一种电流镜电路、芯片及电子设备制造技术

本申请提供一种电流镜电路、芯片及电子设备，属于电子技术领域。所述电流镜电路包括参考支路、镜像支路、运算放大单元和缓冲晶体管单元；所述运算放大单元连接于所述参考支路和所述镜像支路之间；所述缓冲晶体管单元设置于所述镜像支路之上。采用本申请，可以提高镜像电流的准确性。电流的准确性。电流的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种电流镜电路、芯片及电子设备


[0001]本申请涉及电子
，尤其涉及一种电流镜电路、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]现有技术中经常使用电流镜电路复制所需电流。
[0003]一般认为，镜像电流与参考电流之间的比例，等于镜像支路与参考支路之间的晶体管尺寸比例。但实际应用中，镜像电流与参考电流之间的比例通常存在误差，使其并不必然等于上述晶体管尺寸比例，导致镜像电流的准确性较低，可能影响后级电路的工作。
[0004]因此，亟需一种镜像电流准确性较高的电流镜电路。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术的问题，本申请实施例提供了一种电流镜电路、芯片及电子设备，可以提高镜像电流的准确性。技术方案如下：
[0006]根据本申请的一方面，提供了一种电流镜电路，所述电流镜电路包括参考支路、镜像支路、运算放大单元和缓冲晶体管单元；
[0007]所述运算放大单元连接于所述参考支路和所述镜像支路之间；
[0008]所述缓冲晶体管单元设置于所述镜像支路之上。
[0009]可选的，所述参考支路中的第一参考晶体管单元的源极与所述镜像支路中的第一镜像晶体管单元的源极连接，所述第一参考晶体管单元的漏极与所述运算放大单元的第一输入端连接，所述第一镜像晶体管单元的漏极与所述运算放大单元的第二输入端连接；
[0010]所述缓冲晶体管单元的栅极与所述运算放大单元的输出端连接，所述缓冲晶体管单元的源极与所述第一镜像晶体管单元的漏极连接，所述缓冲晶体管单元的漏极与所述镜像支路中的第二镜像晶体管单元的源极连接。
[0011]可选的，所述参考支路还包括电阻单元；
[0012]所述第一参考晶体管单元的栅极和所述第一镜像晶体管单元的栅极均与所述电阻单元的第一端连接；
[0013]所述参考支路中的第二参考晶体管单元的栅极和所述镜像支路中的第二镜像晶体管单元的栅极均与所述电阻单元的第二端连接。
[0014]可选的，所述电流镜电路包括的晶体管为PMOS管，所述第一参考晶体管单元的源极和所述第一镜像晶体管单元的源极均接入电源电压。
[0015]可选的，所述电流镜电路包括的晶体管为NMOS管，所述第一参考晶体管单元的源极和所述第一镜像晶体管单元的源极均接地。
[0016]可选的，所述电流镜电路包括一条或多条所述镜像支路。
[0017]可选的，当所述电流镜电路包括多条所述镜像支路时，每条所述镜像支路采用任一所述运算放大单元，任一所述镜像支路的所述运算放大单元与其余所述镜像支路的所述运算放大单元均不同或部分不同。
[0018]可选的，当所述电流镜电路包括多条所述镜像支路时，每条所述镜像支路复用所述运算放大单元。
[0019]可选的，所述参考支路中的第二参考晶体管单元的源极与所述第一参考晶体管单元的漏极连接。
[0020]根据本申请的另一方面，提供了一种芯片，包括上述电流镜电路。
[0021]根据本申请的另一方面，提供了一种电子设备，包括上述电流镜电路。
[0022]本申请中，采用运算放大单元稳定参考支路和镜像支路之间的电压，减小镜像电流因沟道长度调制效应而产生的误差，提高电流镜像的精确性。并且设置在镜像支路之上的缓冲晶体管单元与运算放大单元相结合，还可以提高电流镜电路中镜像支路的输出阻抗，从而进一步提高电流镜像的精确性。
附图说明
[0023]在下面结合附图对于示例性实施例的描述中，本申请的更多细节、特征和优点被公开，在附图中：
[0024]图1示出了根据本申请示例性实施例提供的电流镜电路示意图；
[0025]图2示出了根据本申请示例性实施例提供的电流镜电路示意图；
[0026]图3示出了根据本申请示例性实施例提供的电流镜电路示意图；
[0027]图4示出了根据本申请示例性实施例提供的基于PMOS管的电流镜电路；
[0028]图5示出了根据本申请示例性实施例提供的基于NMOS管的电流镜电路。
具体实施方式
[0029]下面将参照附图更详细地描述本申请的实施例。虽然附图中显示了本申请的某些实施例，然而应当理解的是，本申请可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本申请。应当理解的是，本申请的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本申请的保护范围。
[0030]本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”；术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。需要注意，本申请中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
[0031]需要注意，本申请中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
[0032]本申请实施方式中的多个装置之间所交互的消息或者信息的名称仅用于说明性的目的，而并不是用于对这些消息或信息的范围进行限制。
[0033]本申请实施例提供了一种电流镜电路，该电流镜电路可以集成在芯片中，或者设置在电子设备中。
[0034]参照图1所示的电流镜电路示意图，该电流镜电路包括参考支路1、镜像支路2、运算放大单元3和缓冲晶体管单元4，运算放大单元3连接于参考支路1和镜像支路2之间，缓冲
晶体管单元4设置于镜像支路2之上。
[0035]在一种可能的实施方式中，根据电流镜电路的基本原理，当参考电流流经参考支路1时，镜像支路2可以生成该参考电流的镜像电流。本实施例对电流镜电路的基本原理不作详细介绍。
[0036]由于运算放大单元3连接于参考支路1和镜像支路2之间，根据运算放大单元3的“虚短虚断”特性，可以采用运算放大单元3稳定参考支路1和镜像支路2之间的电压，从而减小镜像电流因沟道长度调制效应而产生的误差，提高电流镜像的精确性。
[0037]并且，设置在镜像支路2之上的缓冲晶体管单元4与运算放大单元3相结合，还可以提高电流镜电路中镜像支路的输出阻抗，从而进一步提高电流镜像的精确性。
[0038]可选的，参照图2所示的电流镜电路示意图，参考支路1包括第一参考晶体管单元11和第二参考晶体管单元12，镜像支路2包括第一镜像晶体管单元21和第二镜像晶体管单元22。
[0039]参考支路1中的第一参考晶体管单元11的源极与镜像支路2中的第一镜像晶体管单元21的源极连接，第一参考晶体管单元11的漏极与运算放大单元3的第一输入端连接，第一镜像晶体管单元21的漏极与运算放大单元3的第二输入端连接；
[0040]缓冲晶体管单元4的栅极与运算放大单元3的输出端连接，缓冲晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流镜电路，其特征在于，所述电流镜电路包括参考支路、镜像支路、运算放大单元和缓冲晶体管单元；所述运算放大单元连接于所述参考支路和所述镜像支路之间；所述缓冲晶体管单元设置于所述镜像支路之上。2.根据权利要求1所述的电流镜电路，其特征在于，所述参考支路中的第一参考晶体管单元的源极与所述镜像支路中的第一镜像晶体管单元的源极连接，所述第一参考晶体管单元的漏极与所述运算放大单元的第一输入端连接，所述第一镜像晶体管单元的漏极与所述运算放大单元的第二输入端连接；所述缓冲晶体管单元的栅极与所述运算放大单元的输出端连接，所述缓冲晶体管单元的源极与所述第一镜像晶体管单元的漏极连接，所述缓冲晶体管单元的漏极与所述镜像支路中的第二镜像晶体管单元的源极连接。3.根据权利要求2所述的电流镜电路，其特征在于，所述参考支路还包括电阻单元；所述第一参考晶体管单元的栅极和所述第一镜像晶体管单元的栅极均与所述电阻单元的第一端连接；所述参考支路中的第二参考晶体管单元的栅极和所述镜像支路中的第二镜像晶体管单元的栅极均与所述电阻单元的第二端连接。4.根据权利要求2
‑
3任一项所述的电流镜电路，其特征在于，所述电流镜电路包括的晶体管为PMOS管，所述第一参考晶体管单元的源极和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：江军，刘帅锋，黄振宇，
申请(专利权)人：合肥市芯海电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：