一种提升boost电压效率的电路模块制造技术

本发明专利技术涉及电路技术领域，具体涉及一种提升boost电压效率的电路模块，包括赋初值管P3，用于在初始状态下使得VBoost点电压为电源电压、负载电容C1以及作为VBoost点电容的电容管，所述负载电容C1一端接地，还包括与VBoost点连接的延迟模块以及开关电路，所述电容管包括电容管P1和电容管P2，所述开关电路设置于VBoost点与赋初值管P3之间，用于传输电压，用于传输电压，所述电容管P1的栅极与赋初值管P3的漏极连接VF点，所述电容管P2的栅极连接至VBoost点，所述延迟模块连接于电容管P1与电容管P2之间，本发明专利技术在不额外增加boost电容的情况下，用少量开关电路就实现了boost效率的提升，boost电压更高。boost电压更高。boost电压更高。

【技术实现步骤摘要】
一种提升boost电压效率的电路模块


[0001]本专利技术涉及电路
，具体涉及一种提升boost电压效率的电路模块。

技术介绍

[0002]在低压应用时，由于电源电压较低无法很好的导通NMOS(电压低时导通的NMOS流过电流，NMOS管子压降会增加)，因此会用单独的boost电路来暂时提升电压帮助NMOS导通。这是一种短暂提供高压来帮助导通的电路。常见的方案如图1，P0的PMOS管(NMOS管也可以)作为boost电容，C1是负载电容，P3是PMOS管，起到给VBOOST点赋初始电压的作用，在开始boost之前(即I N从低变高的瞬间，波形如图3所示)使VBOOST点电压为电源电压。I N信号从低变高VBOOST点就会从VDD(电源电压)开始变高。I N2的电压此时会从低变高(关断P3管)，断开VBOOST和电源VDD之间的通路，I N2为高时为VBOOST的电压，保证PMOS管P3关断。
[0003]当负载电容C1的值比较大时，那么想提高boost电压，则boost电容一定要很大才能起到升压效果。因此这个boost电容P0管的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升boost电压效率的电路模块，包括赋初值管P3，用于在初始状态下使得VBoost点电压为电源电压、负载电容C1以及作为VBoost点电容的电容管，所述负载电容C1一端接地，其特征在于：还包括与VBoost点连接的延迟模块以及开关电路，所述电容管包括电容管P1和电容管P2，所述开关电路设置于VBoost点与赋初值管P3之间，用于传输电压，用于传输电压，所述电容管P1的栅极与赋初值管P3的漏极连接VF点，所述电容管P2的栅极连接至VBoost点，所述延迟模块连接于电容管P1与电容管P2之间。2.根据权利要求1所述的一种提升boost电压效率的电路模块，其特征在于，所述开关电路包括PMOS管P4，所述PMOS管P4的漏极连接节点VF，源极连接VBo...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，
申请(专利权)人：上海奔芯集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：