一种甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于钙钛矿显示技术领域，具体涉及一种甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜及其制备方法和应用。本发明专利技术通过对现有的原位合成方法进行改进，实现甲脒基钙钛矿在高分子复合物PVDF中的均匀成膜。具体地，选用与甲脒基钙钛矿适配的有机聚合物PVDF作为有机物主体框架可以保证复合膜析晶时的均匀性，同时添加适量的二维前躯体材料，在钝化钙钛矿表面的同时可以有效地限制钙钛矿晶体的粒径尺寸，以达到提升复合膜整体的亮度、QY的效果。QY的效果。QY的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于钙钛矿显示
，具体涉及一种甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]近年来，钙钛矿作为一种新型半导体材料，在太阳能电池、发光二极管、探测器、激光、显示面板等多个领域展现了其优异的能力和应用前景。其中，钙钛矿发光材料，尤其是铅基钙钛矿量子点(APbX3，A＝铯、甲脒、甲胺；X＝氯、溴、碘)，由于其发光半峰宽窄，量子产率高，发光色纯度高，发光峰位可调等特点，自2015年Protesescu等人专利技术合成后受到了广泛关注。
[0003]这类量子点通常采用热注入法合成，但合成后的量子点需要经过提纯、干燥、与有机封装材料混合制膜等工艺才能实现其在显示器件中的应用。过于复杂的过程对量子点的质量和性能都造成了极大的影响，且该途径合成的量子点通常对严苛环境的耐受偏低。而高分子聚合物通常具有良好的耐候性和环境稳定性，在高分子材料中原位生长钙钛矿量子点形成复合薄膜可以有效的降低钙钛矿材料对环境的敏感性，简化制备钙钛矿/有机物复合膜的工艺，提升本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将甲脒卤化物，无机金属卤化物，二维前躯体材料，聚偏氟乙烯溶解于有机溶剂中，得到混合浆料，涂布至基底上，退火，得到所述甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜；其中，所述二维前躯体材料包括异丁胺氢卤酸盐，正丁胺氢卤酸盐，苯乙胺氢卤酸盐，苯甲胺氢卤酸盐，戊胺氢卤酸盐，己胺氢卤酸盐中的至少一种。2.根据权利要求1所述的甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜的制备方法，其特征在于，所述甲脒卤化物，无机金属卤化物和二维前躯体材料的摩尔比为0.8～1：1：0.1～0.3。3.根据权利要求1或2所述的甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜的制备方法，其特征在于，所述混合浆料的制备方法为：S1，将甲脒卤化物，无机金属卤化物和二维前躯体材料溶解于有机溶剂中，得到甲脒基前驱体；S2，将聚偏氟乙烯溶解于有机溶剂中，得到聚合物胶液；S3，将所述的甲脒基前驱体与聚合物胶液混合，即得混合浆料。4.根据权利要求3所述的甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，以金属元素质量计，无机金属卤化物的浓度为0.1～0.3M。5.根据权利要求3所述的甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，聚偏氟乙烯与有机溶剂的用量比为0.1
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0.3g/mL。6.根据权利要求3所述的甲脒基钙钛矿/PVDF复合膜的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨铁斌，郑策，
申请(专利权)人：极电光能有限公司，
类型：发明
国别省市：