正极活性物质、锂离子二次电池及车辆制造技术

提供一种劣化原因的缺陷少或其发展得到抑制的正极活性物质。本发明专利技术是一种用于二次电池的正极活性物质，正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，在对将正极活性物质用于正极且作为对电极使用锂电极的电池进行循环测试之后，正极活性物质包括缺陷，缺陷的附近区域中至少包含与添加元素相同的元素。添加元素还包含在正极活性物质的表层部。含在正极活性物质的表层部。含在正极活性物质的表层部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】正极活性物质、锂离子二次电池及车辆


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种物品、方法或者制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、照明装置、电子设备或其制造方法。尤其是，本专利技术涉及一种锂离子二次电池用正极活性物质、其制造方法以及包括该正极活性物质的锂离子二次电池。

技术介绍

[0002]近年来，随着半导体产业的发展，高输出、大容量的锂离子二次电池的需求量剧增，作为可重复使用的能量源，成为现代社会的必需品。
[0003]尤其是，便携式电子设备用锂离子二次电池等被要求单位重量的放电容量较大且充放电特性较高。为了满足这些需求，正在积极地进行二次电池的正极所包括的正极活性物质的改良(例如，参照专利文献1)。[先行技术文献][专利文献][0004][专利文献1]日本专利申请公开第2018
‑
120812号公报
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于二次电池的正极活性物质，其中，所述正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，并且，在对将所述正极活性物质用于正极且作为对电极使用锂电极的电池进行循环测试之后，所述正极活性物质包括缺陷，所述缺陷的附近区域中至少包含与所述添加元素相同的元素。2.一种用于二次电池的正极活性物质，其中，所述正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，并且，在对将所述正极活性物质用于正极且作为对电极使用锂电极的电池进行循环测试之后，所述正极活性物质包括缺陷，所述缺陷的侧面的附近区域中至少包含与所述添加元素相同的元素。3.一种用于二次电池的正极活性物质，其中，所述正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，并且，在对将所述正极活性物质用于正极且作为对电极使用锂电极的电池进行循环测试之后，所述正极活性物质包括缺陷，所述缺陷的尖端的附近区域中至少包含与所述添加元素相同的元素。4.根据权利要求1至3中任一项所述的正极活性物质，其中所述缺陷具有规定的宽度。5.根据权利要求1至4中任一项所述的正极活性物质，其中所述缺陷为凹坑。6.根据权利要求1至5中任一项所述的正极活性物质，其中所述循环测试的上限电压为4.65V或4.7V。7.根据权利要求1至6中任一项所述的正极活性物质，其中所述钴酸锂中的添加元素位于所述钴酸锂的表层部。8.根据权利要求1至7中任一项所述的正极活性物质，其中所述钴酸锂中的添加元素至少包含镁或铝。9.一种用于二次电池的正极活性物质，其中，所述正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，并且，在以4.7V的上限电压在25℃下对将所述正极活性物质用于正极且作为对电极使用锂电极的电池进行循环测试之后，所述正极活性物质的表层部具有岩盐结构存在的区域。10.一种用于二次电池的正极活性物质，其中，所述正极活性物质包含含有添加元素的钴酸锂，在以...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，荒泽亮，伊藤俊一，嵯峨诗织，门马洋平，齐藤丞，铃木邦彦，小国哲平，岩城裕司，安部宽太，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：