一种抑制寄生开启的高速IGBT元胞结构制造技术

本实用新型专利技术涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种能够有效抑制寄生开启的高速IGBT元胞结构，其包括N

【技术实现步骤摘要】
一种抑制寄生开启的高速IGBT元胞结构


[0001]本技术涉及电力电子
的半导体器件，具体为一种能够有效抑制寄生开启的高速IGBT元胞结构。

技术介绍

[0002]IGBT作为电力电子系统中常用的一种功率器件，总体上具有耐压高，损耗低的特点。现今的各种应用场景，往往对IGBT器件的特性要求有所差别。比如电力传输，轨道交通等领域，一般要求IGBT具有较低的导通损耗，同时具有良好的开关软度和平滑的开关波形，而对开关损耗的要求则不高。而一般工业变频场景，则需要IGBT具有强健的短路特性，较好的开关软度，以及损耗表现。越来越多的高速开关应用场景，则要求IGBT具有较低的开关损耗，并且在高速开关过程中不易发生寄生开启，同时还需要一定的短路强健性，而对器件的导通损耗要求不高。
[0003]现有IGBT器件常采用沟槽型栅极结构，并多采取载流子注入增强技术，即增加器件的浮空区域，器件结构的主要缺点在于栅极与集电极不仅在沟槽底部发生重叠，而且在沟槽侧壁，通过浮空区发生重叠。这大幅增加了器件的栅极
‑
集电极电容（C
gc...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抑制寄生开启的高速IGBT元胞结构，其特征在于：包括N
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型基区（101），所述N
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型基区（101）上方设置有P型基区（102），在P型基区（102）中设置有多个氧化层（106），所述氧化层（106）延伸至N
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型基区（101）中，每个氧化层（106）内有多晶层（105），一个氧化层（106）和一个多晶层（105）组成沟槽区，沟槽区的数量为三个或者三个以上，位于中部的两个沟槽区内的多晶层（105）连接至器件栅极（G），其余沟槽区的多晶层（105）连接至器件的发射极（E）。2.根据权利要求1所述的一种抑制寄生开启的高速IGBT元胞结构，其特征在于：位于中部两个沟槽区之间的P型基区的上部，设置有P型重掺杂区（103）和N型重掺杂区（104），N型重掺杂区（104）位于P型重掺杂区（103）两侧。3.根据权利要求1所述的一种抑制寄生开启的高速IGBT元胞结构，其特征在于：N
‑
型基区（101）的下方设置有N场截止层（109），N场截止层（109）下方设置有P
+
型集电区（110），P
+...

【专利技术属性】
技术研发人员：金涛，孔梓玮，许玉欢，周意杰，宋希华，
申请(专利权)人：薪火半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：