【技术实现步骤摘要】
用于实现跨桥移相软开关的控制电路、方法及控制设备
[0001]本专利技术涉及储能电源
,尤其涉及一种用于实现跨桥移相软开关的控制电路、方法及控制设备。
技术介绍
[0002]随着储能技术的越发成熟,各大储能产品的电量储存能力也越来越强,大大的满足了用户在出行、工作、生活等各方面上的电量需求,给用户带来了极大便利。因此,储能产品越来越受用户的青睐。
[0003]目前,储能产品的双向逆变电源软开关的实现方式为:通过谐振电感和多个电容谐振形成谐振频率,再通过控制产品的开关频率等于该谐振频率方式来实现软开关。
[0004]然而,实践发现,现有软开关的实现电路中存在器件多、器件占用储能产品体积大的情况,从而导致无法布局更多的电池组,进而导致降低了储能产品整体的功率密度。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题在于,提供一种用于实现跨桥移相软开关的控制电路、方法及控制设备,能够使用更少的器件实现软开关,且当应用于储能产品时,有利于为储能产品布局更多的电池组,进而有利于提高储能产品整体
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于实现跨桥移相软开关的控制电路,其特征在于,所述控制电路包括升压电路及交流逆变电路,其中:所述升压电路的电压输出端电连接所述交流逆变电路的电压输入端;所述升压电路的电压输入端用于外接电池,所述升压电路的受控端用于电连接驱动控制电路,所述交流逆变电路的电压输出端用于电连接负载模块;所述交流逆变电路的受控端用于电连接所述驱动控制电路;所述驱动控制电路,用于监测所述交流逆变电路的死区时间,得到监测情况,并在所述监测情况用于表示开始监测到所述交流逆变电路的死区时间时,控制所述升压电路移相,并在所述交流逆变电路的死区时间内,所述升压电路移相第一预设时序时,控制所述升压电路关断,以及在经过第二预设时序时,控制所述升压电路移相,并在所述交流逆变电路的死区时间内,所述升压电路移相第三预设时序时,控制所述升压电路导通,并重复执行控制所述升压电路关断或导通的操作;其中,所述升压电路的工作频率等于所述交流逆变电路的工作频率,所述交流逆变电路的死区时间的时序时长等于所述第一预设时序时长、所述第二预设时序时长及所述第三预设时序时长的和时长。2.根据权利要求1所述的用于实现跨桥移相软开关的控制电路,其特征在于,所述升压电路包括升压控制模块及充电控制模块;其中,所述升压控制模块的电压输出端电连接所述充电控制模块的电压输入端,所述充电控制模块的电压输出端电连接所述交流逆变电路的电压输入端;所述升压控制模块的电压输入端用于外接所述电池,所述升压控制模块的受控端和所述充电控制模块的受控端均用于电连接所述驱动控制电路。3.根据权利要求2所述的用于实现跨桥移相软开关的控制电路,其特征在于,所述升压控制模块包括第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)及第一升压器(T1);所述第一升压器(T1)对应第一初级线圈和第一次级线圈;其中,所述第一MOS管(Q1)的源极分别电连接所述第二MOS管(Q2)的漏极和所述第一初级线圈的一端;所述第四MOS管(Q4)的源极分别电连接所述第三MOS管(Q3)的漏极和所述第一初级线圈的另一端;所述第一次级线圈电连接所述充电控制模块的电压输入端;所述第一MOS管(Q1)的栅极、所述第二MOS管(Q2)的栅极、所述第三MOS管(Q3)的栅极、所述第四MOS管(Q4)的栅极均用于电连接所述驱动控制电路;所述第一MOS管(Q1)的漏极和所述第四MOS管(Q4)的漏极均用于外接所述电池;所述第二MOS管(Q2)的源极和所述第三MOS管(Q3)的源极均用于接地。4.根据权利要求2所述的用于实现跨桥移相软开关的控制电路,其特征在于,所述升压控制模块包括第十三MOS管(Q13)、第十四MOS管(Q14)及第二升压器(T2);其中,所述第二升压器(T2)对应第二初级线圈、第三初级线圈、第二次级线圈及第二铁芯;所述第十三MOS管(Q13)的漏极电连接所述第二初级线圈的一端;所述第十四MOS管(Q14)的漏极电连接所述第三初级线圈的一端;所述第二次级线圈电连接所述充电控制模块的电压输入端;所述第十三MOS管(Q13)的栅极和所述第十四MOS管(Q14)的栅极均用于电连接所述驱
动控制电路;所述第二初级线圈与所述第三初级线圈的连接点用于外接所述电池;所述第十三MOS管(Q13)的源极和第十四MOS管(Q14)的源极均用于接地。5.根据权利要求2
‑
4任一项所述的用于实现跨桥移相软开关的控制电路,其特征在于,所述充电控制模块包括第一开关模块及充电模块,其中,所述第一开关模块包括第五MOS管(Q5)、第六MOS管(Q6)、第七MOS管(Q7)及第八MOS管(Q8);其中,所述第五MOS管(Q5)的源极分别电连接所述第六MOS管(Q6)的漏极和所述升压控制模块的第一电压输出端;所述第八MOS管(Q8)的源极分别电连接所述第七MOS管(Q7)的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张清森,陈俊灵,张继,吴丹,
申请(专利权)人:深圳市绿联科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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