一种碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于非氧化物粉体技术领域，公开了一种碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体及其制备方法和应用。该方法是将TiO2粉、ZrO2粉、Nb2O5粉、Ta2O5粉、MoO3粉、C粉和Si3N4粉混合，制得混合粉体；将混合粉体加入无水乙醇，超声搅拌制得浆料；然后将Si3N4介质球加入浆料经辊式球磨，经干燥、烘干、过筛后装入石墨模具，干压成坯体；在保护气氛下，将坯体在1500～1700℃无压烧结，或者将坯体在1400～1600℃热处理，制得碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体，其组成为SiC/(Ti,Zr,Nb,Ta,Mo)CN。该复合粉体具有纯度高，粒度小等优势，可应用在制备切削难加工材料中。中。中。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于非氧化物粉体
，更具体地，涉及一种碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]高熵碳氮化物陶瓷已被应用于切削工具材料的制备中。其具有耐磨损、耐化学反应、耐热冲击等优异特性。可有效提高切削加工的速度和晶须，降低加工成本。相较于传统的硬质合金，高熵碳氮化物具有更为优异的抗氧化性能和高温抗弯强度。同时，高熵碳氮化物陶瓷具有较高的红硬性，且热导率较高，至目前最具前途的刀具材料，这就提升对高熵碳氮化物的粉体的需求。然而，目前高熵碳氮化物粉体的合成方法通常采用氮气氮化金属碳化物等方法。这些方法采用气态的氮源，难以对高熵碳氮化物的C、N含量作精确的调控。

技术实现思路

[0003]为了解决上述现有技术存在的不足和缺点，本专利技术的目的在于提供一种碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体的制备方法。该方法工艺简单，得到的碳化硅复合高熵碳氮化物粉体具有高纯度和较小的粒度。
[0004]本专利技术的另一目的在于提供上述方法制备得到的碳化硅/高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将TiO2粉、ZrO2粉、Nb2O5粉、Ta2O5粉、MoO3粉、C粉和Si3N4粉混合，制得混合粉体；TiO2粉、ZrO2粉、Nb2O5粉、Ta2O5粉、MoO3粉、Si3N4粉和C粉的摩尔比为1:1:0.5:0.5:1:(2
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5):(6
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15)；S2.将混合粉体加入无水乙醇，超声搅拌制得浆料；然后将Si3N4介质球加入浆料经辊式球磨，经干燥、烘干、过筛后装入石墨模具，干压成坯体；S3.在保护气氛下，将坯体在1500～1700℃无压烧结，或者将坯体在1400～1600℃热处理，制得碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体，其组成为SiC/(Ti,Zr,Nb,Ta,Mo)CN。2.根据权利要求1所述的碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述的TiO2粉、ZrO2粉、Nb2O5粉、Ta2O5粉、MoO3粉的粒径均为1～5μm；Si3N4粉的粒径为2～4μm；C粉的粒径为500nm～1μm。3.根据权利要求1所述的碳化硅/高熵碳氮化物复合粉体的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述球磨的转速为100～300r/min，所述球磨的时间为18～36h；...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄坤恒，郭伟明，刘洋，林华泰，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：