本发明专利技术提供一种凸块检测装置，其利用一正光源、一高角度光源、一低角度光源照射至少一凸块，该至少一凸块的一顶部被压平形成一上表面，该正光源发出一第一光线至该至少一凸块，该第一光线的一第一角度在70度至90度之间(含90度)，该高角度光源发出一第二光线至该至少一凸块，该第二光线的该底部的一第二角度在50度至80度之间，该低角度光源发出一第三光线至该至少一凸块，该第三光线的一第三角度在0度至60度之间，并以一彩色取像装置接收该至少一凸块反射的该第一光线、该第二光线以及该第三光线，以检测该至少一凸块是否异常。以检测该至少一凸块是否异常。以检测该至少一凸块是否异常。
【技术实现步骤摘要】
凸块检测装置
[0001]本专利技术是关于一种凸块检测装置，尤其是利用高角度光源与低角度光源照射凸块的检测装置。
技术介绍
[0002]导线架为基础的传统封装型态将渐不适用，应用范围也将局限于低阶或低单价的产品，因此未来芯片的封装逐渐朝向覆晶封装的趋势上，此外，未来除了覆晶封装设备的需求将持续扩大外，覆晶所需的检测设备亦是厂商发展的重点。
[0003]覆晶式封装技术(Flip Chip)，也称倒晶封装或倒晶封装法，是芯片封装技术的一种。此一封装技术主要在于有别于过去芯片封装的方式，以往是将芯片置放于基板上，再用打线技术将芯片与基板上的连结点连接；其中，覆晶封装技术是将芯片连接点长凸块，然后将芯片翻转过来使凸块与基板直接连结。
[0004]覆晶式封装的芯片中具有数百至数万颗凸块(Bumps)，从微观角度来看，封装前的晶圆中包含成千上万个凸块，使芯片封装中所有凸块的缺陷检查变得越来越困难，若其中一个凸块若产生压伤或是缺角，就会造成未来制程上的巨额损失，使半导体封测厂不能单以抽检的方式检测，而必须以全检测避免巨额损失，而习知全检测微米级凸块的方式，通常以实验室的检测仪器进行观测，其因速度、检测尺寸难以突破，难以直接落实到产线应用中，因此产业界急需可快速检测凸块的装置。有鉴于上述习知技术的问题，本专利技术提供一种凸块检测装置，其利用垂直的正光源、高角度的光源以及低角度的光源，同时以不同角度照射顶部被压平形成上表面的凸块，并以彩色取像装置接收上表面的凸块所反射的光源，其中上表面反射的颜色与凸块其他部分反射的光线的颜色可供区别，以快速检测凸块的状态。
技术实现思路
[0005]本专利技术的一目的在于提供一种凸块检测装置，其以正光源、高角度光源以及低角度光源，同时以不同角度照射顶部被压平形成上表面的凸块，并以彩色取像装置接收上表面的凸块所反射的光源，其中上表面反射的颜色与凸块其他部分反射的光线的颜色有所区别，以快速检测凸块的面积以及上表面的面积，提供快速检测凸块的检测装置。
[0006]为达到上述所指称的各目的与功效，本专利技术提供一种凸块检测装置，其包含：至少一凸块、一垂直或接近垂直的正光源、一高角度光源、一低角度光源以及一彩色取像装置，该至少一凸块的一顶部被压平形成一上表面，该至少一凸块的一底部的面积大于等于该上表面的面积，该至少一凸块的材料为一导电材料，该正光源发出一第一光线至该至少一凸块，该第一光线与该至少一凸块的该底部的一第一角度大于70度，该高角度光源，其设置于该正光源的一下方，该高角度光源发出一第二光线至该至少一凸块，该第二光线与该至少一凸块的该底部的一第二角度大于50度并小于80度，该低角度光源，其设置于该高角度光源的一下方，该低角度光源发出一第三光线至该至少一凸块，该第三光线与该至少一凸块
的该底部的一第三角度小于60度，该彩色取像装置接收该至少一凸块反射的该第一光线、该第二光线以及该第三光线，其中，该上表面反射的光线波长与该至少一凸块的其他部分的反射的光线波长有所区别；利用此结构，提供快速检测凸块顶部平面是否异常的检测装置。
[0007]本专利技术的一实施例中，其中该至少一凸块设置于一基板的一上方。
[0008]本专利技术的一实施例中，其中该导电材料包含一锡球，但不以此限。
[0009]本专利技术的一实施例中，其中该第一光线、该第二光线以及该第三光线各别选自一蓝光、一红光、一绿光或该蓝光、该红光以及该绿光的任意组合。
[0010]本专利技术的一实施例中，其中该第一光线的波长以及该第二光线的波长相同；该第二光线的波长以及该第三光线的波长相异。
[0011]本专利技术的一实施例中，其中该红光的波长于590nm～750nm之间，该蓝光的波长于420nm～495nm之间，该绿光的波长于495nm～590nm之间。
[0012]本专利技术的一实施例中，其中该高角度光源可为一局部半球形投光装置或环状光源装置，其中设置复数个发光元件。
[0013]本专利技术的一实施例中，其中该半球形投光装置的上方穿设一通孔让正向垂直光通过，该彩色取像装置对应该通孔的位置接收该至少一凸块反射的该第一光线(正向垂直)、该第二光线以及该第三光线。
[0014]本专利技术的一实施例中，其中该高角度光源以及该低角度光源各别为一环形投光装置。
[0015]本专利技术的一实施例中，其中该正光源包含一第一发光元件以及一可部分透光及部分反光的半透半反镜，该第一发光元件发出该第一光线至该半透半反镜，该半透半反镜反射该第一光线至该至少一凸块。
附图说明
图1：其为本专利技术的实施例的结构示意图；图2A至图2B：其为本专利技术的实施例的光线路径示意图；图3A至图3C：其为本专利技术的实施例的凸块的反射光线示意图；图4：其为本专利技术的另一实施例的结构示意图；以及图5：其为本专利技术的另一实施例的正光源结构示意图。【图号对照说明】1
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凸块检测装置10
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凸块12
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上表面12
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平坦表面12
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粗糙表面13
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凸块侧面14
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底部20
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正光源22
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第一发光元件
24
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半透半反镜30
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高角度光源40
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低角度光源42
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第三发光元件50
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彩色取像装置60
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基板70
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半球形投光装置72
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第二发光元件74
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通孔L1
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第一光线L2
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第二光线L3
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第三光线θ1
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第一角度θ2
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第二角度θ3
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第三角度
具体实施方式
[0016]为了使本专利技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：
[0017]有鉴于上述习知技术的问题，本专利技术利用一正光源、一高角度光源以及一低角度光源照射至少一凸块，以及该至少一凸块的一顶部被压平形成的一上表面，该正光源发出一第一光线至该至少一凸块，该高角度光源发出一第二光线至该至少一凸块，该低角度光源发出一第三光线至该至少一凸块，其中该第一光线的一第一角度在70度至90度(含90度)之间，该第二光线的一第二角度在50度至80度之间，该第三光线的一第三角度在0度至60度之间，该至少一凸块以及该上表面反射该第一光线、该第二光线以及该第三光线，利用一彩色取像装置接收的该些光线，以检测该至少一凸块是否异常。
[0018]请参阅图1，其为本专利技术的实施例的结构示意图，如图所示，本实施例中，其为一种凸块检测装置1，其用于检测至少一凸块10，该凸块检测装置1包含一正光源20、一高角度光源30、一低角度光源40以本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种凸块检测装置，其特征在于，其包含：至少一凸块，其一顶部被压平形成一上表面，该至少一凸块的一底部的面积大于等于该上表面的面积，该至少一凸块的材料为一导电材料；一正光源，其发出一第一光线至该至少一凸块，该第一光线与该至少一凸块的该底部的一第一角度在70度至90度之间；一高角度光源，其设置于该正光源的一下方，该高角度光源发出一第二光线至该至少一凸块，该第二光线与该至少一凸块的该底部的一第二角度在50度至80度之间；一低角度光源，其设置于该高角度光源的一下方，该低角度光源发出一第三光线至该至少一凸块，该第三光线与该至少一凸块的该底部的一第三角度在0度至60度之间；以及一彩色取像装置，其接收该至少一凸块反射的该第一光线、该第二光线以及该第三光线；其中，该上表面反射的光线波长与该至少一凸块的其他部分的反射的光线波长可供区别。2.如权利要求1所述的凸块检测装置，其特征在于，其中该导电材料包含一锡球。3.如权利要求1所述的凸块检测装置，其特征在于，其中该第一光线、该第二光线以及该第三光线各别选自一蓝光、一红光、一绿光或该蓝光、该红光以及该绿光的任意组合。4.如权利要求3所述的凸块检测装置，其特征在于，其中该第一光线的波长以及该第二光线的波长相同；该第二光线的波...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪光夏，洪英凯，吕彦德，
申请(专利权)人：牧德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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