一种蚀刻液以及制备蚀刻液的方法技术

本发明专利技术实施例涉及蚀刻液技术领域，公开了一种蚀刻液以及制备蚀刻液的方法。所述蚀刻液是由盐酸、过氧化氢和纯净水组成，其中，按质量百分比，所述盐酸占5％

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻液以及制备蚀刻液的方法


[0001]本专利技术实施例涉及蚀刻液
，特别是涉及一种蚀刻液以及制备蚀刻液的方法。

技术介绍

[0002]蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻。其中。湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的。在金属箔式应变片的制造工艺中，目前普遍采用湿法蚀刻方法。
[0003]本专利技术实施例的专利技术人在实施本专利技术实施例的过程中，发现：镍铬合金箔(卡玛箔或伊文箔)为应变片常用的金属箔材，常用使用三氯化铁和硝酸铈铵作为蚀刻液。而三氯化铁和硝酸铈铵的本色是深色，当蚀刻液在蚀刻完成之后，需要对蚀刻液进行无害处理再排放，但是三氯化铁和硝酸铈铵的本色是深色，对蚀刻液进行无害处理之后，在三氯化铁和硝酸铈铵的本色作用下,蚀刻液仍然保持深色，当排放到外界之后，会造成有色污染。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例主要解决的技术问题是提供一种蚀刻液，所述蚀刻液以盐酸和过氧化氢为主要成分配置而成，所述蚀刻液为无色溶液、浓度低，能够蚀刻出敏感栅丝栅宽度小于20μm的应变片，并且图形完整、清晰准确。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术实施例采用的一个技术方案是：提供一种蚀刻液；所述蚀刻液是由盐酸、过氧化氢和纯净水组成，其中，按质量百分比，所述盐酸占5％
‑
30％,所述过氧化氢占5％
‑
30％，所述纯净水占10％
‑
90％。
[0006]可选地，按质量百分比，所述盐酸占10％
‑
25％。
[0007]可选地，按质量百分比，所述盐酸占20％。
[0008]可选地，按质量百分比，所述过氧化氢占10％
‑
25％。
[0009]可选地，按质量百分比，所述过氧化氢占15％。
[0010]可选地，按质量百分比，所述纯净水占70％
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85％。
[0011]可选地，按质量百分比，所述纯净水占65％
‑
80％。
[0012]为解决上述技术问题，本专利技术实施例采用的另一个技术方案是：提供一种制备蚀刻液的方法，所述方法包括：提供盐酸、过氧化氢和纯净水，其中，按质量百分比，所述盐酸占5％
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30％,所述过氧化氢占5％
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30％，所述纯净水占10％
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90％；将所述盐酸、过氧化氢和纯净水均匀混合。
[0013]本专利技术实施例提供了一种蚀刻液，所述蚀刻液是由盐酸、过氧化氢和纯净水组成，其中，按质量百分比，所述盐酸占5％
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30％,所述过氧化氢占5％
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30％，所述纯净水占10％
‑
90％，通过将所述盐酸、过氧化氢和纯净水均匀混合，由于盐酸、过氧化氢和纯净水均混合呈无色透明，因此，可以制备出无色的蚀刻液，在蚀刻完成并且无害之后，排放的蚀刻液仍然呈现无色，不会造成有色污染；另外，由于盐酸的高腐蚀性，因此，盐酸的比例可以降低，
从而降低蚀刻液的浓度，并且蚀刻液能够蚀刻出敏感栅丝栅宽度小于20μm的应变片，并且图形完整、清晰准确。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术具体实施例或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0015]图1是本专利技术实施例制备蚀刻液的方法流程图；
[0016]图2是本专利技术实施例制备蚀刻液实验一的样品示意图；
[0017]图3是实验数据对比分析示意图；
[0018]图4是本专利技术实施例制备蚀刻液实验二的样品示意图；
[0019]图5是本专利技术实施例制备蚀刻液实验三的样品示意图。
具体实施方式
[0020]为了便于理解本专利技术，下面结合附图和具体实施例，对本专利技术进行更详细的说明。需要说明的是，当元件被表述“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。本说明书所使用的术语“上”、“下”、“内”、“外”、“垂直的”、“水平的”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0021]除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本专利技术。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0022]此外，下面所描述的本专利技术不同实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0023]本专利技术提供蚀刻液实施例，所述蚀刻液是由盐酸、过氧化氢和纯净水制成，其中，按质量百分比，所述盐酸占5％
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30％,所述过氧化氢占5％
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30％，所述纯净水占10％
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90％。其中，盐酸是氯化氢的水溶液，其性状为无色透明的液体。过氧化氢(hydrogen peroxide)，是一种无机化合物其可任意比例与纯净水混溶，并且在与纯净水混合为无色透明液体。纯净水是指纯由纯净水指的是不含杂质的H2O，是纯洁、干净，不含有杂质或细菌的水，如有机污染物、无机盐、任何添加剂和各类杂质，纯净水本身就是无无色透明的液体，因此，盐酸、过氧化氢和纯净水制成组成的蚀刻液就是无色透明的液体。
[0024]所述蚀刻液主要用于蚀刻金属箔，金属箔主要包括：铜镍合金、镍铬合金、镍钼合金、铁铬铝合金铂基合金等纯金属箔或合金箔。在该蚀刻液中，主要是利用盐酸的高腐性进行蚀刻，纯净水主要起到稀释的作用，由于盐酸具有高腐性，当所述盐酸占5％
‑
30％,所述过氧化氢占5％
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30％，所述纯净水占10％
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90％时，蚀刻液可以对金属箔式应变片蚀刻出更
加精细的线条，例如：敏感栅丝栅宽度小于20μm。
[0025]在一些优选实施例中，按质量百分比，所述盐酸占10％
‑
25％。
[0026]在一些优选实施例中，按质量百分比，所述盐酸占20％。
[0027]可以理解的是，盐酸在蚀刻液中的质量百分比可以在5％
‑
30％之间任意取值，可以取整数值，例如：5％、6％、7％、8％、9％、10％、29％或30％，也可以取非整数值，例如：5.4％、5.8％、6.4％、6.8％、7.4％、7.8％、8.4％、8.8％、9本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液是由盐酸、过氧化氢和纯净水组成，其中，按质量百分比，所述盐酸占5％
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30％,所述过氧化氢占5％
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30％，所述纯净水占10％
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90％。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，按质量百分比，所述盐酸占10％
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25％。3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，按质量百分比，所述盐酸占20％。4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，按质量百分比，所述过氧化氢占10％
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25％。5.根据权利要求4所述的蚀刻液，其特征在于，按质量百分...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丁山，王钦，黄丽静，虞城成，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：