聚酰亚胺树脂、膜和制备方法、挠性覆铜板、电子器件技术

本发明专利技术提供了一种聚酰亚胺树脂、膜和制备方法、挠性覆铜板、电子器件。该聚酰亚胺树脂，含有式I和式II所示的结构单元，应用本发明专利技术的技术方案，在聚酰亚胺树脂中引入酯基，并通过特定的二酐与二胺的组合，使其具有较低的介电常数和较高的剥离强度，而且与铜箔的热膨胀系数CTE有良好的匹配性，有利于其应用于铜箔上的平整性及尺寸稳定性。平整性及尺寸稳定性。

【技术实现步骤摘要】
聚酰亚胺树脂、膜和制备方法、挠性覆铜板、电子器件


[0001]本专利技术涉及聚酰亚胺膜制备领域，具体而言，涉及一种聚酰亚胺树脂、膜和制备方法、挠性覆铜板、电子器件。

技术介绍

[0002]聚酰亚胺薄膜(简称PIF)由于具有卓越的耐热、机械、电气绝缘及耐化学性能，广泛应用于制造柔性覆铜板，起着对电子线路机械支撑和绝缘作用。常见的聚酰亚胺薄膜介电常数介于3.3左右，介质损耗介于0.025左右。而随着电子产品应用频率提高，频谱变宽，对材料介电常数和耐热性提出了更高的要求。例如，4G由于传输速率低于1Gbps，对材料介电性能要求较低，材料介电常数＜4.5能够满足性能要求。但是随着5G的研究，为降低传输延时，保持高的信号传输速率，降低能量损耗及调制过程中的信号失真，对材料介电性能要求更为苛刻。如传输速率高于15Gbps时，要求材料介电常数＜3.0，介质损耗＜0.005。目前，普通的聚酰亚胺薄膜难以满足未来5G时代电子行业对材料介电性能的要求。因此开发介电常数＜3.0，介质损耗＜0.005的聚酰亚胺薄膜成为人们研究的热点。
[0003]根据文献中报本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺树脂，其特征在于，含有式I和式II所示的结构单元，式I中，n表示结构单元的重复数目，为大于或等于1的整数；R
a
～R
d
各自独立地表示氢原子、卤素原子、C1～C5的烷基和C1～C4的烷氧基中的任意一种；Ar1为第一二酐的残基，且Ar1中含有酯基；式II中，y表示结构单元的重复数目，为大于或等于1的整数；R1～R4各自独立地为氢原子、氟原子、三氟甲基、C1～C
10
的烷基、C2～C4的烯基和C1～C8的烷氧基中的任意一种，并且R1～R4中至少有一个不是氢原子；Ar2为第二二酐的残基，所述第二二酐选自3,3',4,4'
‑
联苯四甲酸二酐、均苯四甲酸二酐、4,4'
‑
联苯醚二酐、双酚A型二醚二酐和4,4'
‑
(六氟异丙基)双邻苯二甲酸二酐中的任意一种或者多种。2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺树脂，其特征在于，式I所示的结构单元摩尔占比为10％
‑
40％，式II所示的结构单元摩尔占比为90％
‑
60％；优选的，所述第一二酐具有式
Ⅴ
所示的结构，式
Ⅴ
中，R5和R6各自独立地为C1～C6的烷基和C1～C6的烷氧基中的任意一种，s表示0～4的整数，q表示0～4的整数，m表示1～3的整数；更优选的，所述式I的结构为3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺树脂，其特征在于，所述R1～R4中至少有一个为氟原子或者三氟甲基；优选的，所述R1～R4均选自氟原子，或者所述R3为三氟甲基，且所述R1、R2和R4为氢原子。4.一种聚酰亚胺膜，其特征在于，含有权利要求1至3任一项所述的聚酰亚胺树脂，优选的，所述聚酰亚胺膜的厚度为12
‑
50um。5.一种聚酰亚胺膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，将第一二酐与第一二胺在溶剂中进行反应，得到聚酰胺酸树脂的第一前体溶
液；所述第一二酐中含有酯基，所述第一二胺具有式III所示的结构；式III中，R
a
～R
d
各自独立地表示氢原子、卤素原子、C1～C5的烷基和C1～C4的烷氧基中的任意一种；步骤S2，在所述第一前体溶液中依次加入第二二胺单体、第二二酐单体进行反应，得到聚酰亚胺树脂的第二前体溶液，所述第二二酐包括选自3,3',4,4'
‑
联苯四甲酸二酐、均苯四甲酸二酐、4,4'
‑
联苯醚二酐、双酚A型二醚二酐和4,4'
‑
(六氟异丙基)双邻苯二甲酸二酐中的任意一种或者多种，所述第二二胺具有式Ⅳ所示的结构：式Ⅳ中，R1～R4各自独立地...

【专利技术属性】
技术研发人员：李营，周慧，陈珠玉，黄黎明，刘文清，胡旭东，
申请(专利权)人：杭州福斯特电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：