一种基于热注入法合成的氮化镓量子点及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种热注入法制备的氮化镓量子点及其制备方法，包括以下步骤：将前驱物氯化镓与脂肪胺类溶剂搅拌混合均匀；在惰性气氛中加热并维持一段时间。将混合溶液升至预定温度，通过注射器注入双三甲基硅基胺基锂作为氮源并保持一段时间；降至室温后，用丙酮作为反溶剂和正己烷作为良溶剂，多次洗涤离心，最终得到氮化镓量子点。终得到氮化镓量子点。终得到氮化镓量子点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于热注入法合成的氮化镓量子点及其制备方法


[0001]本专利技术属于量子点合成
，具体涉及一种基于热注入法合成的氮化镓量子点及其制备方法。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)及其合金因其带隙宽、导热系数高、稳定性好、能耗低等特点，已成为重要的半导体材料。广泛应用于紫外/蓝色光电器件和大功率/温度射频电子器件。因此，GaN材料的研究与应用已成为半导体领域研究的前沿和热点，与碳化硅并称为第三代半导体材料。然而，传统方法(固体复分解法、热降解法、爆轰化学法和反应离化簇团束技术)合成的块状GaN材料结晶度差和纯度低，严重阻碍了GaN材料的实际应用。尽管通过外延法制备的氮化镓薄膜保证了GaN材料的高纯度和结晶度，成为了目前比较流行的制备策略。但由于反应设备昂贵，反应条件苛刻（结晶温度＞1000 ℃）和原料（三甲基镓和三乙基镓）活泼且昂贵，严重阻碍了GaN材料的应用。因此，通过廉价温和的方式制备 GaN 材料已成为当前一个重要的研究课题。从下到上的热注入法因其可以通过廉价的原料在温和条件下制备出高质量和低缺陷的纳米材料，而广受研究者喜爱。目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于热注入法合成的氮化镓量子点的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将氯化镓和脂肪胺类溶剂搅拌混合均匀；（2）在惰性气氛中加热并保持一段时间；（3）保持反应装置的气密性，将溶液温度升至反应温度，通过注射器在惰性气氛的保护下注入双三甲基硅基胺基锂，将温度保持一段时间；（4）降至室温后，用适量良溶剂和反溶剂交替洗涤离心多次，最后分散在良溶剂中。2. 根据权利要求1所述的一种基于热注入法合成的氮化镓量子点的制备方法，其特征在于：所述氯化镓的用量为5
‑
10 mmol；脂肪胺类溶剂为十八胺，油胺，三辛胺或十六胺，用量为15 mmol。3.根据权利要求1所述的一种基于热注入法合成的氮化镓量子点的制备方法，其特征在于：所述惰性气氛为Ar气。4. 根据权利要求1所述的一种基于热注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑远辉，邱海江，李敏，吴嘉宁，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：