太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括：衬底、第一本征非晶半导体层、n型非晶半导体层、第一透明导电膜层、第一电极、第二本征非晶半导体层、p型非晶半导体层、第二透明导电膜层、第二电极，衬底为n型晶体半导体衬底，衬底、第一本征非晶半导体层、n型非晶半导体层、第一透明导电膜层之间依次叠加，衬底、第二本征非晶半导体层、p型非晶半导体层、第二透明导电膜层之间依次叠加，第二透明导电膜层为至少两层，邻近p型非晶半导体层的第一层第二透明导电膜层为功函数≥4.2eV的高功函数导电膜层，第二电极设置于远离p型非晶半导体层的第二透明导电膜层。如此设置可以实现良好的功函匹配，有助于载流子的隧穿。有助于载流子的隧穿。有助于载流子的隧穿。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，尤其是涉及一种太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]高效电池透明导电膜层设计为追求单膜层光电性能，受光面为高透过率设计，背光面为高电导率设计，其中高掺杂TCO膜层具有较优电学性能以及电高导率，在一定程度上提升了电性能，但忽略了TCO膜层与a
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Si层的接触问题，导致填充因子偏低，降低转换效率。尤其以p面非晶层与TCO层的空穴传输较为突出，若TCO层功函数太低，会导致两者之间接触变差，影响空穴的隧穿，因此TCO层的功函数对于开路电压、填充因子等关键参数中起着至关重要的作用。
[0003]相关技术中，有将TCO层做成多层膜TCO结构设计，通过改善TCO多层膜间的功函数渐变梯度，可以提高电性能和透光率，还可调节TCO薄膜与掺杂层界面、TCO薄膜与金属电极界面的匹配，降低电池的内电阻，但未包含TCO层功函数的设计要求，会使得功函数过大或过小而直接影响TCO层与p面非晶层或n面非晶层的接触效果，进而影响开路电压、填充因子等太阳能电池的重要参数。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为n型晶体半导体衬底；第一本征非晶半导体层，所述第一本征非晶半导体层设置于所述衬底的第一主表面上；n型非晶半导体层，所述n型非晶半导体层设置于所述第一本征非晶半导体层上；第一透明导电膜层，所述第一透明导电膜层设置于所述n型非晶半导体层上；第一电极，所述第一电极设置于所述第一透明导电膜层上；第二本征非晶半导体层，所述第二本征非晶半导体层设置于所述衬底的第二主表面上；p型非晶半导体层，所述p型非晶半导体层设置于第二本征非晶半导体层上；第二透明导电膜层，所述第二透明导电膜层设置于所述p型非晶半导体层上，所述第二透明导电膜层为至少两层，邻近所述p型非晶半导体层的第一层所述第二透明导电膜层为功函数≥4.2eV的高功函数导电膜层；第二电极，所述第二电极设置于远离所述p型非晶半导体层的所述第二透明导电膜层上。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，邻近所述p型非晶半导体层的第一层所述第二透明导电膜层为功函数≥4.2eV且≤7.5eV的高功函数导电膜层。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，至少两层所述第二透明导电膜层的总厚度为d1，d1满足关系式：50nm≤d1≤120nm。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，邻近所述p型非晶半导体层的第一层所述第二透明导电膜层的厚度为d2，d2满足关系式：5nm≤d2≤15nm。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层为至少两层，邻近所述n型非晶半导体层的第一层所述第一透明导电膜层为功函数≤4.1eV的低功函数导电膜层。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，邻近所述n型非晶半导体层的第一层所述第一透明导电膜层为功函数≥3eV且≤4.1eV的低功函数导电膜层。7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，至少两层所述第一透明导电膜层的总厚度为d3，d3满足关系式：50nm≤d3≤120nm。8.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，邻近所述n型非晶半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚铮，崔巍，陈海燕，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：