一种NiS2/MoS2/CdS纳米线及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种NiS2/MoS2/CdS纳米线及其制备方法和应用，属于光催化技术领域。本发明专利技术的NiS2/MoS2/CdS纳米线包括CdS纳米线和负载在所述CdS纳米线上的NiS2/MoS2复合物；所述NiS2/MoS2复合物包括NiS2和MoS2。CdS的导带比MoS2更负且MoS2具有高的电子迁移效率加速了电子从CdS的导带向MoS2的导带的转移，从而提高光催化活性；MoS2导带上激发的电子和CdS的导带上剩余的电子会被NiS2捕获从而抑制电子和空穴复合，进一步提高光催化活性。此外，NiS2还会提供活性位点，进一步地提高光催化活性。进一步地提高光催化活性。进一步地提高光催化活性。

【技术实现步骤摘要】
一种NiS2/MoS2/CdS纳米线及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于光催化
，具体涉及一种NiS2/MoS2/CdS纳米线及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]化石燃料存储量逐渐减少及化石燃料的燃烧带来环境污染问题。抗生素的滥用，废水的随意排放，造成了现在水体污染现状。光催化技术能够将密度低的太阳能转化为可以储存且稳定的化学能，使上述问题得到一定程度上的缓解。
[0003]氢能，作为一种燃烧值高，可再生的绿色能源，是完全符合当今对能源问题的优先选择的新型能源，逐渐引起了人们的重视。太阳能是一种取之不尽、可再生、无污染的能源。但是太阳能有着能量密度低、不连续不稳定等缺点，限制了其广泛应用。光催化半导体技术作为一种新型绿色化学技术，能够对太阳能进行合理的开发应用。因此开发光催化技术，制备合适的光催化材料是解决能源稀缺和水体污染问题的不二选择。
[0004]硫化镉作为一种典型的光催化剂，其禁带宽度只有2.4eV，是一种可见光响应的光催化剂。再者，CdS有着合适的能带位置，能够满足各种光催化反应的热力学条件。但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NiS2/MoS2/CdS纳米线，包括CdS纳米线和负载在所述CdS纳米线上的NiS2/MoS2复合物；所述NiS2/MoS2复合物包括NiS2和MoS2。2.根据权利要求1所述的NiS2/MoS2/CdS纳米线，其特征在于，所述NiS2/MoS2复合物的负载量为35～50wt％；所述NiS2/MoS2复合物中NiS2和MoS2的摩尔比为1:0.2～3。3.根据权利要求1所述的NiS2/MoS2/CdS纳米线，其特征在于，所述NiS2/MoS2/CdS纳米线的长度为2～5μm，直径为150～200nm。4.权利要求1～3任一项所述NiS2/MoS2/CdS纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将氯化镉溶液和二乙基二硫代氨基甲酸钠溶液混合进行络合反应，得到镉络合物；将所述镉络合物与乙二胺混合进行溶剂热反应，得到CdS纳米线；将所述CdS纳米线、硝酸镍、钼酸铵、六亚甲基四胺与水混合后进行水热反应，得到Ni(OH)2/MoO2/CdS纳米线；将所述Ni(OH)2/MoO2/CdS纳米线与硫进行共煅烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈哲，刘法银，陈峰，朱文晶，李铃铃，
申请(专利权)人：吉林化工学院，
类型：发明
国别省市：