【技术实现步骤摘要】
微机电系统开关及其制备方法、电子装置
[0001]本公开实施例涉及微机电系统，尤其涉及一种微机电系统开关及其制备方法、电子装置。
技术介绍
[0002]微机电系统(Micro
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Electro
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Mechanical System，MEMS)是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。MEMS广泛应用于高新技术产业，随着信息时代迅速发展，具备高集成、小型化、多功能以及低成本的MEMS器件将会带来巨大的经济价值。
[0003]微机电系统开关是通信器件的基本结构单元，在通信系统中有着举足轻重的地位。射频微机电系统(Radio Frequency Micro
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Electro
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Mechanical System，RF MEMS)开关是利用MEMS技术制作的一种射频开关，通过微机械结构的运动，来达到控制信号通与断的目的，且相较于传统射频半导体开关具有插损低、隔离度高及使用
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微机电系统开关，其特征在于，包括：基底；设置在所述基底上的偏置线；设置在所述偏置线远离所述基底一侧的偏置电极、第一地线、第二地线和波导传输线，所述第一地线和所述第二地线分别位于所述波导传输线的两侧；所述偏置电极位于所述第二地线远离所述波导传输线的一侧，所述偏置电极与所述偏置线连接；设置在所述偏置线、所述第一地线、所述第二地线和所述波导传输线远离所述基底一侧的第二隔离层，所述第二隔离层包括位于所述第一地线、所述第二地线和所述波导传输线之间的凹槽；所述第二隔离层在所述基底上的正投影与所述偏置电极在所述基底上的正投影不交叠；设置在所述第二隔离层远离所述基底一侧的膜桥，所述膜桥包括第一支撑部、第二支撑部和沿水平方向设置的桥体，桥体的第一端和所述第一支撑部连接，桥体的第二端和所述第二支撑部连接；所述第二支撑部与所述偏置电极连接；所述第一支撑部在所述基底上的正投影位于所述第一地线在所述基底上的正投影的范围内，所述第二支撑部在所述基底上的正投影位于所述第二地线在所述基底上的正投影的范围内；所述桥体与所述波导传输线之间具有空腔。2.根据权利要求1所述的微机电系统开关，其特征在于，在垂直于所述基底的平面内，所述桥体包括多个倒梯形的第一弯折部。3.根据权利要求1所述的微机电系统开关，其特征在于，所述微机电系统开关还包括：设置在所述第二隔离层远离所述基底一侧的平坦层，所述平坦层部分填充所述凹槽；在垂直于所述基底的平面内，所述桥体包括多个倒三角形的第二弯折部。4.根据权利要求1所述的微机电系统开关，其特征在于，所述微机电系统开关还包括：设置在所述第二隔离层远离所述基底一侧的平坦层，所述平坦层在所述基底上的正投影覆盖所述凹槽在所述基底上的正投影；在垂直于所述基底的平面内，所述桥体包括多个正梯形的第三弯折部。5.根据权利要求1所述的微机电系统开关，其特征在于，所述微机电系统开关还包括：设置在所述第二隔离层远离所述基底一侧的平坦层，所述平坦层在所述基底上的正投影覆盖所述凹槽在所述基底上的正投影；在垂直于所述基底的平面内，所述桥体包括多个弧形的第四弯折部。6.根据权利要求1所述的微机电系统开关，其特征在于，所述微机电系统开关还包括：设置在所述第二隔离层远离所述基底一侧的平坦层，所述平坦层远离所述基底一侧的表面与所述第二隔离层远离所述基底一侧的表面齐平。7.根据权利要求1至6中任一项所述的微机电系统开关，其特征在于，所述桥体包括多个沿垂直于所述基底方向贯穿的通孔。8.一种微机电系统开关的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基底上形成偏置线；在所述偏置线远离所述基底一侧形成偏置电极、第一地线、第二地线和波导传输线，所述第一地线和所述第二地线分别位于所述波导传输线的两侧；所述偏置电极位于所述第二地线远离所述波导传输线的一侧，所述偏置电极与所述偏置线连接；
在所述偏置线、所述第一地线、所述第二地线和所述波导传输线远离所述基底一侧形成第二隔离层，所述第二隔离层包括位于所述第一地线、所述第二地线和所述波导传输线之间的凹槽；所述第二隔离层在所述基底上的正投影与所述偏置电极在所述基底上的正投影不交叠；在所述第二隔离层远离所述基底一侧形成牺牲层，所述波导传输线在所述基底上的正投影位于所述牺牲层在所述基底上的正投影的范围内，所述第一地线在所述基底上的正投影与所述牺牲层在所述基底上的正投影部分交叠，所述第二地线在所述基底上...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭景文，曹子博，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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