一种双余度差压变送器制造技术

本实用新型专利技术涉及差压变送器测量技术领域，具体为一种双余度差压变送器，通过在下基座和上基座内水平装配两组差压传感器，实现了双余度测量，增加了压力变送器的可靠性；并在下基座和上基座中设置高压流道和低压流道，其中高压流道连通至两组差压传感器的正极端，低压流道连通至两组差压传感器的负极端，在差压变送器内实现了两路差压介质的传递，避免传统差压变送器需要安装两个压力接口导致的不可靠或者压力泄露。者压力泄露。者压力泄露。

【技术实现步骤摘要】
一种双余度差压变送器


[0001]本技术涉及差压变送器测量
，具体为一种双余度差压变送器。

技术介绍

[0002]差压变送器是一种测量介质两端压力差的仪器仪表。差压变送器的测量原理是：管道被测的高压和低压介质通过引压管道，将介质传递给差压传感器两端的隔离膜片上，然后由差压传感器将压力信号转换为电信号，经过变送器电路将传感器的电信号放大处理传递给后端采集电路。
[0003]传统的差压变送器是通过差压传感器对称的两端压力接口与被测管路上的接头对接，实现高低压介质的传递测量，然后由处理电路将信号处理传递给后端。该方法缺点是：体积较大，无法实现双余度测量，需要在被测管路上引出两个接头，不便于安装，且容易在管路连接点产生压力泄漏。

技术实现思路

[0004]为了克服上述现有技术存在的缺陷，本技术的目的在于提供一种双余度差压变送器，以解决现有技术在双余度测量是容易在管路连接点产生压力泄漏、在被测管路上不便于安装差压变送器的技术问题。
[0005]本技术是通过以下技术方案来实现：
[0006]一种双余度差压变送器，包括外壳、下基座、上基座、电路板和两组差压传感器；上基座装配在下基座上，电路板装配在上基座上，外壳包裹在上基座外侧，且外壳的一端抵接在下基座上，另一端装配电连接器；两组差压传感器水平集成装配在下基座和上基座之间，且两组差压传感器经电路板与电连接器信号连接；所述下基座内开设高压流道，所述高压流道连通至两组差压传感器的正极端；所述下基座与上基座内开设低压流道，所述低压流道连通至两组差压传感器的负极端。
[0007]优选的，两组差压传感器的正负极端对应设置，其中在下基座与上基座之间两组差压传感器的正极端均朝下，负极端均朝上。
[0008]优选的，下基座包括法兰盘、装配端和集成端；所述装配端设置在法兰盘的一侧，用于装配在被测设备内，所述集成端设置在法兰盘的另一侧，与上基座装配连接，两组差压传感器水平装配在集成端与上基座之间，所述高压流道对准被测设备沿着装配端的底部连通至两组差压传感器的正极端，所述低压流道对准被测设备沿着装配端的侧部依次经法兰盘和集成端至上基座内连通两组差压传感器的负极端。
[0009]进一步的，集成端与上基座之间设有第三密封圈，所述第三密封圈设置在低压流道处。
[0010]进一步的，装配端上依次套设第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈用于高压流道隔离低压介质；所述第二密封圈用于低压流道隔离高压介质。
[0011]进一步的，低压流道沿着装配端经法兰盘至集成端处设置分支形成两条路径，其
中，一条路径为竖直路径，另一条路径为远离高压流道的倾斜路径；所述倾斜路径与上基座的低压流道连通；所述竖直路径的端口密封装配销钉。
[0012]进一步的，上基座的顶部设有凹槽，用于在上基座内设置低压流道，所述凹槽内密封装配堵盖。
[0013]进一步的，法兰盘上设置安装孔，通过安装孔装配在被测设备上。
[0014]与现有技术相比，本技术具有以下有益的技术效果：
[0015]本技术提供了一种双余度差压变送器，通过在下基座和上基座内水平装配两组差压传感器，实现了双余度测量，增加了压力变送器的可靠性；并在下基座和上基座中设置高压流道和低压流道，其中高压流道连通至两组差压传感器的正极端，低压流道连通至两组差压传感器的负极端，在差压变送器内实现了两路差压介质的传递，避免传统差压变送器需要安装两个压力接口导致的不可靠或者压力泄露。
[0016]进一步的，两组差压传感器的正负极端对应设置，其中在下基座与上基座之间两组差压传感器的正极端均朝下，负极端均朝上，避免两路差压介质相互交叉从而影响双余度测量结果。
[0017]进一步的，高压流道对准被测设备沿着装配端的底部连通至两组差压传感器的正极端，低压流道对准被测设备沿着装配端的侧部依次经法兰盘和集成端至上基座内连通两组差压传感器的负极端，有效的实现了差压变送器内两路差压介质在变送器内的传递，提高了双余度检测效率。
[0018]进一步的，集成端与上基座之间设有第三密封圈，第三密封圈设置在低压流道处，避免低压流道内的低压介质顺着集成端与上基座之间的间隙流向高压流道内，影响双余度测量的准确性。
[0019]进一步的，装配端上依次套设第一密封圈和第二密封圈，第一密封圈用于高压流道隔离低压介质；第二密封圈用于低压流道隔离高压介质，避免低压流道和高压流道内的介质交叉流动，从而影响双余度测量的准确性。
[0020]进一步的，低压流道沿着装配端经法兰盘至集成端处设置分支形成两条路径，其中，一条路径为竖直路径，另一条路径为远离高压流道的倾斜路径；所述倾斜路径与上基座的低压流道连通；所述竖直路径的端口密封装配销钉，销钉有效的将竖直路径进行封堵，从此改变低压流道的路径，使其远离高压流道，并为两个差压传感器装配避让出空间。
[0021]进一步的，上基座的顶部设有凹槽，用于在上基座内设置低压流道，在设置完上基座内的低压流道后，所述凹槽内密封装配堵盖，避免低压流道内的低压介质沿着凹槽流出。
[0022]进一步的，法兰盘上设置安装孔，通过安装孔装配在被测设备上，保证了变送器内双余度测量的稳定性。
附图说明
[0023]图1为本技术的双余度差压变送器的外观结构示意图；
[0024]图2为图1的俯视图；
[0025]图3为图2中A
‑
A剖视图；
[0026]图4为图2中B
‑
B剖视图。
[0027]图中：1
‑
外壳；2
‑
下基座；3
‑
电连接器；4
‑
第一密封圈；5
‑
第二密封圈；6
‑
上基座；7
‑
差压传感器；8
‑
电路板；9
‑
销钉；10
‑
第三密封圈；11
‑
堵盖；12
‑
高压流道；13
‑
低压流道；21
‑
法兰盘；22
‑
装配端；23
‑
安装孔；24
‑
集成端。
具体实施方式
[0028]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0029]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双余度差压变送器，其特征在于，包括外壳(1)、下基座(2)、上基座(6)、电路板(8)和两组差压传感器(7)；上基座(6)装配在下基座(2)上，电路板(8)装配在上基座(6)上，外壳(1)包裹在上基座(6)外侧，且外壳(1)的一端抵接在下基座(2)上，另一端装配电连接器(3)；两组差压传感器(7)水平集成装配在下基座(2)和上基座(6)之间，且两组差压传感器(7)经电路板(8)与电连接器(3)信号连接；所述下基座(2)内开设高压流道(12)，所述高压流道(12)连通至两组差压传感器(7)的正极端；所述下基座(2)与上基座(6)内开设低压流道(13)，所述低压流道(13)连通至两组差压传感器(7)的负极端。2.根据权利要求1所述的一种双余度差压变送器，其特征在于，两组差压传感器(7)的正负极端对应设置，其中在下基座(2)与上基座(6)之间两组差压传感器(7)的正极端均朝下，负极端均朝上。3.根据权利要求1所述的一种双余度差压变送器，其特征在于，所述下基座(2)包括法兰盘(21)、装配端(22)和集成端(24)；所述装配端(22)设置在法兰盘(21)的一侧，用于装配在被测设备内，所述集成端(24)设置在法兰盘(21)的另一侧，与上基座(6)装配连接，两组差压传感器(7)水平装配在集成端(24)与上基座(6)之间，所述高压流道(12)对准被测设备沿着装配端(22)的底部连...

【专利技术属性】
技术研发人员：任勇，董红娟，曾军德，宋天文，张瑶，
申请(专利权)人：麦克传感器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：