异质结光伏电池、其制造方法和用于其的溅射靶技术

公开了一种异质结光伏电池，所述异质结光伏电池包括：电极层，包含按重量计大于0％且等于或小于3％的氧化锡、大于0％且等于或小于1％的氧化锗和等于或大于96％且小于100％的氧化铟。电极层针对300

【技术实现步骤摘要】
异质结光伏电池、其制造方法和用于其的溅射靶

技术介绍

[0001]本公开涉及一种用于光伏电池的氧化物溅射靶和异质结光伏电池的使用该氧化物溅射靶沉积的低反射率电极层。更具体地，本公开涉及一种能够通过使用掺杂剂控制透明导电膜的表面不均匀性而在保持现有导电性的同时减小反射率的靶和异质结光伏电池的使用该靶沉积的电极层。


[0002]光伏电池是将从太阳接收的光能转换成电能的发电机。应用于光伏电池的透明导电膜的透射率和导电性都是改善光电效率的重要因素。因此，为了在光伏电池中使用透明导电膜，透明导电膜可以有效地透射来自太阳的光是至关重要的。为了将更多的光透射到光吸收层，不仅改善透射率而且减小反射率是至关重要的。在大量光被反射的情况下，无论透射率有多高，都会限制穿过薄膜的光的量。

技术实现思路

[0003]光伏电池的最重要的问题中的一个是改善效率。在异质结光伏电池的领域中，已经进行了各种尝试来提高异质结光伏电池的效率。本公开的目的是提供一种可以从其沉积电极层(即，透明导电氧化物(TCO)层)的溅射靶和使用该溅射靶形成的薄膜，该电极层通过减小电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结光伏电池，所述异质结光伏电池包括电极层，所述电极层包含按重量计大于0％且等于或小于3％的量的氧化锡、大于0％且等于或小于1％的量的氧化锗和等于或大于96％且小于100％的量的氧化铟。2.根据权利要求1所述的异质结光伏电池，所述异质结光伏电池还包括：第一类型硅基底；第二类型硅层，设置在所述第一类型硅基底上方；以及第一类型硅层，设置在所述第一类型硅基底下方，其中，所述电极层设置在所述第二类型硅层上方和所述第一类型硅层下方，并且所述第一类型硅基底、所述第一类型硅层和所述第二类型硅层分别是N型硅基底、N型硅层和P型硅层，或者分别是P型硅基底、P型硅层和N型硅层。3.根据权利要求1所述的异质结光伏电池，其中，所述电极层针对具有300nm至1200nm的波长的光具有86％或更高的平均透射率以及13.2％或更低的反射率。4.一种用于沉积异质结光伏电池的电极层的溅射靶，所述溅射靶包括烧结体，所述烧结体包含按重量...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹相元，玉康敏，姜信赫，文定炫，李泓澈，朴炯律，
申请(专利权)人：KV材料株式会社，
类型：发明
国别省市：