一种乐甫波气体传感器制造技术

本发明专利技术提供一种乐甫波气体传感器，包括：压电基片、沉积在压电基片表面的输入叉指换能器和输出叉指换能器、以及覆盖在所述压电基片以及输入叉指换能器和输出叉指换能器上面的敏感膜，其中，该敏感膜为半导体型气敏材料层，输入叉指换能器在压电基片中激发声波并传播，输出叉指换能器用于接收声波，当加载的被测物与敏感膜发生反应后会导致声波的特性发生变化，通过检测这些变化而得到关于被测物的特性结论。本发明专利技术的乐甫波气体传感器能够克服现有半导体型传感器检测下限不高的缺陷，从检测手段方面改善传感器性能，将乐甫波传感器的结构，与现有的半导体型固体气敏膜技术相结合，实现高灵敏度、稳定的气体检测功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种乐甫型声波(简称乐甫波)传感器，特别是涉及一种采用半导体型气敏材料的乐甫波气体传感器。
技术介绍
自1964年，由Wickens和Hatman利用气体在电极上的氧化还原反应研制出第一个气敏传感器，1982年英国的Warwick大学的Persaud等提出了利用气敏传感器模拟动物嗅觉系统的结构以后，气体传感器飞速发展，应用于各种场合。气体传感器主要有半导体传感器(电阻型和非电阻型)(传感器世界，2001，《几种常见气体传感器的研宄进展》)。现有的气体检测装置，主要利用气敏膜与待测气体之间接触后引起的电阻、电容、电流大小的变化来确定气体浓度。同时，各种半导体型气敏材料的研究很多，针对甲烷(C//4)、硫化氢(i/2S)、 二氧化硫(S6>2)以及一氧化碳(CO)气体检测的选择也很多。其中SwQ和『q是应用最广泛的气敏材料。文献化工进展(2006年第25巻第1期，H2S气敏材料的研究进展)中介绍了针对H2S检测的5VzQ系、Z"O系、ZwS系、『6>3系//2S气敏材料以及复合氧化物气敏材料。文献正EE SENSOR2006， EXCO, Daegu, Kor本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种乐甫波气体传感器，包括：压电基片、沉积在压电基片表面的输入叉指换能器和输出叉指换能器、以及覆盖在所述压电基片以及输入叉指换能器和输出叉指换能器上面的敏感膜，其特征在于：所述敏感膜为半导体型气敏材料层，所述输入叉指换能器在所述压电基片中激发声波并传播，所述输出叉指换能器用于接收声波，当加载的被测物与所述敏感膜发生反应后会导致声波的特性发生变化，通过检测这些变化而得到关于所述被测物的特性结论。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李红浪，刘久玲，程利娜，何世堂，
申请(专利权)人：中国科学院声学研究所，
类型：发明
国别省市：11[]