发光元件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种发光元件。所述发光元件包括：基板；电极，配置于所述基板上；以及绝缘层，配置于所述基板上并包覆所述电极的侧壁及部分上表面，所述绝缘层在所述电极的所述上表面上形成第一凹陷，并暴露所述电极的所述上表面的至少一部分，其中所述绝缘层用以阻隔特定波长的光线。定波长的光线。定波长的光线。

【技术实现步骤摘要】
发光元件


[0001]本技术大体上涉及光学领域，尤其涉及一种发光元件。

技术介绍

[0002]当今社会，有机发光显示器已广泛地应用于各个领域，小到电子手表等最高端的电子装置，大到大型户外萤幕，都采用有机发光显示器提供光线。
[0003]然而，对有机发光显示器而言，面临的很大一个挑战在于：由于现有技术的限制，发光材料的发光效率与质量并无法有效地被控制，导致器件的光学效果不如预期。举例来说，有机发光显示器可以通过像素的排列形成一种特定的发亮图案，例如一种瞄准准心的发亮图案。然而，这种发亮图案时常出现光晕问题、光学串扰问题(Cross talk)和对比度不足等现象。
[0004]现有技术中有时候会额外增加偏光片来改善上述问题，但还是无法有效地消除光晕，而且额外增加的偏光片有使显示器厚度增加且成本偏高等缺点。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的技术问题之一是克服上述现有技术中的不足，提供一种发光元件，该发光元件包含设置在电极的上表面的至少一部分的绝缘层，其用阻隔(或者吸收)特定波长的光线。因而能使在使用这些发光元件时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于：其包括：基板；电极，配置于所述基板上；以及绝缘层，配置于所述基板上并包覆所述电极的侧壁及部分上表面，所述绝缘层在所述电极的所述上表面上形成第一凹陷，并暴露所述电极的所述上表面的至少一部分，其中所述绝缘层用以阻隔特定波长的光线。2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述绝缘层对于一特定波长的穿透率大于或等于10％且所述特定波长介于375至525nm(奈米)。3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于：所述绝缘层对于一特定波长的穿透率大于或等于50％且所述特定波长介于400至500nm。4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述绝缘层对于一特定波长的穿透率大于或等于10％且所述特定波长介于450至650nm。5.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于：所述绝缘层对于一特定波长的穿透率大于或等于50％且所述特定波长介于495至570nm。6.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述绝缘层对于一特定波长的穿透率大于或等于10％且所述特定波长介于570至800nm。7.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于：所述绝缘层对于一特定波长的穿透率大于或等于50％且所述特定波长介于620至750nm。8.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述发光元件还包括有机发光堆栈层，配置在所述第一凹陷内的所述电极上。9.如权利要求8所述的发光元件，其特征在于：所述基板为透明的，所述有机发光堆栈层所发出的光线可通过所述基板向外射出。10.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述绝缘层的所述第一凹陷具有十字形轮廓。11.如权利要求10...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉龙，陈慧修，徐国城，
申请(专利权)人：台州观宇科技有限公司，
类型：新型
国别省市：