保护膜形成用组合物、保护膜、保护膜的形成方法、及基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种涂敷性优异的保护膜形成用组合物、保护膜、保护膜的形成方法、及经图案化的基板的制造方法。一种保护膜形成用组合物，用于仅在基板的周缘部形成保护膜，所述保护膜形成用组合物含有具有芳香环的化合物与溶媒，所述溶媒包含标准沸点为156℃以上且未满300℃的第一溶媒。满300℃的第一溶媒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用组合物、保护膜、保护膜的形成方法、及基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种保护膜形成用组合物、保护膜、保护膜的形成方法、及经图案化的基板的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体元件的制造中，例如可使用多层抗蚀剂工艺，所述多层抗蚀剂工艺是对介隔有机底层膜、含硅膜等抗蚀剂底层膜而层叠在基板上的抗蚀剂膜进行曝光及显影，从而形成抗蚀剂图案。在所述工艺中，以所述抗蚀剂图案为掩模对抗蚀剂底层膜进行蚀刻，以所获得的抗蚀剂底层膜图案为掩模进而对基板进行蚀刻，由此可在基板形成所期望的图案，获得经图案化的基板(例如，参照专利文献1)。
[0003]另外，提出了在基板的周缘部形成保护膜(例如，参照专利文献2)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利特开2004
‑
177668号公报
[0007]专利文献2：日本专利特开2016
‑
136572号

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的问题
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种保护膜形成用组合物，用于仅在基板的周缘部形成保护膜，所述保护膜形成用组合物含有：具有芳香环的化合物；以及溶媒，所述溶媒包含标准沸点为156℃以上且未满300℃的第一溶媒。2.一种保护膜形成用组合物，其中所述溶媒中的所述第一溶媒的含有比例为20质量％以上且100质量％以下。3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用组合物，其中所述溶媒中的所述第一溶媒的含有比例为40质量％以上且60质量％以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的保护膜形成用组合物，其中所述第一溶媒为酯类、醇类、醚类、碳酸酯类或这些的组合。5.根据权利要求1至4中任一项所述的保护膜形成用组合物，其中所述第一溶媒的标准沸点为205℃以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的保护膜形成用组合物，其中所述溶媒包含选自醚类及碳酸酯类中的至少一种所述第一溶媒。7.根据权利要求6所述的保护膜形成用组合物，其中所述醚类为二烷二醇单烷基醚乙酸酯类。8.根据权利要求1至7中任一项所述的保护膜形成用组合物，其中所述溶媒相对于所述保护膜形成用组合物中包含的总成分的含有比例为10质量％以上且90质量％以下。9.根据权利要求1至8中任一项所述的保护膜形成用组合物，其中所述溶媒还包含标准沸点未满156℃的第二溶媒。10.根据权利要求所述的保护膜形成用组合物，其中所述第二溶媒为烷二醇单烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：高梨和宪，宫内裕之，奥村奈央，河津智晴，出井慧，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：