一种反向阻断双端固态闸流管、其触发电路和制备方法技术

本发明专利技术提供了一种反向阻断双端固态闸流管、其触发电路和制备方法，属于闸流管领域，其包括用作阳极的N

【技术实现步骤摘要】
一种反向阻断双端固态闸流管、其触发电路和制备方法


[0001]本专利技术属于闸流管领域，更具体地，涉及一种反向阻断双端固态闸流管、其触发电路和制备方法。

技术介绍

[0002]在高新技术等领域，脉冲功率技术有着极为重要的应用，而且现在应用范围向着工业和民用领域拓展。反向关断晶闸管是应用在脉冲功率技术中的一种重要的脉冲功率器件。
[0003]反向阻断双端固态闸流管(Reverse Blocking Diode Thyristor,RBDT)是一种pnpn结构的两端半导体闭合开关。RBDT器件最初名为反向开关整流器(Reverse Switching Rectifier,RSR)，其最初被应用为雷达调制器的开关元件。RBDT器件为PNPN四层结构，在触发过程中，需要在阳极和阴极之间施加一个有着较高电压变化率(dv/dt)的触发脉冲。RBDT器件的特殊的触发方式使其导通过程发生在器件的整个区域上，这种触发方式使RBDT器件可以承受有着更高电流上升率(di/dt)的脉冲电流。
[0004]但是，硅基材料经过长时间的研究，使用硅材料制作的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，其包括用作阳极的N
+
碳化硅发射极、依次由N
+
碳化硅发射极上外延生长获得的碳化硅P
‑
漂移区、碳化硅N漂移区、碳化硅P
+
发射区和碳化硅N
+
发射区，碳化硅P
+
发射区和碳化硅N
+
发射区位于不同的平面但相互平行，两者相互交替连接形成连续的方形凹凸面，碳化硅P
+
发射区和碳化硅N
+
发射区交替连接形成的连续的方形凹凸结构用作阴极。2.如权利要求1所述的一种反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，碳化硅材质为4H
‑
SiC、6H
‑
SiC或者3C
‑
SiC中的一种或者多种。3.如权利要求2所述的一种反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，N
+
碳化硅发射极厚度为1μm～5μm，碳化硅P
‑
漂移区厚度为30μm～150μm，碳化硅N漂移区厚度为0.8μm～4μm，阴极碳化硅N
+
发射区厚度为0.1μm～1μm，宽度为5μm～15μm，阴极碳化硅P
+
发射区厚度为0.5μm～5μm，宽度为15μm～25μm。4.如权利要求3所述的一种反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，N
+
碳化硅发射极掺杂浓度为1
×
10
19
～1
×
10
20
cm
‑3，碳化硅P
‑
漂移区掺杂浓度为1
×
10
14
～2
×
10
15
cm
‑3，碳化硅N漂移区掺杂浓度为1
×
10
17
～1
×
10
18
cm
‑3，阴极碳化硅N+发射区掺杂浓度1
×
10
19
...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁琳，卿正恒，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：