一种测距设备及其高压生成电路制造技术

本申请公开了一种测距设备及其高压生成电路，应用于测距技术领域，包括：用于产生基准电压的基准电压发生器；与基准电压发生器的输出端连接，用于依据基准电压，通过自身的反馈环路维持所输出电压HVout稳定的稳压电路；第一端与第一电源连接，第二端分别与基准电压发生器的电源端和稳压电路的电源端连接的第一电阻，用于通过第一电阻，降低基准电压的值和输出电压HVout的值。应用本申请的方案，在不同环境光下，可以使得电路的灵敏度达到合适的数值，进而也就有利于保障测距的准确度。并且本申请方案不会出现调节过度的情况，只需要设置第一电阻也使得方案的成本较低。第一电阻也使得方案的成本较低。第一电阻也使得方案的成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种测距设备及其高压生成电路


[0001]本专利技术涉及测距
，特别是涉及一种测距设备及其高压生成电路。

技术介绍

[0002]在利用基于SPAD(Single PhotonAvalanche Diode，单光子雪崩二极管)+TCSPC(Time
‑
Correlated Single Photon Counting，时间相关单光子计数)的dToF面阵测距、成像的过程中，需要让工作在盖革状态的二极管发生雪崩，可参阅图1，为简单的SPAD前端的结构示意图，要求二极管PN结两端的反偏电压Vop要高于雪崩电压Vbd，高出部分的电压一般被称为过偏压Veb，即Vop＝Vbd+Veb，从而控制后级的TDC(Time
‑
to
‑
Digital Converter，时间数字转换器)电路的计时输出，通过该计时来计算光的飞行时间，实现测距。
[0003]一般而言，Veb的选取需要考虑到器件的工艺与结构，过高的Veb会导致传感器的噪声较大，而Veb过低会导致传感器的灵敏度降低，一般用光子探测效率pde本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压生成电路，其特征在于，包括：用于产生基准电压的基准电压发生器；与所述基准电压发生器的输出端连接，用于依据所述基准电压，通过自身的反馈环路维持所输出电压(HVout)稳定的稳压电路；第一端与第一电源连接，第二端分别与所述基准电压发生器的电源端和所述稳压电路的电源端连接的第一电阻，用于通过所述第一电阻，降低基准电压的值和输出电压(HVout)的值。2.根据权利要求1所述的高压生成电路，其特征在于，还包括第一开关；所述第一开关与所述第一电阻并联；当测得环境光较弱时，所述第一开关闭合，所述第一电阻被短路；当测得环境光较强时，所述第一开关断开。3.根据权利要求1所述的高压生成电路，其特征在于，所述稳压电路包括：第一分压电路，第二分压电路，比较器以及电荷泵；所述比较器的正极输入端与所述基准电压发生器的输出端连接，所述比较器的负极输入端与所述第一分压电路和所述第二分压电路连接的公共端连接，所述比较器的输出端与所述电荷泵的输入端连接；所述电荷泵的电源端作为所述稳压电路的电源端，所述电荷泵的输出端作为所述稳压电路的输出端；所述第一分压电路和所述第二分压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙泰然，王俊，孟黎波，
申请(专利权)人：上海灵昉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：