【技术实现步骤摘要】
一种在基体材料上制备超高温陶瓷防护层的方法及由此制得的陶瓷基复合材料
[0001]本专利技术属于航空航天材料制备
,尤其涉及一种在基体材料上制备超高温陶瓷防护层的方法及由此制得的陶瓷基复合材料。
技术介绍
[0002]航空航天飞行器的结构件对陶瓷基复合材料的耐高温性能和力学性能要求都比较高,传统的C/SiC陶瓷基复合材料难以满足要求。而在陶瓷基复合材料表面制备ZrC、HfC、TaC超高温陶瓷防护层可以有效提升陶瓷基复合材料的耐高温性能和抗氧化性能,有望满足航空航天飞行器结构件对陶瓷基复合材料的性能要求。
[0003]然而,现有技术在陶瓷基复合材料上制备的超高温陶瓷防护层仍存在对陶瓷基复合材料的耐高温性能或者高温力学性能或者抗氧化性能等方面有待进一步提高的问题。
[0004]综上,非常有必要提供一种在基体材料上制备超高温陶瓷防护层的方法及由此制得的陶瓷基复合材料。
技术实现思路
[0005]为了解决现有技术中存在的一个或者多个技术问题,本专利技术提供了一种在基体材料上制备超高温陶瓷防护层的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在基体材料上制备超高温陶瓷防护层的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)在真空环境下,通入氢气对基体材料进行高温处理,得到经高温处理的基体材料;(2)以超高温陶瓷作为靶材,在真空环境下通过脉冲激光沉积法在经高温处理的基体材料的表面进行沉积,由此制得超高温陶瓷防护层;在进行沉积的同时,通入碳源气体进行高温退火。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在步骤(1)中,在通入氢气前,真空环境的压力为1
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‑8~1
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‑6Torr;和/或在步骤(1)中,通入氢气至真空环境的压力为1
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‑3Torr。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在步骤(1)中,所述高温处理的温度为800~1200℃优选为1000~1200℃,所述高温处理的时间为10~30min。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在步骤(2)中,通入碳源气体至真空环境的压力为1
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‑4~1
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‑2Torr。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在步骤(2)中,所述沉积和所述高温退火的温度为800~1400℃优选为1200~1400℃,所述沉积和所述高温退火的时间为1~10h优...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈昊然,张宝鹏,杨良伟,宋环君,冯士杰,杨彤,杨小健,刘伟,于新民,刘俊鹏,孙同臣,
申请(专利权)人:航天特种材料及工艺技术研究所,
类型:发明
国别省市:
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