一种固态硬盘性能优化方法、装置以及介质制造方法及图纸

本申请公开了一种固态硬盘性能优化方法、装置以及介质，通过获取所有可用块的平均擦写次数；调用偏转电压表，根据平均擦写次数确认对应的偏转电压索引值；根据偏转电压索引值设置偏转电压。相对于当前技术中，为获取块的真实的擦写次数而频繁的访问DDR会造成性能的下降，采用本技术方案，使用随机访问存储器中记录的块的平均擦写次数替代真实的擦写次数，根据平均擦写次数设置相应的偏转电压，从而不用再访问DDR，以减少DDR访问对读操作的影响。并且，当前技术中在各块的擦写次数趋于对应的偏转电压时需要反复设置偏转电压，采用本技术方案，由于平均擦写次数为固定值，在擦写次数趋于边界值时也无需反复设置偏转电压，提高随机读的性能。读的性能。读的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种固态硬盘性能优化方法、装置以及介质


[0001]本申请涉及固态硬盘领域，特别是涉及一种固态硬盘性能优化方法、装置以及介质。

技术介绍

[0002]在大数据时代，海量数据的存储位于越来重要的地位，在CPU等计算部件速率越来越高的同时，数据的存储与读取速率一直为系统瓶颈。目前随着NAND价格逐渐下降，固态硬盘的使用数量也逐年上升。
[0003]不同于传统硬盘，固态硬盘的存储单元为NAND。NAND基本的操作为读写擦，由于NAND的基本特性导致其在擦写一定次数之后，会变的不稳定。为正常读出其中的数据，需要设定的一定的偏转电压。偏转电压根据擦写次数的不同而不同，一般以1000次擦写为一组。由于固态硬盘固件的原因导致所有的Block并不能做到擦写次数完全一致，一般允许有最大200的偏差。
[0004]为获取Block的真实的擦写次数，在读操作之前需要读取DDR，获取Block Info，从而获取此物理Block的真实的擦写次数。由于DDR对比于CPU而言属于慢速设备，频繁的访问DDR会造成性能的下降。
[0005]同时在此1000*N的擦写边界上会造成不同的Block使用不同的偏转电压，从而造成处于1000*N的Block使用偏转电压A，处于1000*(N+1)的Block使用偏转电压B，如果两个偏转电压的轮流使用会造成每次读操作都需要重新设置偏转电压，进一步的影响读操作的性能。
[0006]由此可见，如何在设置偏转电压时，避免频繁访问DDR而造成性能的下降是本领域技术人员亟待解决的问题。<br/>
技术实现思路

[0007]本申请的目的是提供一种固态硬盘性能优化方法、装置以及介质，以在设置偏转电压时，避免频繁访问DDR而造成性能的下降。
[0008]为解决上述技术问题，本申请提供一种固态硬盘性能优化方法，包括：
[0009]获取所有可用块的平均擦写次数；
[0010]调用偏转电压表，根据所述平均擦写次数确认对应的偏转电压索引值；
[0011]根据所述偏转电压索引值设置偏转电压。
[0012]优选的，还包括：
[0013]限制所有块的擦写次数最大差值不超过设定值。
[0014]优选的，还包括：
[0015]在检测到存在块的擦写次数最大差值超出设定值的情况下，发送提示信息。
[0016]优选的，所述限制所有块的擦写次数最大差值不超过设定值为：
[0017]设置磨损均衡单元以限制所有可用块的擦写次数最大差值不超过设定值。
[0018]优选的，还包括：
[0019]若连续设置的预设个数的所述偏转电压均不相同，则发送告警信息。
[0020]优选的，所述获取所有可用块的平均擦写次数为：
[0021]获取随机访问存储器中记录的块的平均擦写次数。
[0022]优选的，还包括：
[0023]在所述平均擦写次数超出阈值的情况下，发送告警信息。
[0024]为解决上述技术问题，本申请还提供一种固态硬盘性能优化装置，包括：
[0025]获取模块，用于获取所有可用块的平均擦写次数；
[0026]确认模块，用于调用偏转电压表，根据所述平均擦写次数确认对应的偏转电压索引值；
[0027]设置模块，用于根据所述偏转电压索引值设置偏转电压。
[0028]为解决上述技术问题，本申请还提供另一种固态硬盘性能优化装置，包括存储器，用于存储计算机程序；
[0029]处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述的固态硬盘性能优化方法的步骤。
[0030]为解决上述技术问题，本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的固态硬盘性能优化方法的步骤。
[0031]本申请所提供的固态硬盘性能优化方法，通过获取所有可用块的平均擦写次数；调用偏转电压表，根据平均擦写次数确认对应的偏转电压索引值；根据偏转电压索引值设置偏转电压。相对于当前技术中，为获取块的真实的擦写次数而频繁的访问DDR会造成性能的下降，采用本技术方案，使用随机访问存储器中记录的块的平均擦写次数替代真实的擦写次数，根据平均擦写次数设置相应的偏转电压，从而不用再访问DDR，以减少DDR访问对读操作的影响。并且，当前技术中在各块的擦写次数趋于对应的偏转电压时需要反复设置偏转电压，采用本技术方案，由于平均擦写次数为固定值，在擦写次数趋于边界值时也无需反复设置偏转电压，提高随机读的性能。
[0032]本申请所提供的固态硬盘性能优化装置以及介质，通过获取所有可用块的平均擦写次数；调用偏转电压表，根据平均擦写次数确认对应的偏转电压索引值；根据偏转电压索引值设置偏转电压。相对于当前技术中，为获取块的真实的擦写次数而频繁的访问DDR会造成性能的下降，采用本技术方案，使用随机访问存储器中记录的块的平均擦写次数替代真实的擦写次数，根据平均擦写次数设置相应的偏转电压，从而不用再访问DDR，以减少DDR访问对读操作的影响。并且，当前技术中在各块的擦写次数趋于对应的偏转电压时需要反复设置偏转电压，采用本技术方案，由于平均擦写次数为固定值，在擦写次数趋于边界值时也无需反复设置偏转电压，提高随机读的性能。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1为本申请实施例提供的一种固态硬盘性能优化方法的流程图；
[0035]图2为本申请实施例提供的一种固态硬盘性能优化装置的结构图；
[0036]图3为本申请实施例提供的另一种固态硬盘性能优化装置的结构图。
具体实施方式
[0037]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护范围。
[0038]在大数据时代，海量数据的存储位于越来重要的地位，在CPU等计算部件速率越来越高的同时，数据的存储与读取速率一直为系统瓶颈。目前随着NAND价格逐渐下降，固态硬盘的使用数量也逐年上升。
[0039]不同于传统硬盘，固态硬盘的存储单元为NAND。NAND基本的操作为读写擦，由于NAND的基本特性导致其在擦写一定次数之后，会变的不稳定。为正常读出其中的数据，需要设定的一定的偏转电压。偏转电压根据擦写次数的不同而不同，一般以1000次擦写为一组。由于固态硬盘固件的原因导致所有的Block并不能做到擦写次数完全一致，一般允许有最大200的偏差。
[0040]为获取Block的真实的擦写次数，在读操作之前需要读取DDR，获取Block Info，从而获取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种固态硬盘性能优化方法，其特征在于，包括：获取所有可用块的平均擦写次数；调用偏转电压表，根据所述平均擦写次数确认对应的偏转电压索引值；根据所述偏转电压索引值设置偏转电压。2.根据权利要求1所述的固态硬盘性能优化方法，其特征在于，还包括：限制所有块的擦写次数最大差值不超过设定值。3.根据权利要求1所述的固态硬盘性能优化方法，其特征在于，还包括：在检测到存在块的擦写次数最大差值超出设定值的情况下，发送提示信息。4.根据权利要求2所述的固态硬盘性能优化方法，其特征在于，所述限制所有块的擦写次数最大差值不超过设定值为：设置磨损均衡单元以限制所有可用块的擦写次数最大差值不超过设定值。5.根据权利要求1所述的固态硬盘性能优化方法，其特征在于，还包括：若连续设置的预设个数的所述偏转电压均不相同，则发送告警信息。6.根据权利要求1至5任意一项所述的固态硬盘性能优化方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵文豪，苏军，钱翔，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：