利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法、半导体碳纳米管薄膜技术

本发明专利技术提供一种利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法，以具有偶氮苯结构的聚合物缠绕包裹半导体碳纳米管，通过聚合物的作用，使半导体碳纳米管稳定均匀的分散，之后在特定波长光源的的照射下，加快半导体碳纳米管在衬底上的沉积，得到的致密、均匀的半导体碳纳米管薄膜。本发明专利技术的方法操作容易，实验限制条件宽松，可重复率高，大大提高了碳纳米管网络沉积的密度、效率以及均匀性，为其他材料和方法的研究提供了指导。和方法的研究提供了指导。和方法的研究提供了指导。

【技术实现步骤摘要】
利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法、半导体碳纳米管薄膜


[0001]本专利技术涉及碳材料
，具体而言涉及一种利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管网络薄膜的方法、半导体碳纳米管薄膜。

技术介绍

[0002]在新兴材料工作组推荐的众多的新型半导体材料中，碳纳米管由于其天然的一维结构，并且由于其拥有优异导热、导电、磁学和机械性能，是理想的纳电子和光电子材料，而受到了人们的关注和广泛研究。通过研究人们发现碳纳米管与传统晶体管相比其综合能效提升了5～10倍，充分达到了延续摩尔定律的要求，是目前后摩尔时代的重要替代材料的研究方向之一。
[0003]通过近二十多年来的研究，基于碳纳米管材料的场效应晶体管器件方面取得了非常大的进展。但如果想要更进一步的推动碳基电子学的发展，比如运用到生活中的各种应用中，那就要求能够形成稳定和大规模的制备，尤其是其中要达到一整片晶圆级别的高半导体纯度的碳纳米管制备。
[0004]在各种碳纳米管制备中，通过使用碳纳米管溶液制备碳纳米管网络薄膜是现阶段整个碳纳米管工业制造中最成熟的手段，而对于制备的碳纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：将聚合物与半导体碳纳米管置于第一有机溶剂中进行混合，使聚合物缠绕在半导体碳纳米管上，同时使半导体碳纳米管均匀的分散在第一有机溶剂中，得到第一混合溶液；其中，所述聚合物为含有偶氮苯结构的聚合物；将第一混合溶液过滤，得到沉淀物，并将沉淀物完全分散在第二有机溶剂中，得到第二混合溶液；将第二混合溶液均匀分布在衬底上，并采用光源照射，通过光照诱导使聚合物吸附在衬底表面，从而使半导体碳纳米管沉积在衬底上并达到所需密度；清洗沉积了第二混合溶液的衬底，得到具有半导体碳纳米管薄膜的衬底。2.根据权利要求1所述的利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，所述含有偶氮苯结构的聚合物为聚芴
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偶氮，分子结构式如式Ⅰ；3.根据权利要求2所述的利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，聚芴
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偶氮的制备过程如下：将单体9,9
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双十二烷基
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9H
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芴
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2,7
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二甲醛和4,4
‘‑
偶氮二苯胺置于第三有机溶剂中，得到第三混合溶液，在第三混合溶液中加入脱水剂和催化剂并进行冷凝回流，反应结束后得到聚合物聚芴
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偶氮。4.根据权利要求3所述的利用光驱动聚合物沉积半导体碳纳米管薄膜的方法，其特征在于，9,9
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双十二烷基
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9H
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芴
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2,7
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二甲醛和4,4
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偶氮二苯胺的摩尔比为1:1，冷凝回流的时间为24～48h。5.根据权利要求3所述的利用光驱动聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂紫东，余飞鸽，夏煜，
申请(专利权)人：北京大学北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：