一种利用飞秒激光刻蚀源极的垂直沟道有机光敏场效应管制造技术

本发明专利技术公开一种利用飞秒激光刻蚀源极的垂直沟道有机光敏场效应管，其结构为：栅极/栅极电介质/飞秒激光刻蚀源极/有机功能层/漏极。该器件采用硅/二氧化硅衬底作为栅极/栅极电介质；源极采用飞秒激光刻蚀法进行图案化刻蚀，形成长方形孔状阵列；有机功能层采用常用的有机半导体光敏材料；漏极为半透明金属薄膜。相对于传统光刻法，利用飞秒激光刻蚀法制备图案化源极，具有制备工艺简单，图案化刻蚀效率高等优点。效率高等优点。效率高等优点。

【技术实现步骤摘要】
作为栅介质层，Si作为栅极。
[0010]使用真空热蒸发法制备有机层和电极，使用的镀膜机为有机半导体薄膜真空蒸镀机。通过真空热蒸发在清洁的衬底上连续沉积铝和氟化锂薄膜，厚度分别为50nm和10nm。
[0011]通过飞秒脉冲激光刻蚀对源极制作一组等距方孔阵列，具体操作如下：飞秒激光脉冲由蓝宝石激光器(Coherent Corp)产生，在800nm中心波长下工作，脉冲能量为100μJ，脉冲持续时间为35fs，通过20倍物镜以5kHz频率聚焦。随后将硅片放在具有软件控制和马达驱动的三维控制平台上，在光阑处放置一个固定频率的风扇用来阻挡和通过激光，风扇转动的同时三维移动平台的移动速度为3000μm/s，在硅片上刻蚀出等间距的长方形孔，长方形孔长(L)
×
宽(W)＝6μm
×
4μm，同行的孔间距为6μm，行间距约为10μm。
[0012]使用热蒸发法依次沉积光敏材料和金，作为有机功能层和漏极。

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用飞秒激光刻蚀源极的垂直沟道有机光敏场效应管，即利用飞秒激光刻蚀法对场效应管源极进行图案化刻蚀。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锐，严卿华，彭应全，吕文理，徐苏楠，朱伟豪，梁绍昌，张月，贾志强，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：