一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面制造技术

本发明专利技术提供一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面，所述基于Fano共振的硅超构表面单元包括单元基体和两个基体凸肋；所述基体凸肋设置于所述单元基体的侧面，所述基体凸肋由所述单元基体上表面延伸至下表面，两个所述基体凸肋之间设置有第一基体缺陷，两个所述基体凸肋两侧均设置有第二基体缺陷。所述基于Fano共振的硅超构表面包括阵列设置的多个所述基于Fano共振的硅超构表面单元。本方案的每个基于Fano共振的硅超构表面单元均设置有三个基体缺陷，通过构造缺陷，打破硅立方体结构的对称性，诱导亮暗模间的弱耦合，产生尖锐的Fano共振，实现大的局域近场增强，进而极大增强双光子吸收响应。强双光子吸收响应。强双光子吸收响应。

【技术实现步骤摘要】
一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面


[0001]本专利技术涉及非线性光学
，尤其涉及一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面。

技术介绍

[0002]非线性光学研究介质在强相干光作用下的非线性响应及应用，是现代光学的一个重要分支。自1961年发现二次谐波现象，标志对非线性光学研究的正式开始以来，非线性光学不断发展与成熟。时至今日，光学非线性效应在现代光子功能器件实现中起着重要作用，应用于许多方面，包括谐波产生、超短脉冲产生和超快全光调制等。
[0003]双光子吸收(Two
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PhotonAbsorption,TPA)是一种非线性吸收效应，涉及介质中的电子从基态跃迁到激发态的过程中同时吸收两个光子。双光子吸收的概念于1931年首次提出，并于1961年在CaF2:Eu
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晶体样品中首次观测到。作为一种重要的非线性效应，双光子吸收广泛应用于三维微加工、荧光成像和光学存储等领域。
[0004]材料的光学非线性效应本质上是弱的。为了提高光学非线性，通常需要较长的相互作用长度或大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于Fano共振的硅超构表面单元，其特征在于，所述基于Fano共振的硅超构表面单元包括单元基体和两个基体凸肋；所述基体凸肋设置于所述单元基体的侧面，所述基体凸肋由所述单元基体上表面延伸至下表面，两个所述基体凸肋之间设置有第一基体缺陷，两个所述基体凸肋两侧均设置有第二基体缺陷。2.根据权利要求1所述的基于Fano共振的硅超构表面单元，其特征在于，在所述基体凸肋的高度范围内，所述基于Fano共振的硅超构表面单元的横截面均为相同图形。3.根据权利要求1所述的基于Fano共振的硅超构表面单元，其特征在于，在所述基体凸肋的高度范围内，所述基于Fano共振的硅超构表面单元的横截面均为轴对称图形。4.根据权利要求3所述的基于Fano共振的硅超构表面单元，其特征在于，在所述单元基体上表面的正投影方向，所述单元基体处于所述第一基体缺陷的边长大于所述单元基体处于所述第二基体缺陷的边长。5.根据权利要求1
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4任一项所述的基于Fano共振的硅超构表面单元，其特征在于，所述基于Fa...

【专利技术属性】
技术研发人员：桂丽丽，谢海伦，刘怡雯，林凤斌，徐坤，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：