公开了用于键值持久性存储装置的方法和键值持久性存储装置。所述方法可包括：对两个或更多个键值对进行排序，以形成排序后的键值对集合；确定所述键值对中的第一键值对的地址，第一键值对包括第一键和第一值；确定所述键值对中的第二键值对的地址，第二键值对包括第二键和第二值；以及训练第一线性回归模型以生成与所述键值对对应的第一线，训练的步骤包括：用包括第一键值对和第二键值对的键值对来训练第一线性回归模型。训练第一线性回归模型。训练第一线性回归模型。
【技术实现步骤摘要】
用于键值持久性存储装置的方法和键值持久性存储装置
[0001]本申请要求于2021年12月3日提交的题为“使用线性回归的用于KV SSD的两级存储器高效索引(TWO LEVEL MEMORY EFFICIENT INDEXING FOR KV SSD USING LINEAR REGRESSION)”的第63/285,802号美国临时申请的优先权和权益，所述美国临时申请的全部内容通过引用包含于此。
[0002]根据本公开的实施例的一个或多个方面涉及持久性存储设备，并且更具体地，涉及用于键值持久性存储设备的两级索引系统。
技术介绍
[0003]键值存储装置具有用于例如服务器系统中的数据存储的各种用途。在这样的存储装置中，数据可被存储为值，每个值由相应的键标识，并且使用键值存储装置的主机可例如发送包括键的读取请求(或“获取命令(Get command)”)，该键标识将要从存储设备读取的值。
[0004]本公开的方面关于该通用技术环境。
技术实现思路
[0005]在一些实施例中，键值持久性存储装置包括用于将键映射到值的两个索引系统：(i)哈希表以及(ii)递归索引存储设备。当新的键值对被写入键值持久性存储装置时，哈希表可被采用，并且键值对中的一些(例如，被确定为比其他键值对长寿的键值对)可周期性地(例如，当耗损均衡或垃圾收集被执行时)被移动到递归索引存储设备。递归索引存储设备可采用树结构(例如，线性模型的树)来将键映射到值存储位置，其中，树中的较高级(包括内部节点)将与键相关的任何查询引向较低级(外部节点)，这包括从键到持久性存储设备中的地址的线性映射。
[0006]根据本公开的一个实施例，提供一种方法，包括：对两个或更多个键值对进行排序，以形成排序后的键值对集合；确定所述键值对中的第一键值对的地址，第一键值对包括第一键和第一值；确定所述键值对中的第二键值对的地址，第二键值对包括第二键和第二值；以及基于第一键值对、第一键值对的地址、第二键值对和第二键值对的地址来构造模型。
[0007]在一些实施例中，所述方法还包括：在键值持久性存储装置的块中执行数据移动操作，执行数据移动操作的步骤包括识别所述两个或更多个键值对。
[0008]在一些实施例中，数据移动操作是损耗均衡操作。
[0009]在一些实施例中，所述方法还包括：将排序后的键值对集合存储在存储区域中，其中，确定第一键值对的地址的步骤包括确定第一键值对被存储的第一地址。
[0010]在一些实施例中，构造模型的步骤包括：训练第一线性回归模型以生成与所述键值对对应的第一线，训练的步骤包括：用键值对和对应的地址来训练第一线性回归模型，键
值对和对应的地址包括第一键值对、第一键值对的地址、第二键值对和第二键值对的地址；并且所述方法还包括：接收用于访问所述两个或更多个键值对中的第三键值对的命令，以及基于第一线来确定第三键值对的近似地址。
[0011]在一些实施例中，确定所述近似地址的步骤包括：将所述键值对的键与因子相乘并与偏移相加，所述因子和所述偏移基于第一线的斜率和偏移。
[0012]在一些实施例中，构造模型的步骤包括：训练第一线性回归模型以生成与所述键值对对应的第一线，训练的步骤包括：用键值对和对应的地址来训练第一线性回归模型，键值对和对应的地址包括第一键值对、第一键值对的地址、第二键值对和第二键值对的地址；并且所述方法还包括：确定基于第一线的第一键值对的近似地址与第一键值对的地址之间的差超过阈值；以及训练第二线性回归模型以生成与所述键值对的第一子集对应的第二线，训练的步骤包括用所述键值对的第一子集来训练第二线性回归模型。
[0013]在一些实施例中，所述阈值是第一键值对的地址与页边界之间的差。
[0014]在一些实施例中，所述方法还包括：接收用于访问所述两个或更多个键值对中的键值对的命令，以及确定所述键值对在第一子集中。
[0015]在一些实施例中，所述方法还包括：基于第二线来确定所述键值对的近似地址。
[0016]在一些实施例中，所述方法还包括：从持久性存储设备读取页，所述近似地址在所述页内。
[0017]根据本公开的一个实施例，提供一种键值持久性存储装置，包括：持久性存储设备；缓冲器；以及处理电路，被配置为：对两个或更多个键值对进行排序，以形成排序后的键值对集合；确定所述键值对中的第一键值对的地址，第一键值对包括第一键和第一值；确定所述键值对中的第二键值对的地址，第二键值对包括第二键和第二值；以及基于第一键值对、第一键值对的地址、第二键值对和第二键值对的地址来构造模型。
[0018]在一些实施例中，处理电路还被配置为：在所述键值持久性存储装置的块中执行数据移动操作，执行数据移动操作的处理包括识别所述两个或更多个键值对。
[0019]在一些实施例中，数据移动操作是损耗均衡操作。
[0020]在一些实施例中，处理电路还被配置为：将排序后的键值对集合存储在存储区域中，其中，确定第一键值对的地址的处理包括确定第一键值对被存储的第一地址。
[0021]在一些实施例中，构造模型的处理包括：训练第一线性回归模型以生成与所述键值对对应的第一线，训练的处理包括：用键值对和对应的地址来训练第一线性回归模型，键值对和对应的地址包括第一键值对、第一键值对的地址、第二键值对和第二键值对的地址；并且处理电路还被配置为：接收用于访问所述两个或更多个键值对中的第三键
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值对的命令，以及基于第一线来确定第三键值对的近似地址。
[0022]在一些实施例中，确定所述近似地址的处理包括：将所述键值对的键与因子相乘并与偏移相加，所述因子和所述偏移基于第一线的斜率和偏移。
[0023]在一些实施例中，构造模型的处理包括：训练第一线性回归模型以生成与所述键值对对应的第一线，训练的处理包括：用键值对和对应的地址来训练第一线性回归模型，键值对和对应的地址包括第一键值对、第一键值对的地址、第二键值对和第二键值对的地址；并且处理电路还被配置为：确定基于第一线的第一键值对的近似地址与第一键值对的地址之间的差超过阈值；以及训练第二线性回归模型以生成与所述键值对的第一子集对应的第
二线，训练的处理包括：用所述键值对的第一子集来训练第二线性回归模型。
[0024]在一些实施例中，所述阈值是第一键值对的地址与页边界之间的差；并且处理电路还被配置为：接收用于访问所述两个或更多个键值对中的键值对的命令，以及确定所述键值对在第一子集中。
[0025]在一些实施例中，处理电路还被配置为：基于第二线来确定所述键值对的近似地址。
[0026]根据本公开的实施例，提供一种键值持久性存储装置，包括：持久性存储设备；缓冲器；以及用于处理的装置，被配置为：对两个或更多个键值对进行排序，以形成排序后的键值对集合；确定所述键值对中的第一键值对的地址，第一键值对包括第一键和第一值；确定所述键值对中的第二键值对的地址，第二键值对包括第二键和第二值；以及基于第一键值对本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于键值持久性存储装置的方法，包括：确定两个或更多个键值对中的第一键值对的地址，第一键值对包括第一键和第一值；确定所述两个或更多个键值对中的第二键值对的地址，第二键值对包括第二键和第二值；以及基于第一键值对、第一键值对的地址、第二键值对和第二键值对的地址来构造模型。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在键值持久性存储装置的块中执行数据移动操作，执行数据移动操作的步骤包括识别所述两个或更多个键值对。3.根据权利要求2所述的方法，其中，数据移动操作是损耗均衡操作。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：对所述两个或更多个键值对进行排序，以形成排序后的键值对集合；并且将排序后的键值对集合存储在存储区域中，其中，确定第一键值对的地址的步骤包括确定第一键值对被存储的第一地址。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中：构造模型的步骤包括：训练第一线性回归模型以生成与所述两个或更多个键值对对应的第一线，训练的步骤包括：用键值对和对应的地址来训练第一线性回归模型，键值对和对应的地址包括第一键值对、第一键值对的地址、第二键值对和第二键值对的地址；并且所述方法还包括：接收用于访问所述两个或更多个键值对中的第三键值对的命令，以及基于第一线来确定第三键值对的近似地址。6.根据权利要求5所述的方法，其中，确定所述近似地址的步骤包括：将第三键值对的键与因子相乘并与偏移相加，所述因子和所述偏移基于第一线的斜率和偏移。7.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中：构造模型的步骤包括：训练第一线性回归模型以生成与所述两个或更多个键值对对应的第一线，训练的步骤包括：用键值对和对应的地址来训练第一线性回归模型，键值对和对应的地址包括第一键值对、第一键值对的地址、第二键值对和第二键值对的地址；并且所述方法还包括：确定基于第一线的第一键值对的近似地址与第一键值对的地址之间的差超过阈值；以及训练第二线性回归模型以生成与所述两个或更多个键值对的第一子集对应的第二线，训练的步骤包括：用所述两个或更多个键值对的第一子集来训练第二线性回归模型。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述阈值是第一键值对的地址与页边界之间的差。9.根据权利要求8所述的方法，还包括：接收用于访问所述两个或更多个键值对中的第三键值对的命令，以及确定第三键值对在第一子集中。10.根据权利要求9所述的方法，还包括：基于第二线来确定第三键值对的近似地址。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：从持久性存储设备读取页，所述近似地址在所述页内。12.一种键值持久性存储装置，包括：持久性存储设备；
缓冲器；以及处理电路，被配置为：确定两个或更多个键值对中的第一键值对的地址，第一键值对包括第一键和第一值；确定所述两个或更多个键值对中的第二键值对的地址，第二键值...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧姆卡尔，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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