具有可调整驱动电流的高频电源开关电路制造技术

一种具有用于高频开关功率ＭＯＳＦＥＴ电路的高度可调整电流的ＭＯＳＦＥＴ预驱动电路，在保持功率级的功率损耗的同时降低驱动电流的峰值和预驱动器的功率损耗以便降低总的功率损耗并提高电路效率。提供有与预驱动电路的ＭＯＳＦＥＴ的源极串联地布置的电阻器以调整驱动电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及高频电源开关电路，更特别地涉及用于高频电源开关电路的高 度可调整驱动技术。
技术介绍
诸如功率MOSFET和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等电源开关电路通常用于多种 开关应用。然而，当用于高频应用时，电源开关电路引入大量的衬底噪声和电源/接地反 弹。这导致电磁兼容性(EMC)不良。这还降低灵敏模拟块的性能并增加芯片内的电磁干扰 (EMI)。功率MOSFET的动态开关损耗也随着开关电路的工作频率的增加而增加。对于相 对较高的频率，即对于大于IMHZ的频率，在同一芯片中集成在一起的电源开关电路，功率 装置的开关速度均相对极快，即约为10ns。另外，高di/dt还引入并进一步有助于大的电源 /接地反弹。结果，高频电源开关设备的开关损耗进一步增加，并将感应噪声注入衬底中，这 可能对芯片上驻有的其它装置的性能产生负面影响。由于电路工作频率非常高，并且以上 高频电路的时滞(dead-time)非常短( IOns)，所以传统的方法不能满足此类短时滞要 求。因此，传统方法不适合在此类应用中用来优化功率损耗、电路效率、EMC与衬底噪声之 间的权衡。因此，需要一种解决上述问题的用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于驱动电源开关电路的预驱动电路，所述电源开关电路具有电源开关电路的功率级的功率装置，该预驱动电路包括：ＭＯＳＦＥＴ，其具有源极和漏极以便用驱动电流来驱动所述电源开关装置的功率级的功率装置；以及电阻器，其与ＭＯＳＦＥＴ的源极串联以调整驱动电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨健，毛威，王传政，赵宏伟，郑健华，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]