微控制系统执行方法、系统、电子设备及介质技术方案

本申请涉及一种微控制系统执行方法、系统、电子设备及介质，其中，该微控制系统执行方法包括：微控制系统复位后，缓存模块从存储介质中加载数据至SRAM，在加载过程中，在内核取指的情况下，该缓存模块释放对该存储介质的控制权；在内核取指的过程中，内核确定待访问的地址是否被加载至SRAM，若是，内核从SRAM中获取数据；缓存模块在释放对该存储介质的控制权之后，确定该内核取指是否结束，若是，缓存模块恢复对存储介质的控制权，从而减小了启动等待时间，解决了微控制系统的执行效率较低的问题，提高了微控制系统的执行效率。提高了微控制系统的执行效率。提高了微控制系统的执行效率。

【技术实现步骤摘要】
微控制系统执行方法、系统、电子设备及介质


[0001]本申请涉及微控制系统
，特别是涉及一种微控制系统执行方法、系统、电子设备及介质。

技术介绍

[0002]随着微控制系统在工业中的应用越来越广泛，对单片机(Microcontroller Unit，简称MCU)等的微控制系统的功能需求也逐渐转变为对性能的需求，所有的MCU都有着相近似的性能指标需求，执行速度和启动速度是两个衡量MCU性能的关键指标，如何提高这两项指标对提高MCU性能十分重要。并且，微控制系统中的取指令操作所花费的时间对整个系统的执行效率影响较大，当程序保存在flash等非易失性存储介质中时执行效率问题便会更加突出。
[0003]目前微控制系统的执行效率较低，现有技术对其改进方式是，通过在系统中增加一组专用静态随机存取存储器(Static Random
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Access Memory，简称SRAM)的方式来提高系统的执行效率，每次系统复位后先挂起内核，随后自动从存储介质中加载需要频繁访问且不需要频繁擦写的数据到专用的SRAM中，在系统启动后会根据地址本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微控制系统执行方法，其特征在于，所述方法包括：微控制系统复位后，缓存模块从存储介质中加载数据至SRAM，在加载过程中，在内核取指的情况下，所述缓存模块释放对所述存储介质的控制权；在内核取指的过程中，内核确定待访问的地址是否被加载至SRAM，若是，所述内核从SRAM中获取数据；所述缓存模块在释放对所述存储介质的控制权之后，确定所述内核取指是否结束，若是，所述缓存模块恢复对所述存储介质的控制权。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在内核占有所述存储介质的控制权的情况下，所述缓存模块确定内核正在访问的地址是否在待加载的数据地址范围内；若是，所述缓存模块加载内核读取的数据至SRAM中。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述内核取指结束的情况下，所述缓存模块确定内核最后访问的地址，得到第一地址；在所述第一地址在待加载的数据地址范围内的情况下，所述缓存模块根据所述第一地址加载数据至SRAM中；在所述第一地址超出待加载的数据地址范围内的情况下，所述缓存模块确定最近一次被内核取指打断时正在访问的地址，得到第二地址；所述缓存模块根据所述第二地址加载数据至SRAM中。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓存模块加载数据至SRAM，过程包括：所述缓存模块根据预配置的加载数据的大小，从存储介质中加载数据至SRAM。5.一种微控制系统执行系统，其特征在于，所述系统包括缓存模块和内核；微控制系统复位后，所述缓存模块从存储介质中加载数据至SRAM，在加载过程中，在内核取指的情况下，所述缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：任阳，何杰，谭年熊，
申请(专利权)人：杭州万高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：