存储管理方法、存储装置及嵌入式芯片制造方法及图纸

本申请公开一种存储管理方法，其中存储装置的存储区包括多个单元存储页，将多个单元存储页分为第一存储区，第二存储区和第三存储区；将第一数据写入第一存储区，第一数据为长度固定的数据；将第二数据写入第二存储区，第二数据为长度可变的数据；将第三数据写入第三存储区，第三数据用于指示无效数据的目标位置；在存储区的可用存储小于第一阈值的时候，根据第三数据对多个单元存储页执行第一程序化指令。本申请的存储管理方法可以减少对存储装置的频繁擦写以延长其使用寿命。装置的频繁擦写以延长其使用寿命。装置的频繁擦写以延长其使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
存储管理方法、存储装置及嵌入式芯片


[0001]本申请涉及嵌入式芯片的存储管理，特别涉及一种存储管理方法和存储装置，以及采用该存储装置的嵌入式芯片。

技术介绍

[0002]嵌入式芯片是用于实现特定功能的专用芯片，广泛存在于各种电子产品中。存储装置则是嵌入式芯片中必不可少的组成部分，其中系统需要非易失性存储装置来存储大量的数据，而Flash(闪存)由于存储速度、空间、价格、技术成熟度等因素已成为设计嵌入式芯片时常用的选择。
[0003]Flash由于写入前先擦除的特性，在不进行存储管理的情况下很容易造成部分存储区域频繁擦写过度磨损而影响整个存储装置的寿命。但是嵌入式芯片由于芯片本身规格的限制，具有的存储区域通常比较小，在常规存储装置中用来进行存储管理的文件系统由于需要占用大量的存储区域而无法直接应用到嵌入式芯片上。出于规划存储区域和保护存储装置的需求，需要设计一种可在嵌入式芯片上使用的存储管理方法。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的之一在于提供一种存储管理方法，以解决嵌入式芯片中的存储管理问题，实现对存储区域的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储管理方法，应用于存储装置，其特征在于，包括:所述存储装置的存储区包括多个单元存储页，将所述多个单元存储页分为第一存储区，第二存储区和第三存储区；将所述第一数据写入所述第一存储区，所述第一数据为长度固定的数据；将所述第二数据写入所述第二存储区，所述第二数据为长度可变的数据；将所述第三数据写入所述第三存储区，所述第三数据用于指示无效数据的目标位置；在所述存储区的可用存储小于第一阈值的时候，根据所述第三数据对所述多个单元存储页执行第一程序化指令。2.根据权利要求1所述的存储管理方法，其特征在于，所述第一存储区和/或所述第二存储区包括多个连续的单元存储页，所述第三存储区包括至少一个单元存储页，所述第一存储区、所述第二存储区、所述第三存储区所包括的单元存储页互相独立。3.根据权利要求1的存储管理方法，其特征在于，所述将所述第三数据写入所述第三存储区，包括：响应于第二程序化指令，将第一目标数据标记为无效数据，所述第一目标数据为所述第二程序化指令中的执行地址对应的数据；根据所述无效数据的数据类型、偏移地址和数据长度生成所述第三数据，将所述第三数据写入所述第三存储区，其中所述数据类型指示所述无效数据属于第一数据或第二数据，所述偏移地址指示所述无效数据所在单元存储页的地址，所述数据长度指示所述无效数据的长度。4.根据权利要求3所述的存储管理方法，其特征在于，所述响应于第二程序化指令，将第一目标数据标记为无效数据还包括：根据所述第二程序化指令中的执行地址找到所述第一目标数据，将所述第一目标数据读取到缓存中，将所述存储区内的所述第一目标数据标记为无效数据，根据所述的第二程序化指令的修改请求对所述缓存中的所述第一目标数据进行修改，并将所述修改后的第一目标数据写入所述存储区的未写入区域。5.根据权利要求1所述的存储管理方法，其特征在于，所述在所述存储区的可用存储小于第一阈值时，包括：在所述第一存储区，第二存储区和第三存储区中任一个的可用存储小于第一阈值之时。6.根据权利要求1
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5任意一项所述的存储管理方法，其特征在于，所述第三存储区、所述第二存储区和所述第一存储区依次位于从低到高的地址区间。7.根据权利要求6所述的存储管理方法，其特征在于，所述根据所述第三数据对所述多个单元存储页执行第一程序化指令包括：申请一个容量不小于所述存储区容量的缓存；初始化查找地址为所述第二存储区的起始地址，根据所述第三数据将所述第二存储区内的有效数据读取到缓存中，所述有效数据为所述第二存储区内未被标记为无效数据的第二数...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾立程，詹伟钦，
申请(专利权)人：杭州菲数科技有限公司，
类型：发明
国别省市：