一种电流镜电路、芯片及电子设备制造技术

本申请提供一种电流镜电路、芯片及电子设备，属于电子技术领域。所述电流镜电路包括参考支路、镜像支路、运算放大单元和缓冲晶体管单元；所述运算放大单元连接于所述参考支路和所述镜像支路之间；所述缓冲晶体管单元设置于所述镜像支路之上。采用本申请，可以提高镜像电流的准确性。电流的准确性。电流的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种电流镜电路、芯片及电子设备


[0001]本申请涉及电子
，尤其涉及一种电流镜电路、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]现有技术中经常使用电流镜电路复制所需电流。
[0003]一般认为，镜像电流与参考电流之间的比例，等于镜像支路与参考支路之间的晶体管尺寸比例。但实际应用中，镜像电流与参考电流之间的比例通常存在误差，使其并不必然等于上述晶体管尺寸比例，导致镜像电流的准确性较低，可能影响后级电路的工作。
[0004]因此，亟需一种镜像电流准确性较高的电流镜电路。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术的问题，本申请实施例提供了一种电流镜电路、芯片及电子设备，可以提高镜像电流的准确性。技术方案如下：
[0006]根据本申请的一方面，提供了一种电流镜电路，所述电流镜电路包括参考支路、镜像支路、运算放大单元和缓冲晶体管单元；
[0007]所述运算放大单元连接于所述参考支路和所述镜像支路之间；
[0008]所述缓冲晶体管单元设置于所述镜像支路之上。
[0009]可选的，所述参考支路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流镜电路，其特征在于，所述电流镜电路包括参考支路、镜像支路、运算放大单元和缓冲晶体管单元；所述运算放大单元连接于所述参考支路和所述镜像支路之间；所述缓冲晶体管单元设置于所述镜像支路之上。2.根据权利要求1所述的电流镜电路，其特征在于，所述参考支路中的第一参考晶体管单元的源极与所述镜像支路中的第一镜像晶体管单元的源极连接，所述第一参考晶体管单元的漏极与所述运算放大单元的第一输入端连接，所述第一镜像晶体管单元的漏极与所述运算放大单元的第二输入端连接；所述缓冲晶体管单元的栅极与所述运算放大单元的输出端连接，所述缓冲晶体管单元的源极与所述第一镜像晶体管单元的漏极连接，所述缓冲晶体管单元的漏极与所述镜像支路中的第二镜像晶体管单元的源极连接。3.根据权利要求2所述的电流镜电路，其特征在于，所述参考支路还包括电阻单元；所述第一参考晶体管单元的栅极和所述第一镜像晶体管单元的栅极均与所述电阻单元的第一端连接；所述参考支路中的第二参考晶体管单元的栅极和所述镜像支路中的第二镜像晶体管单元的栅极均与所述电阻单元的第二端连接。4.根据权利要求2
‑
3任一项所述的电流镜电路，其特征在于，所述电流镜电路包括的晶体管为PMOS管，所述第一参考晶体管单元的源极和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：江军，刘帅锋，黄振宇，
申请(专利权)人：合肥市芯海电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：