本实用新型专利技术公开了一种C-纳米管异质结的有机气体传感器。该C-纳米管异质结的有机气体传感器，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用C-纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。有机气敏层实现产生载流子，有机异质结层则实现有机载流子输运工作。该有机C-纳米管异质结的有机气体传感器在常温下能快速、灵敏的进行工作，并且利用真空蒸发技术一次性完成制备，简化制备流程。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种气体传感器，尤其是一种C-纳米管异质结的有机气体传感器。
技术介绍
目前，气体传感器的种类繁多，常见的有固体热传导式传感器、定电位电解式传感器、气相色谱法传感器。但与OTFT气体传感器的相关研宄主要集中在有机半导体薄膜的合成，电流减噪等方面。但是针对于半导体层以上的研宄依然很缺乏，因此半导体层以上的性质将直接影响有机异质结晶体管气体传感器的性能。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提出了一种C-纳米管异质结的有机气体传感器，其目的是克服现有气体传感器存在的敏感低，且响应速度慢等问题。通过对半导体层的改变来获取具有高敏感性能，能快速响应速度的一种C-纳米管异质结的有机气体传感器。本技术的上述问题是这样实现的:首先以钕铝/栅极/氮化硅(Si3N4),并兼做衬底；然后在其上蒸镀一层诱导层诱导半导体层稳定结晶，再在半导体层上蒸镀一层有机物，构成异质结；最后在异质结层上蒸镀一层有机气敏材料。气体与有机气敏层接触时，实现产生载流子且具有很高的气敏性，而有机载流子输运层则是利用具有很高迀移率的有机异质结半导体，实现载流子的输运作用。本技术有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。这样很充分的将气敏层的性能表征出来，因此本技术能有效地提高有机晶体管气体传感器的性能。本技术具有以下特点:选用钕铝作为衬底，其特点在于是一种很好的气敏材料并易构成气敏传感系统。所述介电层采用氮化硅(Si3N4),其特点在于，硬度高、介电常数大、结构致密、导热性能好。所述诱导层为α -四联噻吩(α-4T)，其特点在于，能更好的诱导红焚稀(Rubrene)稳定结晶。所述的异质结为红焚稀(Rubrene )和富勒稀(C60)构成的异质结，其特点在于，电子行动能力强，迀移率高。所述的有机气敏层采用单壁纳米管(SCNT)构成，也可以用多壁纳米管(MCNT)构成，其特点在于具有灵敏度高、响应速度快、尺寸小、能耗低且室温下正常工作。【附图说明】附图1底栅顶接触常见气体传感器。附图2底栅顶接触C-纳米管异质结的有机气体传感器。【具体实施方式】a)以钕铝为衬底，并依次蒸镀电极介电层氮化硅(Si3N4)，并让其形成栅极电极图案。b)用标准工艺清洗蒸镀有介电层、栅电极的钕铝衬底。c)用真空蒸发技术在干燥的氮化硅(Si3N4)衬底上制备一层α-四联噻吩(α -4Τ)诱导层。d)用真空蒸发技术在诱导层上制备一层红荧烯(Rubrene )薄膜。e)用真空蒸发技术在红焚稀(Rubrene )薄膜上制备一层富勒稀(C60)薄膜层，来构成异质结。f)用真空蒸发技术在异质结薄膜上制备一层C-纳米管气敏薄膜层。g)用真空蒸发技术制备金属Au作为源极、漏极。沟道长度和源漏电极的面积可通过掩膜板来限定。【主权项】1.一种C-纳米管异质结的有机气体传感器包括:衬底(1)，栅极(2)，介电层(3)，诱导层(4)，半体层(5)，有机异质结层(6)，气敏层(7)，源极、漏极(8)。2.根据权利要求1所述的一种C-纳米管异质结的有机气体传感器，其特征在于，衬底(I)采用钕铝。3.根据权利要求书I所述的一种C-纳米管异质结的有机气体传感器，其特征在于，栅极(2)，源极、漏极(8)为金(Au)。4.根据权利要求1所述的一种C-纳米管异质结的有机气体传感器，其特征在于，介电层(3)为氮化硅(Si3N4)。5.根据权利要求1所述的一种C-纳米管异质结的有机气体传感器，其特征在于，诱导层(4)为α -四联噻吩(α -4Τ)。6.根据权利要求书I所述的一种C-纳米管异质结的有机气体传感器，其特征在于，半导体层(5)为红焚稀(Rubrene )。7.根据权利要求1所述的一种C-纳米管异质结的有机气体传感器，其特征在于，异质结层(6)由半导体层(5)和富勒烯(C60)构成。8.根据权利要求1所述的一种C-纳米管异质结的有机气体传感器，其特征在于，气敏层(7)由单壁纳米管(SCNT)构成，或者用多壁纳米管(MCNT)构成。【专利摘要】本技术公开了一种C-纳米管异质结的有机气体传感器。该C-纳米管异质结的有机气体传感器，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用C-纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。有机气敏层实现产生载流子，有机异质结层则实现有机载流子输运工作。该有机C-纳米管异质结的有机气体传感器在常温下能快速、灵敏的进行工作，并且利用真空蒸发技术一次性完成制备，简化制备流程。【IPC分类】B82Y15-00, G01N27-00【公开号】CN204330652【申请号】CN201420417812【专利技术人】王丽娟, 都昊, 李一平, 邹凤君 【申请人】长春工业大学【公开日】2015年5月13日【申请日】2014年7月28日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种C‑纳米管异质结的有机气体传感器包括：衬底（1），栅极（2），介电层（3），诱导层（4），半体层（5），有机异质结层（6），气敏层（7），源极、漏极（8）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王丽娟，都昊，李一平，邹凤君，
申请(专利权)人：长春工业大学，
类型：新型
国别省市：吉林;22
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