFET)构成。
[0004]在专利文献2中公开了一种在1个封装体中集成有2组半导体继电器的半导体继电器模块。在每个半导体继电器中，各设置1个所述的发光元件、受光器件以及输出电路。另外，半导体继电器模块具备一对输出端子和从每个输出电路的连接点引出到封装体的外部的共用外部输入端子。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开平07
‑
046109号公报。
[0008]专利文献2：日本特开2002
‑
185033号公报

技术实现思路

[0009]但是，在专利文献1所公开的现有结构中，由于从发光元件输出的光信号分别被输入到2个受光器件，因此例如难以对2组输出电路分别单独进行检查。
[0010]另一方面，根据专利文献2所公开的结构，能够进行这样的单独检查。但是，由于在一对输出端子之间设置有共用外部输入端子来作为检查用端子，因此存在无法确保输出端子间的绝缘距离的问题。在该情况下，难以在半导体继电器模块为断开状态的情况下提高输出端子间的耐压。
[0011]本公开所涉及的半导体继电器模块具备：第一半导体继电器；第二半导体继电器；覆盖了所述第一半导体继电器和所述第二半导体继电器的壳体；从所述壳体露出的第一输入端子；从所述壳体露出的第二输入端子；从所述壳体露出的第一输出端子；从所述壳体露出的第二输出端子；从所述壳体露出的第三输入端子；被所述壳体覆盖的输入连接线；以及被所述壳体覆盖的输出连接线，其中，所述第一半导体继电器具有：第一光耦合部，其具有第一发光元件和接收所述第一发光元件的光信号的第一受光器件；以及第一开关部，其具有第一MOS型场效应晶体管(MOSFET)，所述第一MOS型场效应晶体管根据所述第一受光器件的输出信号将所述第一半导体继电器的第一输出端与所述第一半导体继电器的第二输出端之间闭合断开，所述第二半导体继电器具有：第二光耦合部，其具有第二发光元件和接收
所述第二发光元件的光信号的第二受光器件；以及第二开关部，其具有第二MOSFET，所述第二MOSFET根据所述第二受光器件的输出信号将所述第二半导体继电器的第一输出端与所述第二半导体继电器的第二输出端之间闭合断开，所述第一输入端子与所述第一发光元件的阳极连接，所述第二输入端子与所述第二发光元件的阴极连接，所述第一半导体继电器的所述第一发光元件的阴极与所述第二半导体继电器的所述第二发光元件的阳极经由所述输入连接线连接，所述第一输出端子与所述第一半导体继电器的所述第一输出端连接，所述第二输出端子与所述第二半导体继电器的所述第二输出端连接，所述第一半导体继电器的所述第二输出端与所述第二半导体继电器的所述第一输出端经由所述输出连接线连接，所述第三输入端子与所述输入连接线连接。
[0012]根据本公开，能够分别独立地检查多个半导体继电器，并且能够实现输出端子间的高耐压化。
附图说明
[0013]图1A是实施方式1所涉及的半导体继电器模块的立体图。
[0014]图1B是实施方式1所涉及的半导体继电器模块的俯视图。
[0015]图1C是实施方式1所涉及的半导体继电器模块的侧视图。
[0016]图2是实施方式1所涉及的半导体继电器模块的电路图。
[0017]图3A是检查第一半导体继电器的情况下的半导体继电器模块的俯视图。
[0018]图3B是检查第二半导体继电器的情况下的半导体继电器模块的俯视图。
[0019]图4是示出半导体继电器模块的制造工序的一部分的图。
[0020]图5是示出半导体继电器模块的其它制造工序的一部分的图。
[0021]图6是经过图5所示的工序而制造出的半导体继电器模块的俯视图。
[0022]图7是用于比较的半导体继电器模块的电路图。
[0023]图8是变形例1所涉及的半导体继电器模块的俯视图。
[0024]图9是变形例2所涉及的半导体继电器模块的俯视图。
[0025]图10A是变形例3所涉及的半导体继电器模块的立体图。
[0026]图10B是变形例3所涉及的半导体继电器模块的俯视图。
[0027]图11是实施方式2所涉及的半导体继电器模块的俯视图。
[0028]图12是变形例4所涉及的半导体继电器模块的俯视图。
[0029]图13是变形例5所涉及的半导体继电器模块的电路图。
具体实施方式
[0030]下面，基于附图来详细地说明本公开的实施方式。以下对优选实施方式的说明在本质上只不过是例示，全然不是旨在限制本专利技术、其适用物或其用途。
[0031](实施方式1)
[0032][半导体继电器模块的结构和动作][0033]图1A示出实施方式1所涉及的半导体继电器模块1000的立体图，图1B示出实施方式1所涉及的半导体继电器模块1000的俯视图，图1C示出从实施方式1所涉及的半导体继电器模块1000的输出端子侧观察到的侧视图。图2示出半导体继电器模块1000的电路图。此
外，为了便于说明，在图1A～图1C中用虚线示出了壳体500、第一透光部521以及第二透光部522各自的轮廓。另外，在图1C中省略了金属线600的图示。
[0034]另外，在之后的说明中，有时将第一～第四输入端子310、320、330、340的排列方向称为Y方向(第一方向)，将第一光耦合部110和第一开关部150的排列方向以及第二光耦合部210和第二开关部250的排列方向称为X方向(第二方向)，将与Y方向及X方向这两个方向交叉的方向称为Z方向(第三方向)。在X方向上，有时将配置有第一～第四输入端子310、320、330、340的一侧称为左或左侧，将配置有第一输出端子410和第二输出端子420的一侧称为右或右侧。在Z方向上，有时将配置有第一LED(Light Emitting Diode：发光二极管)120和第二LED 220的一侧称为上或上侧或上方，将配置有第一受光器件130和第二受光器件230的一侧称为下或下侧或下方。
[0035]如图1A～1C所示，半导体继电器模块1000具备第一半导体继电器100、第二半导体继电器200、壳体500、第一～第四输入端子310、320、330、340、第一输出端子410以及第二输出端子420。
[0036]如图2所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体继电器模块，具备：第一半导体继电器；第二半导体继电器；覆盖了所述第一半导体继电器和所述第二半导体继电器的壳体；从所述壳体露出的第一输入端子；从所述壳体露出的第二输入端子；从所述壳体露出的第一输出端子；从所述壳体露出的第二输出端子；从所述壳体露出的第三输入端子；被所述壳体覆盖的输入连接线；以及被所述壳体覆盖的输出连接线，其中，所述第一半导体继电器具有：第一光耦合部，其具有第一发光元件和接收所述第一发光元件的光信号的第一受光器件；以及第一开关部，其具有第一MOS型场效应晶体管即第一MOSFET，所述第一MOSFET根据所述第一受光器件的输出信号将所述第一半导体继电器的第一输出端与所述第一半导体继电器的第二输出端之间闭合断开，所述第二半导体继电器具有：第二光耦合部，其具有第二发光元件和接收所述第二发光元件的光信号的第二受光器件；以及第二开关部，其具有第二MOS型场效应晶体管即第二MOSFET，所述第二MOSFET根据所述第二受光器件的输出信号将所述第二半导体继电器的第一输出端与所述第二半导体继电器的第二输出端之间闭合断开，所述第一输入端子与所述第一发光元件的阳极连接，所述第二输入端子与所述第二发光元件的阴极连接，所述第一半导体继电器的所述第一发光元件的阴极与所述第二半导体继电器的所述第二发光元件的阳极经由所述输入连接线连接，所述第一输出端子与所述第一半导体继电器的所述第一输出端连接，所述第二输出端子与所述第二半导体继电器的所述第二输出端连接，所述第一半导体继电器的所述第二输出端与所述第二半导体继电器的所述第一输出端经由所述输出连接线连接，所述第三输入端子与所述输入连接线连接。2.根据权利要求1所述的半导体继电器模块，其特征在于，还具备遮光部，所述遮光部用于遮蔽从所述第一发光元件发出的所述光信号和从所述第二发光元件发出的所述光信号，所述遮光部由遮光性树脂形成，所述遮光部配置在所述第一半导体继电器的所述第一光耦合部与所述第二半导体继电器的所述第二光耦合部之间。3.根据权利要求1或2所述的半导体继电器模块，其特征在于，所述输出连接线全部被所述壳体覆盖。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体继电器模块，其特征在于，所述第一半导体继电器和所述第二半导体继电器并排地配置，
所述输出连接线以从设置在所述第一光耦合部的第一透光部及设置在所述第二光耦合部的第二透光部分离的方式，与所述第一半导体继电器及所述第二半导体继电器相邻地配置。5.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体继电器模块，其特征在于，所述第一半导体继电器和所述第二半导体继电器并排地配置，所述输入连接线以从设置在所述第一光耦合部的第一透光部及设置在所述第二光耦合部的第二透光部分离的方式，与所述第一半导体继电器及所述第二半导体继电器相邻地配置。6.根据权利要求4或5所述的半导体继电器模块，其特征在于，在所述输入连接线与所述输出连接线之间配置所述第一半导体继电器和所述第二半导体继电器。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体继电器模块，其特征在于，所述第一半导体继电器还具有第三MOS型场效应晶体管即第三MOSFET，所述第二半导体继电器还具有第四MOS型场效应晶体管即第四MOSFET，所述第一MOSFET和所述第三MOSFET中的至少一方与所述第二MOSFET和所述第四MOSFET中的至少一方以源极和漏极的排列方向相同的方式配置。8.根据权利要求7所述的半导体继电器模块，其特征在于，所述第一MOSFET与所述第三MOSFET以串联的方式电连接，所述第一MOSFET的源极与所述第三MOSFET的源极相互电连接，所述第二MOSFET与所述第四MOSFET以串联的方式电连接，所述第二MOSFET的源极与所述第四MOSFET的源极相互电连接。9.根据权利要求7或...

【专利技术属性】
技术研发人员：北原大祐，牛山直树，高真祐，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：